• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.48 no.5
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• pp.6-11
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• 2011

We have developed dissolved ozone decompose system in the used ozonated water for the semiconductor and LCD fabrication processes, which will be base of obtaining core process technology in the high performance, low price semiconductor and LCD fabrications. Using this technology, it is possible for the semiconductor wafer and LCD planer to process more rapid and chip, and productivity will be improved.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1996.06a
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• pp.149-153
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• 1996

반도체 소자 제조 공정이 고 집적화 됨에 따라 습식 세정방법에 의한 세정공정의 중요성이 더욱 증가 되어지고 있으며, 특히 그 중에서 전체 세정공정의 약 절반을 차지하고 있는 Deionised water에 의한 rinsing 공정의 경우 ultrapure water의 quality가 최근 지속적으로 향상이 되어짐에 따라 많은 발전을 자져 왔다. 일반적으로 Deionised water에 함유하고 있는 TOC(total oxidisable components), bacteria, metallic impurity, desolved oxygen cencentration, colloidal material impurity (예를 들면 Silica, oraganic substrate)등은 ultra pure water의 quality를 결정하는데 매우 중요한 factor로 작용하고 있으며, 이러한 불순물들이 반도체 제조공정중 wafer surface에 흡착되어 졌을때 여러형태의 defect들을 유발한다고 알려져 있다. 그러나 pseudommonas, flavobacterlum, alcaligene등의 기 얄려진 bacteria들의 경우 Deionised water를 supply해주는 배관의 Inner surface에 잘 흡착 되지만 고온의 water 혹은 과산화수소수($H_{2}O_{2}$) 를 이용하여 주기적으로 처리 해줌으로 인하여 이에 대한 문제점을 어느정도 최소화 시킬수 있다. 위의 두가지 방법중 전자의 경우 chemical을 사용하지 않고, 유지 및 관리가 간편하며, 용존산소량을 줄일수 있다는 점에서 장점이 있으나, 전 ultra pure water의 system이 열적으로 안정해야 하고 경제적인 문제가 수반하는 단점을 가지고 있다. 후자의 경우, 미량의 과산화수소수 (1~10,000 ppm)를 이용해 처리 해주는 방법의 경우 경제적으로 큰 장점이 있고, 처리가 단순하다는 장점이 있으나 과산화수소수 자체에 포함하고 있는 높은 impurit level, 그리고 처리후 장시간의 flushing time을 가져야 한다는 단점등이 존재 하고 있다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2009.05a
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• pp.25.1-25.1
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• 2009

Pattern 웨이퍼 상의 오염입자 제거는 반도체 산업의 주된 과제 중 하나이다. Pattern의 선폭이 좁아짐에 따라 Pattern에 손상을 가하지 않고 오염입자를 제거 하는 것은 더욱 어려워지고 있다. 그뿐만 아니라 기존 습식세정 공정에서의 화학액에 의한 환경오염 및 박막의 손실도 문제가 되기 시작했다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 세정공정에서 화학액의 농도를 낮추고 Megasonic 등을 이용하여 세정력을 보완하는 방법들이 연구되고 있다. 하지만 습식세정의 경우 강한 화학작용으로 인한 표면 손상 및 물 반점의 문제는 여전히 이슈가 되고 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 건식 세정법이 제시되고 있으며 이 중 레이저 충격파는 레이저를 집속시켜 발생된 충격파를 이용하여 입자를 제거하기 때문에 국부적인 세정이 가능하며 세정력 조절이 가능하여 손상이 세정을 할 수 있다. 그러나 Pattern의 구조에 의해 전되는 세정력의 차이가 발생하고 Trench 내부의 오염입자제거 문제점이 발생할 수 있다. 시편은 Si STI Pattern을 100 nm PSL Particle (Red Fluorescence, Duke Scientific, USA) 을 50ppm 농도로 희석시킨 IPA에 dipping 하여 오염시킨 후 N2 Gas를 이용하여 건조하여 준비하였다. 그리고 레이저 충격파 세정 시스템은 최대 에너지 1.8 J까지 가능한 레이저를 발생하는 1,064 nm Nd:YAG 레이저를 이용하여 실험하였다. 레이져 충격파 실험은 충격파와 시편사이의 거리, gap distance와 에너지를 변환하여 세정효율을 관찰하였다. 세정효율은 세정 전후의 입자 감소량을 현광현미경 (LV-150, Nikon, Japan)를 이용하여 측정하였다. 그 결과, Trench 내부의 오염입자의 경우 Trench 밖의 오염입자에 비해 세정효율이 떨어지는 것으로 나타났으나 시편과 레이저 초점과의 거리가 가까워짐에 따라 Trench 내부의 오염입자에 대한 세정 효율을 증가시킬 수 있었다.

• Clean Technology
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• v.7 no.4
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• pp.225-242
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• 2001

Cleaning process is necessary for machining parts or manufacturing finished products in the industry. Most of domestic and foreign companies are now trying to adopt environment-friendly aqueous cleaning agents instead of CFC-113 and 1,1,1-TCE which are ozone-depleting substances. However, the aqueous cleaning system has a disadvantage due to its generation of lots of waste water since the system utilizes water in cleaning and rinsing processes. Thus, it is very important that monitoring and recycling technologies of the cleaning solution and the rinse water should be introduced in the aqueous cleaning system in order to minimize generation of waste water and to maintain its cleaning performance for a quite long time. In this paper, the cleaning agents utilized in the aqueous cleaning system and cutting oils which are main contaminants were examined and analyzed. And the monitoring and recycling technologies of the aqueous cleaning system which can be employed in the industrial fields were also reviewed and evaluated.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.11 no.4
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• pp.251-257
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• 2001

A present semiconductor cleaning technology is based upon RCA cleaning, high temperature process which consumes vast chemicals and ultra Pure water(UPW). This technology gives rise to the many environmental issues, therefore some alternatives have been studied. In this study, intentionally contaminated Si wafers were cleaned using the electrolyzed water(EW). The EW was generated by an electrolysis equipment which was composed of anode. cathode, and toddle chambers. Oxidative water and reductive water were obtained in anode and cathode chambers, respectively. In case $NH_4$Cl electrolyte, the oxidation-reduction potential(ORP) and pH for anode water(AW) and cathode water(CW) were measured to be +1050mV and 4.7, and -750mV and 9.8, respectively. For cleaning metallic impurities, AW was confirmed to be more effective than that of CW, and the particle distribution after various particle removal processes was shown to be same distribution.

• Korean Chemical Engineering Research
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• v.59 no.4
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• pp.632-638
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• 2021

With the copper interconnection in the semiconductor process, complex residues including copper oxide, fluoride, and polymeric fluorocarbon are formed by plasma etching. In this study, a cleaning solution was prepared with a component having an amine group (-NH₂) and a carboxyl group (-COOH), and the characteristics of removing post-etch residues in the copper wiring process were analyzed. In the cleaning solution containing an amine group, the length of the component substituted with nitrogen and the length of the carbon chain influenced the cleaning effect, and the etching rate of copper oxide increased as the pH of the cleaning solution increased. The activity of the amine group is in the basic region, and the activity of the carboxyl group is in the acidic region, and the cleaning process proceeds through complex formation with copper or copper oxide in each region.

• Proceedings of the Membrane Society of Korea Conference
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• 1997.10a
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• pp.129-130
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• 1997

1. 서론 : 반도체 제조공정중 wafer가공 공정에 사용되는 많은 양의 RO 초순수는 미세한 규소입자를 비롯하여 비교적 낮은 농도의 불순물을 포함하고 있으나, 현재 1차세정후 공정폐수로 전량 희석되어 폐기되고 있다. 반도체 제조공정에서 발생되는 이러한 세정폐수를 적절한 전처리와 분리막 처리를 통하여 유가물질인 Si 입자를 회수하고, 처리수를 재이용함으로써 환경오염의 감소 및 공업용수의 증대를 도모할 수 있다. 본 연구에서는 고분자 분리막을 이용하여 반도체 제조공정중 발생한 세정중의 유가물질인 Si를 회수하고, 용수를 재이용하기 위하여 한외여과용 평막을 제조하여 Si 함유 폐수에 대한 막성능을 평가하였으며, 또한 상용 tubular 및 hallow fiber막의 성능과도 비교하였다.

• Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.78-82
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• 2003

For the decomposition of laundry wastewater containing Fe-EDTA produced from the steam generators in nuclear power plants, Supercritical Water Oxidation (SCWO) Process, Photocatalytic Oxidation (PO) Process, and Dielectric Barrier Discharge (DBD) Atmospheric Pressure Plasma Process were evaluated. Even though EDTA was converted over 99.98 % by the SCWO process, it was estimated that the countermeasure against corrosion of the equipment should be reinforced for the process stability. It was considered that the PO process is not appropriate for the decomposition of high concentrated laundry wastewater since the conversion ratio of EDTA was around 10 %. Finally, High efficiency of the decomposition of organic matter (methylene blue) was obtained using DBD process even low energy was supplied. However there is still room for the evaluation of EDTA decomposition in order that the DBD process should be applied for the field samples.

• Textile Coloration and Finishing
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• v.8 no.4
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• pp.59-68
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• 1996

섬유산업에 초음파의 이용은 극히 새로운 것이 아니며, 초음파를 이용하여 시간단축과 공정개선 등에 관한 많은 문헌들도 있다. 게다가 세정과 기계분야, 안정된 분산용액의 제조에 두드러지게 활용되고 있는 기술이며, 다른 새로운 분야로도 연구확대되고 있다. 주로 세정조에 구성되어 있는 초음파발생자치는 세정효율을 높이기 때문에 응용확대가 기대된다. 특별한 장치가 필요없기 때문에 음화학반응에서 관심이 모아지고 있다. 초음파는 이제 광범위한 습식공정에 영향을 미치는 기술로 이해되고 있다. 이 자료는 이미 연구된 결과를 재조명하고 초음파를 이용하므로서 얻을 수 있는 이점에 대해서 어떤 것이 있는지에 대해 살펴보고자 한다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.25 no.6
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• pp.13-19
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• 2008