• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권5호
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• pp.6-11
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• 2011

반도체 및 LCD 세정공정에 사용된 오존수 속의 용해오존을 분해할 수 있는 시스템을 개발함으로써 향후 고성능-저가격의 반도체, LCD PR 박리 및 세정 공정에 적용할 수 있는 핵심 공정기술을 확보하였다. 이 기술을 적용하면 반도체 웨이퍼 및 LCD 평판의 PR 박리 세정 공정을 보다 빠르고 저렴한 비용으로 수행할 수 있으므로 반도체 및 LCD 공정 생산성의 향상을 꾀할 수 있다.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1996년도 제4회 하계분리막 Workshop (초순수 제조와 막분리 공정)
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• pp.149-153
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• 1996

반도체 소자 제조 공정이 고 집적화 됨에 따라 습식 세정방법에 의한 세정공정의 중요성이 더욱 증가 되어지고 있으며, 특히 그 중에서 전체 세정공정의 약 절반을 차지하고 있는 Deionised water에 의한 rinsing 공정의 경우 ultrapure water의 quality가 최근 지속적으로 향상이 되어짐에 따라 많은 발전을 자져 왔다. 일반적으로 Deionised water에 함유하고 있는 TOC(total oxidisable components), bacteria, metallic impurity, desolved oxygen cencentration, colloidal material impurity (예를 들면 Silica, oraganic substrate)등은 ultra pure water의 quality를 결정하는데 매우 중요한 factor로 작용하고 있으며, 이러한 불순물들이 반도체 제조공정중 wafer surface에 흡착되어 졌을때 여러형태의 defect들을 유발한다고 알려져 있다. 그러나 pseudommonas, flavobacterlum, alcaligene등의 기 얄려진 bacteria들의 경우 Deionised water를 supply해주는 배관의 Inner surface에 잘 흡착 되지만 고온의 water 혹은 과산화수소수($H_{2}O_{2}$) 를 이용하여 주기적으로 처리 해줌으로 인하여 이에 대한 문제점을 어느정도 최소화 시킬수 있다. 위의 두가지 방법중 전자의 경우 chemical을 사용하지 않고, 유지 및 관리가 간편하며, 용존산소량을 줄일수 있다는 점에서 장점이 있으나, 전 ultra pure water의 system이 열적으로 안정해야 하고 경제적인 문제가 수반하는 단점을 가지고 있다. 후자의 경우, 미량의 과산화수소수 (1~10,000 ppm)를 이용해 처리 해주는 방법의 경우 경제적으로 큰 장점이 있고, 처리가 단순하다는 장점이 있으나 과산화수소수 자체에 포함하고 있는 높은 impurit level, 그리고 처리후 장시간의 flushing time을 가져야 한다는 단점등이 존재 하고 있다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.25.1-25.1
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• 2009

Pattern 웨이퍼 상의 오염입자 제거는 반도체 산업의 주된 과제 중 하나이다. Pattern의 선폭이 좁아짐에 따라 Pattern에 손상을 가하지 않고 오염입자를 제거 하는 것은 더욱 어려워지고 있다. 그뿐만 아니라 기존 습식세정 공정에서의 화학액에 의한 환경오염 및 박막의 손실도 문제가 되기 시작했다. 이러한 문제를 해결하기 위해 기존 세정공정에서 화학액의 농도를 낮추고 Megasonic 등을 이용하여 세정력을 보완하는 방법들이 연구되고 있다. 하지만 습식세정의 경우 강한 화학작용으로 인한 표면 손상 및 물 반점의 문제는 여전히 이슈가 되고 있다. 이러한 단점을 극복하기 위하여 건식 세정법이 제시되고 있으며 이 중 레이저 충격파는 레이저를 집속시켜 발생된 충격파를 이용하여 입자를 제거하기 때문에 국부적인 세정이 가능하며 세정력 조절이 가능하여 손상이 세정을 할 수 있다. 그러나 Pattern의 구조에 의해 전되는 세정력의 차이가 발생하고 Trench 내부의 오염입자제거 문제점이 발생할 수 있다. 시편은 Si STI Pattern을 100 nm PSL Particle (Red Fluorescence, Duke Scientific, USA) 을 50ppm 농도로 희석시킨 IPA에 dipping 하여 오염시킨 후 N2 Gas를 이용하여 건조하여 준비하였다. 그리고 레이저 충격파 세정 시스템은 최대 에너지 1.8 J까지 가능한 레이저를 발생하는 1,064 nm Nd:YAG 레이저를 이용하여 실험하였다. 레이져 충격파 실험은 충격파와 시편사이의 거리, gap distance와 에너지를 변환하여 세정효율을 관찰하였다. 세정효율은 세정 전후의 입자 감소량을 현광현미경 (LV-150, Nikon, Japan)를 이용하여 측정하였다. 그 결과, Trench 내부의 오염입자의 경우 Trench 밖의 오염입자에 비해 세정효율이 떨어지는 것으로 나타났으나 시편과 레이저 초점과의 거리가 가까워짐에 따라 Trench 내부의 오염입자에 대한 세정 효율을 증가시킬 수 있었다.

• 청정기술
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• 제7권4호
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• pp.225-242
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• 2001

산업체에서 부품을 가공하거나 완성품을 제조하는 과정에서 세정 공정은 필수적으로 사용하고 있고 현재 국내외 대부분의 제조업체에서는 오존파괴물질인 CFC-113이나 1,1,1-TCE 대신에 보다 환경친화적인 수계 세정제로의 대체가 진행중이다. 그러나 수계 세정시스템은 세정공정이나 헹굼공정에서 다량의 물을 사용하기 때문에 많은 폐수를 발생시키는 단점이 있다. 따라서 수계 세정시스템에서는 이러한 발생을 최소화하고 세정액과 헹굼수의 성능을 오랫동안 유지시키기 위한 모니터링 기술과 재활용 기술의 도입이 긴요하다. 본고에서는 수계 세정시스템에 사용하는 세정제와 주요 오염물질인 절삭유를 조사 분석하였고 산업현장에서 도입 가능한 수계 세정시스템의 모니터링 기술과 재활용 기술 등을 분석 평가하였다.

• 한국재료학회지
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• 제11권4호
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• pp.251-257
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• 2001

반도체 소자의 고집적화에 따른 세정공정 수는 점점 증가하고 있는 추세에 있다 현재 사용되는 세정은 다량의 화학약품 및 초순수를 소비하며, 고온에서 행하여지고 있는 RCA세정을 근간으로 하고 있다. 세정공정수의 증가는 바로 화학약품의 사용량 증가를 초래하게 되며, 이에 따른 환경문제가 심각하게 대두되고 있는 실정에 이르렀다. 따라서 이러한 화학약품 및 초순수 사용을 절감하고, 저온에서 세정공정이 이뤄지는 기술이 향후 요구되어 지고 있다. 이번 연구는 이러한 관점에서 화학약품 및 초순수 사용량을 줄이며, 상온 공정이 이뤄지는 전리수를 이용하여 실리콘 웨이퍼 세정을 하였다. 제조된 전리수는 산화성 성질을 지닌 양극수와 환원성 성질인 음극수로 이루어지고, 각각 pH 및 ORP는 4.7/+1050mV, 9.8/-750mV를 30분 이상 유지하고 있었다 전리수의 양극수에 의한 금속제거 효과가 음극수의 효과보다 우수함을 확인할 수 있었으며, 다양한 입자제거 실험에도 불구하고, 동일한 분포도를 나타내고 있었다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제59권4호
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• pp.632-638
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• 2021

반도체 공정에서 구리 배선 공정의 도입에 따라 플라즈마 식각에 의해 배선의 형성과정에서 구리 산화물, 불화물 및 불화탄소 등을 포함한 복합 잔류물을 형성하게 된다. 본 연구에서는 아민기(-NH₂)와 카르복실기(-COOH)를 갖는 성분으로 세정액을 제조하여 구리 배선 공정에서의 식각 잔류물 제거 특성을 분석하였다. 아민기를 포함한 세정액은 질소에 치환된 성분 및 탄소결합의 길이에 따라 세정효과에 차이를 보이며, 세정액의 pH가 증가함에 따라 구리 산화물의 식각 속도가 증가하는 경향성을 보였다. 아민기의 활성은 염기성 영역에서, 카르복실기의 활성은 산성 영역에서 이루어지며, 각각의 영역에서 구리 또는 구리 산화물과의 complex 형성을 통하여 세정공정이 진행되었다.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1997년도 추계 총회 및 학술발표회
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• pp.129-130
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• 1997

1. 서론 : 반도체 제조공정중 wafer가공 공정에 사용되는 많은 양의 RO 초순수는 미세한 규소입자를 비롯하여 비교적 낮은 농도의 불순물을 포함하고 있으나, 현재 1차세정후 공정폐수로 전량 희석되어 폐기되고 있다. 반도체 제조공정에서 발생되는 이러한 세정폐수를 적절한 전처리와 분리막 처리를 통하여 유가물질인 Si 입자를 회수하고, 처리수를 재이용함으로써 환경오염의 감소 및 공업용수의 증대를 도모할 수 있다. 본 연구에서는 고분자 분리막을 이용하여 반도체 제조공정중 발생한 세정중의 유가물질인 Si를 회수하고, 용수를 재이용하기 위하여 한외여과용 평막을 제조하여 Si 함유 폐수에 대한 막성능을 평가하였으며, 또한 상용 tubular 및 hallow fiber막의 성능과도 비교하였다.

• 한국방사성폐기물학회:학술대회논문집
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• 한국방사성폐기물학회 2003년도 가을 학술논문집
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• pp.78-82
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• 2003

국내 원전에서 증기발생기 세정 후 발생되는 Fe-EDTA 함유 폐액 처리를 위한 초임계수 산화공정 (Supercritical Water Oxidation Process), 광촉매 산화 공정 (Photocatalyst Oxidation Process) 및 DBD 상온 플라즈마 공정 (Dielectric Barrier Discharge Atmospheric Pressure Plasma Process)이 평가되었다. 초임계수 산화 공정에 의해 99.98 %이상의 EDTA 전환율을 나타내어 EDTA 처리를 위한 효과적인 반응공정임을 확인하였으나 공정의 안정성, 부식 방지대책 등이 마련되어야 할 것으로 판단된다. 광촉매산화공정으로는 10 % 정도의 낮은 EDTA전환율을 보여 세정폐액 처리 공정으로는 부적합한 것으로 나타났다. DBD를 이용한 Methylene Blue 분해 결과 저 에너지 소비율로 높은 유기물 분해 효율을 얻을 수 있었으나 실 EDTA 공정에의 적용 및 공정 규모 확장 등에 대한 향후 연구 평가가 필요한 것으로 사료된다.

• 한국염색가공학회지
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• 제8권4호
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• pp.59-68
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• 1996

섬유산업에 초음파의 이용은 극히 새로운 것이 아니며, 초음파를 이용하여 시간단축과 공정개선 등에 관한 많은 문헌들도 있다. 게다가 세정과 기계분야, 안정된 분산용액의 제조에 두드러지게 활용되고 있는 기술이며, 다른 새로운 분야로도 연구확대되고 있다. 주로 세정조에 구성되어 있는 초음파발생자치는 세정효율을 높이기 때문에 응용확대가 기대된다. 특별한 장치가 필요없기 때문에 음화학반응에서 관심이 모아지고 있다. 초음파는 이제 광범위한 습식공정에 영향을 미치는 기술로 이해되고 있다. 이 자료는 이미 연구된 결과를 재조명하고 초음파를 이용하므로서 얻을 수 있는 이점에 대해서 어떤 것이 있는지에 대해 살펴보고자 한다.

• 한국정밀공학회지
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• 제25권6호
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• pp.13-19
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• 2008