• Journal of Plant Biology
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• 제6권3호
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• pp.6-14
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• 1963

삼배체 및 사배체 호맥종자를 중성자 및 감마선에 조사해서 파종하고 발아과정, 지상부와 지하부의 성장, 건중량의 배가 등을 조사하였다. 특히 종자함수량이 방사선감수성에 대한 역할을 관찰하였다. 사배체호맥은 이배체의 그것 보다 속중성자의 조사에 대해서 지항성이 더 강했다. 지하부는 이부체호맥에 있어서는 1120 rads, 사배체에 있어서는 1400 rads 이하인데 지하부 보다 중성자조사에 대한 감수성이 높았다. 조사량이 낮을 때는 건중량성장이 촉진되는 효과가 있었다. 종자함수량이 낮을수록 방사선감수성이 배가했으나 함수량이 28%에 달했을 때 다시 회복되어서 높아졌다. 조사시 종자함수량이 23%를 초과하였을 때에는 6 K rads의 조사량에 있어서 지하부의 신장성장이 촉진되는 현상이 나타났고 지하부의 건중량성장과 조사시의 종자함수량과의 관계는 사배체 호맥 보다는 이배체호맥이 더 큰 영향을 받는다는 사질을 보았다. 지하부의 신장량의 반감을 초래하는 조사량단위를 기준으로 할 때 N/X의 effectiveness ratio는 이배체호맥에 있어서는 약 20.0 이였고 사배체호맥은 약 18.2 였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.335-335
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• 2012

III-V 족 반도체 물질 중, GaN는 넓은 밴드갭을 가지고 있어 발광 다이오드나 레이저 다이오드, 트랜지스터, 스핀트로닉스 등의 응용에 유용한 물질이다 [1]. 실시간 성장 제어 및 최적화된 특정 소자 응용을 위해서는 GaN의 다양한 온도에 대한 유전율 함수 정보가 필수적이다. 편광분석법을 이용한 상온에서의 hexagonal GaN 유전율 함수는 이미 여러 연구에서 보고되었고, 80~650 K 사이의 온도 범위에 대한 언구도 수행되었다 [2,3]. 그러나, 온도변화에 대한 GaN 유전율 함수와 $E_0$ 전이점에 대한 해석은 부정확하다. 따라서 본 연구에서는 사파이어 기판 위에 분자살박막증착장치를 이용하여 c-축 방향 (0001)으로 성장 시킨 hexagonal GaN를 0.74~6.42 eV 에너지 구간에서 보다 확장된 온도 영역(26~693 K)의 유전율 함수를 편광분석법을 이용하여 측정하였다. 측정된 GaN의 유전율 함수를 회기분석법을 통한 2차 미분 표준해석법을 이용해 분석 하였고, 그 결과 $E_0$와 excitonic $E_0$ 전이점을 명확히 얻을 수 있었다. 온도가 감소함에 따라 격자상수 및 전자-포논 상호작용이 감소하여 전자 전이점이 청색천이 하고, 그 구조가 명확해 지는 결과를 얻었다. 본 연구의 결과는 GaN 유전율 함수의 온도 의존성에 대한 데이터베이스를 제공함은 물론, 실시간 모니터링과 GaN를 기반으로 하는 광소자 제작 등에 유용할 것이다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.370-379
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• 2020

본 연구의 목적은 분할함수 성장모형에 기초하여 초등학교 시기와 중학교 시기의 학교급 전환기를 거치는 과정에서 다문화 청소년의 학업성취 변화양상이 어떻게 나타나는지 확인하고, 이에 영향을 미치는 부모, 개인, 친구 변인을 탐색하는 것이다. 다문화청소년패널연구의 1차년도(2011년, 초4)부터 6차년도(2016년, 중3)까지의 6년 동안의 자료를 사용하여 분할함수 성장모형 분석을 하였으며, 분석 결과는 다음과 같다. 첫째, 학업성취는 초등학교 6학년 시기를 기준으로 하여 초등학교 시기(초4-초6), 중학교 시기(초6-중3)로 변화율을 다르게 추정하는 분할함수 성장모형이 무변화, 선형변화, 이차변화 성장모형보다 타당한 것으로 나타났다. 둘째, 무조건 분할함수 성장모형 분석 결과, 다문화 청소년의 학업성취는 초등학교 시기와 중학교 시기 모두 감소하는 특징이 있는 것으로 확인되었으며, 중학교 시기의 감소폭이 더 큰 것으로 나타났다. 셋째, 조건 분할함수 성장모형 분석 결과, 학업성취 초기치(초4)는 부모효능감, 자아존중감, 친구의 지지 수준이 높을수록, 방임적 양육태도, 문화적응스트레스 수준이 낮을수록 높은 것으로 나타났다. 변화율 1(초등학교 시기)에는 초등학교 4학년 시기의 자아존중감과 친구의 지지가 학업성취의 감소 패턴을 억제하는 효과가 있는 것으로 나타났으며, 변화율 2(중학교 시기)에는 초등학교 4학년 시기의 문화적응스트레스가 중학교 시기의 학업성취 감소 패턴을 증가시키는 효과가 있는 것으로 나타났다.

• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제24권2호
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• pp.411-433
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• 2015

본 연구는 거리함수에 기초한 분해분석을 활용하여 표본기간 1995년부터 2009년 한국 14개 제조업의 에너지 생산성 변화요인을 분석한다. 산출거리함수를 적용한 분해산식은 기술적 성장에 따른 생산성 성장효과를 생산요소 및 에너지 믹스와 관련된 다양한 분해요인으로 세분화하는 장점이 있으며 추정결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째 한국 제조업은 90년대 후반 이후 전반적인 에너지 생산성의 향상을 보였으며 표본기간 에너지 저소비형 산업이 경험한 경제적 성과가 핵심적인 요인으로 작용하였다. 둘째 생산프론티어의 성장을 의미하는 기술적 진보에 의한 에너지 생산성 성장이 크게 표출되었으며 효율성 개선을 통한 성장여지가 존재한다. 셋째 주요 생산요소인 노동 및 자본과 관련된 분해요인은 에너지 생산성 변화에 상호 상충된 영향을 미쳤으며 에너지 믹스에 의한 생산성 성장이 확인되었다. 다음으로 본 연구는 산업별 에너지 생산성 변화와 수출성장률의 관계를 추가적으로 분석하였으며 일부 에너지 집약 산업을 제외한 대부분의 산업부문에서 수출생산 성장률과 에너지 생산성의 성장 간 양(+)의 상관관계를 확인하였다.

• 정보처리학회논문지D
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• 제11D권3호
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• pp.597-604
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• 2004

정확한 소프트웨어 비용 추정은 개발자와 고객 모두에게 중요하다. 대부분의 비움 추정 모델들은 규모 추정으로부터 틴은 라인 수와 기능점수와 같을 규모 측도에 기반을 두고 있다. 규모 추정의 정확도는 비용 추정 정확도에 직접적으로 영향을 미친다. 이에 따라 대부분의 회귀기반 비용추정 모델들은 규모에 기반한 멱함수 형태를 적용하고 있다. 생물의 성장, 기술의 발전과 인간의 학습 능력 등 많은 성장 현상들은 S자 곡선을 따른다. 본 논문은 성장곡선을 이용하여 개발노력을 추정하는 모델을 제시하였다. 제시된 모델은 소프트웨어 규모가 증가함에 따라 소요되는 개발 비용이 성장곡선을 따른다고 가정한다. 일반적인 소프트웨어 규모 추정 기법인 기능점수, 완전기능점수와 유스케이스 점수에 기반하여 성장곡선 모델의 적합성을 검증하였다. 제안된 성장곡선 모델들은 멱함수 모델과 비교 시 상호 견줄만한 성능을 보여 소프트웨어 비용 추정분야에 석용 가능함을 보였다.

• 한국수학사학회지
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• 제23권3호
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• pp.75-90
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• 2010

함수 개념을 실제로 사용되고 있는 측면에서 분석하면 인과, 명명, 연산, 변화, 도형, 형태, 변수, 범함수, 작용소 등 적어도 9가지의 양상이 존재한다. 이러한 분석을 통하여 함수 개념은 현재 3단계로 성장해 왔다는 것이 밝혀졌다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.333-333
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• 2012

III-V 족 화합물 반도체 물질인 $InAs_xP_{1-x}$는 다양한 광전자 소자와 빠른 속도의 전자 소자로써의 사용 가능성으로 각광받고 있다. 이러한 $InAs_xP_{1-x}$를 소자 제작에 이용하기 위해서는 임의의 As 함량에 따른 InAsP 물질의 정확한 광학적 특성 분석이 필요하다. 따라서 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 구간에서 $InAs_xP_{1-x}$ ($0{\leq}{\times}{\leq}1$) 화합물의 임의의 As 함량에 따른 유전함수를 보고하고자 한다. MBE (molecular beam epitaxy)를 이용하여 InP 기판 위에 성장시킨 $InAs_xP_{1-x}$ (x = 0.000, 0.13, 0.40, 0.60, 0.80, 1.000) 박막을 타원편광분석법을 이용하여 측정하였고, 이 때 화학적 에칭을 통해 산화막 층을 제거하여 순수한 유전함수 ${\varepsilon}$을 얻을 수 있었다. 측정된 유전함수 분석은 parametric 모델을 이용하였으며, parametric 모델은 Gaussian-broadened polynomial들의 합으로서 반도체 물질의 유전함수를 정확히 기술하는 분석법이다. Parametric 모델을 통해 얻어진 각각의 변수들을 As 조성비 x에 대한 다항식으로 피팅하였고, 그 결과 임의의 조성비에 대한 $InAs_xP_{1-x}$ ($0{\leq}{times}{\leq}1$)의 유전함수를 얻어낼 수 있었다. 본 연구 결과는 물질의 실시간 성장 모니터링이나 다층구조 분석, 광소자의 제작 등에 유용한 정보로 이용될 수 있을 것이다.

• 정보처리학회논문지D
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• 제8D권4호
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• pp.409-420
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• 2001

소프트웨어 신뢰도는 소프트웨어 시스템의 매우 중요한 특성으로 테스팅 하는 동안 소프트웨어 신뢰도를 평가하기 위해 테스트 적용범위 정보를 이용하는 방법이 최근 시도되고 있다. 본 논문은 최근 문헌에 나타난 테스트 적용범위를 이용하는 소프트웨어 신뢰도 성장모델들을 검토하여 이들을 2개 부류로 분류한 다음 각각의 문제점을 논의하고 현실적 타당성을 검토한다. 더불어, 새로운 평균치 함수와 적절한 적용범위를 선택하기 위한 절차를 제안한다.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.198-202
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• 1994

Zn0.5Mg0.5Te 및 Zn0.5Mg0.5Te:Co 단결정을 온도진동법을 응용한 화학수송법으로 성장시켰고, 광 학적 energy gap의 온도의존성은 Varshni의형식에 잘 적용되었다. 광학적 energy gap의 온도의존성으 로부터 열역학 기본함수인 entropy, enthalpy, heat capacity를 구했다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.225-225
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• 2010

적외선 영역에서의 밴드갭 에너지를 가지고 있는 III-V 족 화합물 반도체 물질인 $InAs_xSb_{1-x}$는 좋은 성장 안정성과 높은 전자, 홀 이동도를 가지며, 제작 비용이 적게 드는 등 적외선 광소자 제작에 많은 이점을 가지고 있기 때문에 그에 관한 연구가 최근 활발히 진행 되고 있다. 하지만 이러한 $InAs_xSb_{1-x}$를 소자 제작에 이용하기 위해서는 임의의 As 함량에 따른 InAsSb의 물질의 광학적 특성 정보가 필요하다. 본 연구에서는 1.5~6.0 eV 에너지 구간에서 $InAs_xSb_{1-x}$ ($0{\leq}x{\leq}1$) 화합물의 임의의 As 함량에 따른 유전함수를 분석하고 그 분석 변수들을 보고하고자 한다. 기성박막층착장치 (molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판 위에 성장 시킨 $InAs_xSb_{1-x}$ (x = 0.000, 0.127, 0.337, 0.491, 0.726, 1.000) 박막의 순수한 유전함수 $\varepsilon$을 화학적 에칭을 통해 산화막 층을 제거하여 타원편광분석법을 이용하여 얻었다. 측정된 유전율 함수는 Gaussian-broadened polynomial 들의 합으로서 반도체 물질의 유전함수를 정확히 기술하는 변수화 모델을 이용하여 재현하였다. 변수화 모델을 통해 얻어진 각각의 변수들을 As 조성비 x 에 대한 다항식으로 피팅하여 임의의 As 조성비에 대한 변수 값을 얻었다. 그 결과 임의의 조성비에 따른 $InAs_xSb_{1-x}$ ($0{\leq}x{\leq}1$) 의 유전율 함수를 얻어낼 수 있었다. 우리는 이러한 결과가 물질의 실시간 성장 모니터링이나 다층구조 분석, 광소자의 제작 등에 유용한 정보를 제공할 것으로 확신한다.