• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.11a
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• pp.181-181
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• 2007

PTCR 세라믹스를 적층형 부품으로 제조할 경우 소형화, 저 저항화 및 과전류 유입 시 빠른 응답특성을 갖는다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 적층형 부품제조시에는 내부전극재가 부품소자의 물성에 중요한 영향을 미친다. 특히 우수한 옴성 접촉(Ohmic Contact)을 갖는 Zn, Fe, Sn, Ni 등의 적층 PTC용 전극재는 높은 산화특성으로 인해 재산화 과정에서의 비옴성 접촉(Non-ohmic contact)을 갖게 되어 PTC 특성을 저하시킬 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 적층형 PTCR 세라믹스의 내부전극재와 반도체 세라믹층의 동시소성거동 및 적층 PTCR 세라믹스의 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에 적용된 내부전극재로는 Ni 전극을 사용하였고, Ni 전극용 paste로는 무공제 paste, 반도체 세라믹공제 paste, $BaTiO_3$ 공제 paste의 3종 전극재가 이용되었다. 적층형 PTCR 세라믹스의 제조공정은 테이프 캐스팅(Tape casting), 내부전극인쇄, 적층 및 동시소성을 포함하는 적층화공정을 적용하였다. 각각의 전극 paste를 적용하여 제조된 chip은 미세구조관찰, I-V특성, R-T특성 등을 평가하여 내부전극내 세라믹공제의 영향을 고찰하였다.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.50 no.1
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• pp.63-69
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• 2013

Negative-temperature coefficient (NTC) thermistors based on nickel manganite spinel ($NiMn_2O_4$) are widely used for many applications, such as sensors and temperature compensators, due to their good thermistor characteristics and stabilities. However, to achieve thermistors with a high NTC B constant, which is an important figure of merit pertaining to the degree of temperature sensitivity, the activation energy should be high such that high resistivity at ambient temperatures results. To obtain a high B constant and low resistivity, Al and Si modified spinel structured $Ni_{0.6}Si_{0.2}Al_{0.6}Mn_{1.6}O_4$ hybrid thick films with the conducting metal oxide of $LaNiO_3$ were fabricated on a glass substrate by aerosol deposition at room temperature (RT). The NTC-$LaNiO_3$ hybrid thick films showed resistivity as low as < $100k{\Omega}\;cm$ at $90^{\circ}C$, which is one or two orders of magnitude lower than that of the monolithic NTC films, while retaining a high B constant of $NiMn_2O_4$ of over 5500 K when 20 wt% $LaNiO_3$ was added without a post-thermal treatment. These phenomena are explained by the percolation threshold mechanism.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.37 no.2
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• pp.164-168
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• 2024

(La_0.7Sr_0.3)(Mn_1-xFe_x)O₃ (LSMFO) (x = 0.03, 0.06, 0.09, 0.12) precursor solution are prepared by sol-gel method. LSMFO thin films are fabricated by the spin-coating method on Pt/Ti/SiO₂/Si substrate, and the sintering temperature and time are 800℃ and 1 hr, respectively. The average thickness of the 6-times coated LSMFO films is about 181 to 190 nm and average grain size is about 18 to 20 nm. As the amount of Fe added in the LSMFO thin film increased, the resistivity decreased, and the TCR and B_25/65-value increased. Electrical resistivity, TCR and B_25/65-value of the (La_0.7Sr_0.3)(Mn_0.88Fe_0.12)O₃ thin film are 0.0136 mΩ-cm, 0.358%/℃, and 328 K at room temperature, respectively. The resistivity properties of LSMFO thin films matched well with Mott's VRH model.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.16 no.12
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• pp.8306-8313
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• 2015

Open-type current sensors have been commonly used for DC motor controller, AC variable controller and Uninterruptible Power Supply. Recently they have begun to be used more widely, as the growth of renewable energy and smart-grid in power system. Considering most of the open-type current sensors are imported, developing the core technology needed to produce open-type current sensors is required. This paper describes the development and test results of open-type current sensors. Design of C type magnetic core, selection and test of a Hall sensor, design of current source circuit and signal conditioning circuit are described. 100A class DIP(Dual In-line Package) type and SMD(Surface Mount Devide) type open-type current sensors was made and tested. Test results show that the developed open-type current sensor satisfies the accuracy requirement of 2% and linearity requirement of 2% at 100 A of DC and AC current of 60Hz. Temperature compensation was carried out by using a temperature compensation circuit with NTC(Negative Temperature Coefficient) thermistor and the effect of the temperature compensation are described.

• MALSORI
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• no.31_32
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• pp.173-193
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• 1996

불어의 "묵음 e(e muet)"에 대한 정의를 내리기는 매우 까다롭다. 불어에서 "e"가 "묵음 e(e muet)"로 불리우는 이유는 "e"가 흔히 탈락되기 때문이다. 현재 "e muet"는 다음 발화체에서 볼 수 있듯이 열린음절에서만 나타난다. "Je/le/re/de/man/de/ce/re/por/ta/ge/." [omitted](나는 그 리포트를 다시 요구한다. : 이 경우 실제 발화시 schwa 삭제 규칙이 적용된다.) 둘째, 접두사에 나타나는 "e muet"는 s의 중자음 앞에서 s가 유성음, [z]로 발음되는 것을 막기 위해 쓰인다. "ressembler[omitted](닮다); ressentir[omitted](느끼다)" 같은 경우, 셋째, 몇몇 낱말의 경우 고어의 철자가 약화되어 "e muet"로 발음이 되고 있다. "monsieur[$m{\partial}sj{\emptyset}$](미스터), faisan[$f{\partial}z{\tilde{a}}$](꿩), faisait[$f{\partial}z{\varepsilon}$]("하다"동사의 3인칭 단수 반과거형)"등. 또 과거 문법학자들은 이를 "여성형의 E"로 불렀는데, 이는 형태론적으로 낱말의 여성형을 남성형과 구분짓기 위해 사용되고 있기 때문이기도 하다. 예를 들어, "$aim{\acute{e}}-aim{\acute{e}}e$"(발음은 둘 다 [${\varepsilon}me$]로 동일하다 : 사랑받다)의 경우. 현대불어의 구어체어서 "e muet"는 어말자음을 발음하기 위해 쓰이고 있다. 예를 들어, "pote[pot](단짝)-pot[po](항아리)". 이러한 "e muet"는 발음상으로 지역적, 개인적 및 문맥적 상황에 따라 그 음색 자체가 매우 불안정하며 여러 가지 음가(열린 ${\ae}$ 또는 닫힌 ${\O}$)로 나타난다. 예를 들어 "seul[$s{\ae}l$](홀로), ceux[$s{\O}$](이것들)"에서와 같이 발음되며, 또한 원칙적으로 schwa, [${\partial}$]로 발음이 되는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우, Paris 지역에서는 "Je sais[${\Im}{\ae}{\;}s{\Im}$](나는 안다); Prends-le[$pr{\tilde{a}}{\;}l{\ae}$](그것을 집어라)"로 발음을 하는 한편, 프랑스 북부 지방세서는 동일한 발화체를 [${\ae}$]대신에 [${\o}$]로 발음한다. 실제로 언어학적 측면에서 고려되는 "e muet"는 schwa로 나타나는 "Je[$\Im\partial$]"와 "le[$l{\partial}$]"의 경우인데, 불어 음운론에서는 schwa에 의해 대립되는 낱말짝이 없기 때문에 schwa를 음소로 인정할 것인가에 대해 논란이 있다. 그러나 불어에서 schwark 음운론적 역할을 한다는 사실은 다음과 같은 예에서 찾아 볼 수 있다. 첫째, 발음상으로 동사의 변화형에서 "porte[$p{\jmath}rte$](들다: 현재형), porte[$p{\jmath}rte$](과거분사형), porta[$p{\jmath}rte$](단순과거형)"등이 대립되며, 이휘 "Porto[$p{\jmath}rte$](포르토)"와도 대립된다. 둘째, 어휘적 대립 "le haut[$l{\partial}o$](위)/l'eau[lo](물)"와 형태론적 대립 "le[$l{\partial}$](정관사, 남성단수)/les[le](정관사, 복수)"등에서 "묵음 e"는 분명히 음운론적 역할을 하고 있다. 본 논문에서는 이와 같이 음색이 복잡하게 나타나는 "e muet"의 문제를 리듬단위, 문맥적 분포 및 음절모형 측면, 즉 음성학 및 음운론적 측면에서 다양하게 분석하여 그 본질을 규명해 보고 "e muet"탈락현상을 TCG(Theorie de Charme et de Gouvernement) 측면에서 새롭게 해석해 보았다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.11 no.7
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• pp.2549-2558
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• 2010

A Remote Vital Sign Monitor is an in-home healthcare system designed to wirelessly monitor core-body temperature. The Remote Vital Sign Monitor provides accuracy and features which are comparable to hospital equipment while minimizing cost with ease-of-use. It has two parts, a bandage and a monitor. The bandage and the monitor both use the Chipcon2430(CC2430) which contains an integrated 2.4GHz Direct Sequence Spread Spectrum radio. The CC2430 allows Remote Vital Sign Monitor to operate at over a 100-foot indoor radius. A simple user interface allows the user to set an upper temperature and a lower temperature that is monitored with respect to the core-body temperature. If the core-body temperature exceeds the one of two defined temperatures, the alarm will sound. The alarm is powered by a low-voltage audio amplifier circuit which is connected to a speaker. In order to accurately calculate the core-body temperature, the Remote Vital Sign Monitor must utilize an accurate temperature sensing device. The thermistor selected from GE Sensing satisfies the need for a sensitive and accurate temperature reading. The LCD monitor has a screen size that measures 64.5mm long by 16.4mm wide and also contains back light, and this should allow the user to clearly view the monitor from at least 3 feet away in both light and dark situations.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.35 no.5
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• pp.499-503
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• 2022

La_0.7Sr_0.3MnO₃ precursor solution were prepared by a sol-gel method. La_0.7Sr_0.3MnO₃ thin films were fabricated by a spin-coating method on a Pt/Ti/SiO₂/Si substrate. Structural and electrical properties with the variation of sintering temperature were measured. All specimens exhibited a polycrystalline orthorhombic crystal structure, and the average thickness of the specimens coated 6 times decreased from about 427 nm to 383 nm as the sintering temperature increased from 740℃ to 830℃. Electrical resistance decreased as the sintering temperature increased. In the La_0.7Sr_0.3MnO₃ thin films sintered at 830℃, electrical resistivity, TCR, B-value, and activation energy were 0.0374 mΩ·cm, 0.316%/℃, 296 K and 0.023 eV, respectively.