• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제4권2호
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• pp.175-184
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• 1991

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.27.2-27.2
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• 2009

현재 질화물 계 발광다이오드는 액정소자의 백라이트유닛, 모바일폰, 차량용램프, 교통신호등 등 다양한 장치의 광원으로 사용되고 있으며, 그 응용분야는 앞으로도 크게 확대되는 추세에 있다. 이는 발광다이오드의 저전력, 장수명, 친환경적인 장점에 의한 것으로, 일반 조명용 광원으로 사용하기 위한 기술개발이 활발히 진행 중이다. 하지만 질화물 계 발광다이오드를 미래의 조명용 광원으로 사용하기 위해서는 광출력이 보다 향상되어야 한다. 발광다이오드의 광출력을 저하시키는 요인으로는 다양한 문제점이 있지만 특히 낮은 광추출특성으로인한 광출력저하 문제를 해결해야 한다. 본 연구에서는 질화물 계 발광다이오드의 광추출특성을 향상시키기 위해서 나노임프린트 리소그래피 공정을 도입하였다. UV 나노임프린트 리소그래피 공정을 통해서 p형 질화갈륨 및 인듐주석산화물 투명전극 층에 sub-micron 급 광결정패턴을 형성하였으며, 광루미네선스와 전기루미네선스 측정을 통하여 광결정패턴으로 인한 광출력 특성을 분석하였다.

• 한국분무공학회지
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• 제21권1호
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• pp.53-57
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• 2016

The present study aims to experimentally investigate the evaporative heat transfer characteristics of Oxi-nitriding SPCC surface. Moreover, the heat transfer coefficient was examined with respect to surface temperature during droplet evaporation. In fact, the nitriding surface showed significant enhancement for anticorrosion performance compared to bare SPCC surface but the thermal resistance also increased due to the formation of compound layer. From the experimental results, the evaporative behavior of sessile droplet on nitriding surface showed similar tendency with the bare surface. Total evaporation time of sessile droplet on the nitriding surface was delayed less than 5%. The difference in heat transfer coefficient increased with the surface temperature, and the maximum difference was estimated to be around 11% at $80^{\circ}C$ surface. Thus, this nitriding surface treatment method could be useful for seawater heat exchanger industries.

• 자동차안전학회지
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• 제7권2호
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• pp.19-24
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• 2015

Ferritic Nitro Carburizing (FNC) cast iron brake discs is known to improve corrosion resistance and brake creep groan noise as well as prevent corrosion-induced pulsation. But, it is necessary to treat honing machining on braking surface to avoid grinding noise during braking.

• 한국재료학회지
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• 제9권12호
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• pp.1170-1175
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• 1999

반도체 폐 Si슬러지를 이용하여 질화반응 및 post-sintering을 통해 제조된 질화규소세라믹의 미세조직 및 기계적 특성을 광학현미경, SEM 및 XRD를 이용하여 연구하였다. 상당량의 $SiO_2$ 비정질상을 포함하는 폐 Si분말에서 많은 microcracks이 관찰되었다. 폐 슬러지를 사용한 Si 성형체의 질화율은 상용되고 있는 Si분말을 이용한 성형체의 값에 비해 낮은 값을 보였다. 그러나 질화온도가 증가함에 따라 질화율은 증가하였으며 1470$^{\circ}C$에서 질화율은 98%를 보였다. 반응소결체내에 존재하는 $Si_3N_4$의 결정은 ${\alpha}$와 ${\beta}$상으로 혼재되어 있으며 상당량의 산질화규소상이 검출되었다. 1950$^{\circ}C$에서 후처리된 시료의 최대파괴인성 및 파괴강도 값은 각각 5.6 $^MPa{\cdot}m^{1/2}$과 497 MPa로 H. C. Starck사의 Si을 이용한 것에 비해 낮은 값을 보였으며 이는 산질화규소 형성에 기인한 것으로 사료된다.

• 한국분무공학회지
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• 제24권4호
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• pp.203-208
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• 2019

In general, the oxi-nitriding method is well known as such a surface treatment way for substantial enhancement in corrosion resistance, even comparable to that of titanium. However, there are still lacks of information on thermal performance of the oxi-nitriding surface being of additional compound layers on the base substrate. Above all, the quantitative measurement of its thermal performance still was not evaluated yet. Thus, the present study experimentally measures the thermal resistance of the oxi-nitriding surface during droplet evaporation and then estimates heat transfer performance with the use of the onedimensional heat transfer model in vertical direction. From the experimental results, it is found that the total evaporation time slightly increased with the thermal resistance caused by the oxi-nitriding layer, showing a maximum difference of approximately 20% with that of the bare surface. Although the heat transfer performance of oxi-nitriding surface became slightly lower than that of the bare surface, the oxi-nitriding surface exhibits much better heat transfer performance compared to titanium.

• 미생물과산업
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• 제14권3호
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• pp.16-20
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• 1988

암모니아를 아질산또는 질산으로 산화시키는 과정인 질화작용(nitrification)은 암모니아와 함께 또 하나의 식물및 미생물에 대한 질소원인 질산의 농도를 증사시켜 생물의 생장을 뒷받침하기도 하나(Fenchel and Blackburn, 1979) 생물체의 질소원에 있어서 세가지의 불이익을 초래하기도 한다. 질산은 암모니아와는 달리 토양이나 저질토(sediment)의 cation exchange site에 흡착되지 않으므로 쉽게 손실된다(Greenland, 1958). 또 무산소상태에서는 탈질화과정 (denitrification)에 의하여 기체질소로 환원되어 생태계내에서 사라진다 (Broadbent and Clark, 1965). 끝으로 질산태의 질소가 생물체내의 질소의 주 형태인 아미노산의 질소로 되기 위해서는 암모니아로 환원되어야 하므로 질산의 동화는 상대적으로 많은 에너지를 필요로한다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2008년도 추계학술대회 초록집
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• pp.38-38
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• 2008

질화갈륨계 발광다이오드는 차세대 반도체 조명용 및 기타 광전소자 등에의 응용 가능성 때문에 주목을 받고 있다. 본 발표에서는 발광다이오드용 In/ITO 전극이 p-형 질화갈륨과 열처리 후 오믹접촉을 이루는 메커니즘을 설명한다.

• 한국식품과학회지
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• 제31권6호
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• pp.1453-1457
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• 1999

항산화 및 항암 작용이 있는 것으로 알려진 conjugated linoleic acid(CLA)를 식물성 유지로부터 알칼리 이성질화에 의해 고 농도의 CLA 농축물을 얻기 위한 최적 조건을 연구하였다. 지방산 조성이 상이한 식물성 유지를 알칼리 이성질화 하였을 때 CLA 생성량은 유지중 linoleic acid 함량이 많은 것이 가장 높았다. 홍화유를 알칼리 이성질화할 때 KOH 농도는 $8{\sim}11%$, 가열온도는 $180{\sim]185^{\circ}C$에서 cis-9, trans-11 CLA와 총 CLA 생성량이 가장 높았고, 가열시간은 CLA 생성량에 큰 영향을 미치지는 않았으나 $20{\sim}40$분이 가장 적당하였다. 홍화유를 silicic acid column chromatograph)에 의해 중성, 당 및 인지방질의 lipid class를 분획하여 알칼리 이성질화를 시켰을 때 중성지방질의 획분에 CLA가 가장 많이 함유되었다. 알칼리 이성질화시킨 홍화유를 요소처리와 HPLC 분획에 의해 95.4%의 CLA 농축물을 얻을 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제11권5호
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• pp.224-230
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• 2001

초박막 게이트 유전막 및 비휘발성 기억소자의 게이트 유전막으로 연구되고 있는 $NO/N_2O$ 열처리된 재산화 질화산 화막의 특성을 D-SIMS(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry), ToF-SIMS(Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry), AES(Auger Electron Spectroscopy)으로 조사하였다. 시료는 초기산화막 공정후에 NO 및 $N_2O$ 열처리를 수행하였으며, 다시 재산화공정을 통하여 질화산화막내 질소의 재분포를 형성토록하였다. 재산화에 있어서 습식산화시 공정에 사용된 수소에 의한 영향으로 계면 근처에 축적된 질소가 Si≡N 결합을 쉽게 이탈함에 따라 방출이 촉진되어 건식산화에 비하여 질소의 감소가 더욱 두드러지게 나타났다. 재산화에 따른 질화산화막내 질소의 거동은 외부로의 방출과 기판으로의 확산이 동시에 나타난다. 재산화후 질화산화막내 축적된 질소의 결합종을 분석한 결과, 초기산화막 계면근처의 질소는 SiON의 결합종이 주도적으로 나타나는 반면 재산화 후 새롭게 형성된 $Si-SiO_2$ 계면근처로 확산한 질소는 $Si_2NO$ 결합종이 주로 검출된다. SiON에 의한 질소의 미결합손과 $Si_2$NO에 의한 실리콘의 미겨랍손은 기억특성에 기여하는 결함을 포함하기 때문에 재산화 질화산화막내 존재하는 SiON과 $Si_2$NO 결합종은 모두 전하트랩의 기원과 관련된 결합상태로 예상된다.