• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2003년도 춘계전력전자학술대회 논문집(2)
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• pp.565-568
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• 2003

The conventional analog-based firing circuit can be implemented by comparing a linearly decreasing periodic sawtooth waveform synchronized to the ac line, with a voltage corresponding to the desired converter delay angle. This circuit requires a large number of components (resistance and capacitor) and careful adjustment of the synchronization circuity In this paper a novel firing circuit is proposed for thyristor switch is elements. The proposed circuit is implemented on the basis of the analog cosine method using FPGA and microprocessor.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.243-246
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• 2001

In this paper, we have proposed a novel trench electrode Base Resistance Thyristor(BRT) and trench electrode BRT with a intrinsic region. A new power BRTs have shown superior electrical characteristics including snab-back effict and forward blocking voltage more than the conventional BRT. Especially, the trench electrode BRT with intrinsic region has obtained high blocking voltage of 1600V. The blocking voltage of conventional BRT is about 400V at the same size. Because the breakdown mechanism of BRT is avalanch breakdown by impact ionization, the trench electrode BRT with intrinsic region has suppressed impact ionization, effectively. If we use this principle, we can develope super high voltage power devices and applicate to another power devices including IGBT, EST and etc.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.300-303
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• 2003

The design rule for 8.5kV LTT was discussed here. An inherent integrated breakover diode (BOD) for self -protection function and multi-amplified gate (AG) for improved di/dt capability of LTT was introduced in principle. The trade-off between light triggering input source and high dV/dt limitation has been treated via narrow grooved P-base for gate design. Key process technology for LTT was given, too.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권3호
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• pp.167-172
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• 1999

The device characteristics of the base resistance controlled thyristor with self-align corrugated p-base is demonstrated for the first time with varying the n+ cathode width and the temperature form room temperature to $125^{\circ}C$. The experimental results show that the snap-back in the CB-BRT is significantly suppressed irrespective of the various n+ cathode width and the temperature as compared with that of the conventional BRT. The maximum controllable current of the CB-BRT is uniformly higher when compared with that of the conventional BRT over the temperature range from room temperature to $125^{\circ}C$.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권12호
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• pp.567-572
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• 2005

Recently, application area of the thyristor is extends to power conversion systems, such as HVDC, BTB, SVC and FACTS. Therefore, reliability diagnostic technique on thyristor is needed to obtain stability and maintenance of power conversion systems. To measure the characteristics of the thyristor, test equipments which based on IEC 747-6 and KS C 7023 standard are needed. In this paper, we presents the design and manufacture of the test equipments for 6.5kV/4.2kA thyristor which used in thyristor valve of HVDC conversion systems by using test standard. Voltage, current, dv/dt and turn-off time test equipments were designed and manufactured. Each systems were made separately, but unity operation can possible.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2004년도 추계학술대회 논문집
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• pp.22-26
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• 2004

대용량 동기 발전 전동기 운전에는 주로 사이리스터를 이용한 정지형 주파수 변환장치(SFC : static Frequency Converter)시스템이 널리 사용되고 있다. 본 논문에서는 기술적인 언급이 거의 되어있지 않은 회생제동 시스템의 개선된 제어 알고리즘을 제시하였다. 기술적 언급이 없기 때문에 실제 구동되고 있는 양수 발전소의 실측 파형을 분석하여 알고리즘을 도출하였으며 기존의 회생제동 제어에서 사용되었던 전압센서가 필요 없게 되어 경제적인 절감 효과를 유발하고 또한 제어요소의 간략화로 제어의 강인성을 확보하였다. 그리고 실험을 통하여 실효성 및 타당성을 검증하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2005년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.166-169
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• 2005

대용량 동기 발전 전동기 운전의 기동용 시스템으로 주로 사이리스터를 이용한 정지형 주파수 변환(SFC : Static Frequency Converter) 시스템이 사용되고 있다. 본 논문에서는 SFC시스템의 기동부터 회생까지 파형을 5KVA급 동기 전용 발전기 모의실험을 통하여 제시하고 330MVA급 양수 발전소의 실측 파형을 분석하여 알고리즘을 도출하였으며 또한 시뮬레이터 파형과 실제 파형을 비교해 함으로써 양수발전소의 제어 시스템의 운전특성을 유추 및 분석하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2013년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.516-517
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• 2013

신재생 에너지의 비중 확대와 보급이 늘어남에 따라, 국가 간, 도시 간의 송전이 중요한 이슈로 대두 되고 있다. 위와 같은 요구 조건을 만족시키기 위해서 초고압 직류 송전의 개발이 필요하다. 초고압 직류송전(HVDC)에는 전류형과 전압형으로 나뉘는데. 각 HVDC에서 사용되는 Valve는 실제 운전 전에 여러 가지 방법으로 검증이 필요하다. 합성 시험회로 설비(Synthetic Test Circuit = 이하 STC)는 전류형 HVDC에서 사용되는 주요 전력변환 장치로, Thyristor Valve의 동작을 실제 동작 조건에 맞추어 동작을 시켜, 동작의 신뢰성을 검증하는 시험 설비이다. 본 논문에서는 전류형 HVDC Valve의 Operational Test를 위한 STC의 보호기능에 대해 기술하고 있다. 합성시험회로는 2상 초퍼와 6 펄스 사이리스터 컨버터를 사용하였고 설계된 보호기능은 PSCAD를 사용하여 검증하였다. HVDC Valve Operational Test시 합성시험회로 내에서 발생할 수 있는 사고 상황을 상정하고 그에 따른 보호 기능을 모의하였다.

• 전기의세계
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• 제42권3호
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• pp.28-36
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• 1993

전력용 반도체 소자는 과거 전력 다이오드, 바이플라 전력 트랜지스터 및 사이리스터 중심의 시장구성이 80년대에 들어와 전력 MOSFET와 IGBT의 지속적인 기술 발전에 힘입어 92년 전력용 반도체소자 전체 시장 45억불의 53%에 해당하는 24억불을 전력 MOSET, IGBT, 바이플라 전력 트랜지스터가 시장을 구성하고 있으며 연간 10% 이내의 지속적인 성장이 예고되고 있다. 또한 전력 MOSFET, IGB는 개별 전력소자로서의 역할뿐만 아니라 논리회로 혹은 고성능 아나로그회로와 동일 칩상에서 모노리틱 형태로 집적화되는 스마트 전력 집적회로의 출현에 중요한 영향을 미쳤으며 스마트 전력 집적회로로의 출력단 소자에 응용되어 파워부하의 구동 및 제어의 기능을 하고 있다. 이러한 전력용 반도체소자의 기술발전은 전력 전자 산업의 핵심 반도체소자로써 전력전자 시스템, 각종 전자기기 및 가전제품에 응용되어 이들 응용제품 및 시스템의 고급화, 지능화, 소형경량화에 크게 기여하고 있다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권7호
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• pp.358-363
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• 2004

A new 600 V dual gate transistor employing thyristor action, which incorporates floating PN junction and trench gate IGBT, is proposed to improve the forward current-voltage characteristics and the short circuit ruggedness. Our two-dimensional numerical simulation shows that the proposed device exhibits low forward voltage drop and eliminates the snapback phenomena compared with conventional trench gate IGBT and EST The proposed device achieves high current saturation characteristics by separating floating N+ emitter and cathode. The proposed device achieves low saturation current value compared with conventional devices, and the short-circuit ruggedness is improved. The proposed device may be suitable for the use of high voltage switching applications.