In this study, An active band grass filter for 2.14GHz have been designed with MMIC using negative resistance circuit. The negative resistance element was realized with a common-drain FET with series inductive feedback. The designed active filter showed an insertion loss of 0dB at 2.14GHz and a 3-dB bandwidth of 125MHz.
In designing the high frequency oscillator with FET, it may be necessary to make the FFT unstable using feedback. For convenient realization, sir feedback type is usually employed. It is convenient to determine the load which makes oscillation possible, with the contour plot of the negative resistance of the FET positively feedback for each type. Analytic formulas are given for this contour plot in this paper, and the results are discussed.
본 연구는 1V 미만의 전원 전압에서 저 위상잡음 동작에 적합한 혼성 평형 전압제어 발진기 회로를 제안한다. 제안한 회로의 개별 반 회로에서는 바렉터 통합형 궤환 커패시터를 사용한다. 바렉터 통합형 궤환 커패시터의 사용으로 인해 발진기 탱크회로내의 부성저항이 더욱 증가되며 이는 1V 미만 전원전압에서도 발진기의 안정된 발진시동을 보장한다. 또한, 본 연구에서는 이러한 부성저항의 증가 현상을 이론적으로 해석한다. $0.18{\mu}m$ RF CMOS 기술을 사용한 시뮬레이션 결과는 발진 주파수 4.87GHz의 1MHz 오프셋에서 0.6 V에서 0.9 V 사이의 전원 전압에 걸쳐 -122.4 dBc/Hz에서 -125,5 dBc/Hz까지의 위상잡음을 나타냄을 보여준다.
본 논문에서는 트랜지스터를 이용해서 이득을 갖는 능동 대역 통과 필터, 부성저항 특성을 갖는 능동 공진기를 이용한 능동 공진 발진기를 설계 제작하였다. 제안된 능동 공진 발진기는 ISM 대역의 국부 발진기로 사용 가능하도록 5.5GHz의 발진주파수를 갖도록 설계하였다. 설계된 능동 공진 발진기는 유전율 3.38, 유전체 두께 0.508mm, 금속 두께 0.018mm인 기판 위에 구현하였다. 이득을 갖는 능동 대역 통과 필터를 이용한 능동 공진 발진기는 5.6GHz의 발진주파수와 -2Bm의 출력과 100kHz 옵셋에서의 위상잡음 특성은 -81dBc/Hz이다. 부성저항 특성을 갖는 능동 공진기를 이용한 능동 공진 발진기는 5.8GHZ의 발진주파수와- 4dBm의 출력과 100kHz 옵셋에서의 위상잡음 특성은 -91dBc/Hz이다.
본 논문에서는 필터 설계시 고려해야 될 주요 항목 중 하나인 성능인자 권장값을 만족시키기 위해 단극 발전기의 내부인자 값을 필터 설계에 반영하는 새로운 평활필터 설계방법을 제안한다. 이 방법은 감쇄용 저항을 배제시킴으로서 평활필터의 효율증대 및 소형화를 기한다. 그리고 성능인자와 함께 공진주파수도 함께 고려함으로서 부성저항 특성을 갖는 고승압 변환기 등을 적용한 시스템의 안정성을 증대시킨다.
SCR에서도 anode 전류가 미소(약수 10mA∼수100mA이내)할때에는 게이트 전fur을 조정하므로써 anode전류를 조절할수 있다. 이를 이용하여 cathode 각로에 적당치의 저항을 삽입하여 게이트 회로에 부성저항특성을 나타내게 할 수 있고 간단한 정형파 발진회로를 만들었다.
HID 램프란 High Intensity Discharge Lamps의 약어로서 고압방전램프라 하고, 대규모 공간의 조명이 필요한 공공시설, 산업시설, 상업시설 이외에 스포츠 시설 등 폭넓은 용도에 대응하고 있다. HID 램프는 부성저항 특성으로 인하여 직접 전원에 접속하기 때문에 램프 전류가 흐르게 되면 급격히 전류가 증가하여 전류의 흐름이 매우 불안하게 된다. 따라서 이것을 안정시키기 위하여 전원과 램프사이에 전류 제한장치인 안정기(Ballast)로 램프 전류를 적절하게 제어할 필요가 있다. 본 고에서는 HID 램프에 관한 열화요인과 이에 대한 수명의 관계를 중심으로 논한다.
HID 램프란 High Intensity Discharge Lamps의 약어로서 고압 방전램프라 하고, 대규모 공간의 조명이 필요한 공공시설, 산업시설, 상업시설 이외에 스포츠 시설 등 폭넓은 용도에 대응하고 있다. HID 램프는 부성저항 특성으로 인하여 직접 전원에 접속하기 때문에 램프 전류가 흐르게 되면 급격히 전류가 증가하여 전류의 흐름이 매우 불안하게 된다. 따라서 이것을 안정시키기 위하여 전원과 램프사이에 전류 제한장치인 안정기(Ballast)로 램프전류를 적절하게 제어할 필요가 있다. 본 고에서는 안정기를 구성하는 구성 재료와 부품이 사용 중에 주로 영향을 받는 것으로 생각되는 열화요인과 이에 대한 수명의 관계를 중심으로 안정기의 수명에 대해서 논하고자 한다.
A new active resonator using defected ground structure with islands (DGSI) is proposed. The proposed resonator is composed of the conventional microstrip line with DGSI and negative resistance of active devices. The negative resistance part is realized by field effect transistor (FET) series feedback circuits. The characteristic of the proposed resonator with DGSI is improved by combining the negative resistance part with the parallel microstrip line structure with islands, where the electric field is formed the most strongly. The measured improvement of the proposed active resonator with DGSI are 4.55dB and 0.32dB in S21 and S22, respectively, at the resonant frequency whorl it is compared to the existing passive resonator having DGSI only.
In this paper, the electrical conduction phenomena of oriented polypropylene film were studied. Especially, as for the range of negative characteristics, it is observed that as increasing ambient temperature, the characteristics are shifted gradually towards the low intensity side of applied field with the decreasing width of the range as well as the fact that the currant oscillation takes place at the both transition points of the characteristics and that the point at the place the dielectric breakdown, occurs. Finally, it is also suggestive that the oscillation characteristics observed on the negative resistance range of the biaxially oriented specimen show the possibility to utilize it as active element materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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