• 공업화학
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• 제18권3호
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• pp.213-217
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• 2007

본 연구에서는 유전체장벽방전을 이용하여 휘발성 유기화합물의 일종인 벤젠의 분해 경향과 분해 생성물의 선택성에 대해서 연구하였다. 유전체장벽방전의 공정변수에 따른 벤젠의 분해율과 분해 생성물의 선택성을 높이기 위해서 반응기 내부에 촉매(H-ZSM-5, Na-Y)를 사용하였다. 실험은 대기압에서 수행하였으며, 방전전압, 체류시간, 농도 등의 공정변수에 따른 분해율을 조사하였다. 유전체 장벽방전만을 사용하는 방법과 비교하여 여기에 촉매를 동시에 사용하는 하이브리드 방전이 같은 전압과 체류시간조건에서 보다 효과적인 벤젠의 분해 방법임을 확인하였다.

• 전기화학회지
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• 제24권1호
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• pp.7-12
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• 2021

본 연구에서는 산업에서 많이 이용되는 알루미늄 3104H18 금속을 양극산화하여 다공성 나노구조 및 나노섬유 구조의 알루미늄 산화막을 형성하였다. 양극산화를 위한 전해질은 피로인산(H4P2O7)과 증류수를 혼합하여 사용하였다. 양극산화 진행 시 전해질의 농도, 온도, 인가전압과 같은 다양한 변수를 통해 다공성 알루미늄 산화막과 나노섬유 구조를 형성할 수 있었다. 나노섬유 구조를 형성하기 위해서는 피로인산 전해질 농도가 75 wt%, 인가전압이 30 V, 20℃의 양극산화 온도가 최적 조건임을 밝혀냈다. 인가전압이 40 V 이상이 되었을 때는 산화물의 용출속도의 증가 또는 높아진 전압으로 인한 채널벽의 두께증가로 인하여 다공성 나노구조의 형태가 나타난다는 것을 확인했다. 본 연구를 통하여 전해질의 농도, 인가전압 및 온도에 따른 산화물의 형성 및 용해반응이 평형을 이루었을 때 가장 나노섬유가 잘 형성된 알루미늄 산화막을 형성할 수 있음을 밝혔다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.229-232
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• 2003

AC PDP의 ADS 추동 방식은 구동 방법이 간단하여 구현하기가 용이할 뿐만 아니라 가장 안정적인 구동 방식으로 널리 사용되고 있다 [1]. 그러나 ADS 구동 방식은 주사선의 수가 늘어남에 따라 어드레싱에 필요한 시간이 증가하게 되고 유지방전 구간에 할애할 시간이 상대적으로 감소하게 되어 휘도가 저하되게 되는 문제점을 갖고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 어드레싱 시간을 최소화하기 위한 고속 어드레싱 기술에 대한 연구가 계속하여 진행되고 있다 [2-10]. 본 논문에서는 고속 구동 시에 나타나는 불안정한 어드레싱으로 인한 화질의 저하문제를 해결하기 위한 개선된 ADS 구동파형을 제시한다. 초기화 구간의 Reset 파형은 어드레싱 추간의 특성에 중요한 영향을 미치게 되는데, Reset 구간에서 생성된 벽전하를 어드레싱 방전구간 동안 지속적으로 유지되게 함으로서 어드레싱 방전전압을 줄이고 안정적인 어드레싱이 유지될 수 있도록 하였다. 본 논문에서는 Priming Effect의 영향이 급격히 감소하는 80us 이후, 벽전하의 생성을 돕는 Wall Charge Acceleration Pulse를 적용함으로서 불안정한 어드레싱 문제를 해결할 수 있는 방법을 제시하였고 휘도의 불균등화로 인한 화질 저하의 문제를 해결하였다.

• 대한화학회지
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• 제54권1호
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• pp.93-98
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• 2010

본 연구에서는 Urea와 산 처리로 질소 및 산소 관능기가 도입된 다중벽 탄소나노튜브를 각각 제조하였으며, 표면처리에 따른 전기이중층 커패시터 (EDLCs) 특성을 관찰하였다. XPS, zeta-potential, 및 BET 분석방법을 이용하여 구조특성을 확인하였으며, 전기화학적 특성은 1 M 황산용액의 전해질에서 각각 50 $mVs^{-1}$과 100 $mVs^{-1}$의 주사속도로 순환전류 전압곡선 특성 실험을 통해 고찰하였다. 실험 결과로부터 MWNTs의 질소 원소구성비가 늘어날수록 축전용량이 증가하는 것을 확인하였으며, Urea 처리된 MWNTs의 축전용량이 가장 높은 수치를 나타내었다. 이는 전극 표면과 전하 활성종 간의 젖음성이 증가하고, 표면 관능기의 밀도가 증가하기 때문인 것으로 사료된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권3호
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• pp.20-25
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• 2007

본 논문에서는 $LiNbO_3$의 선택적 영역을 도메인 반전을 수행하였으며, 이를 대역변조기 및 SSB 광변조기 제작에 응용하였다. 인가전압에 대한 회로적인 응답전류를 분석 및 고려함으로써 도메인 벽의 이동속도를 정확히 제어할 수 있었다. 과도한 도메인의 벽 이동속도에 의한 도메인 반전 형상을 확인하였고, 또한 도메인 벽의 진행방향에 따라 그 속도의 차이가 발생함을 알 수 있었다. 제작된 대역변조기는 30.3 GHz를 중심주파수로 하여 5.1GHz의 3dB 대역폭을 보였고. SSB 광변조기의 변조 스펙트럼으로부터 19dBm의 5.8GHz RF 입력신호에 대해 USB가 LSB에 비해 33dB정도 억제됨을 확인할 수 있었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제17권2호
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• pp.17-22
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• 2003

본 연구에서는 mP의 ADS 구동방식에서 초기화기간의 프라이밍 방전 특성에 대하여 실험적인 해석을 하였다. 방전에 의해 축적되는 벽전하의 총량과 벽전하가 축적되는 시간은 프라이밍 펄스의 폭과 무관하다. 또한 과잉 벽전하에 의한 자기소거 방전은 프라이밍 방전에 의한 벽전하량과 관계가 있으며 또한 프라이밍 방전에 의해 생성되는 공간전하와도 관계가 있다. 실험결과 프라이밍 펄스 폭은 8[$\mu\textrm{s}$], 전압은 163[V] 정도가 최적이다. 그리고 자기소거방전을 돕는 공간전하는 파라이밍 방전이 발생한 직후로부터 약 16[$\mu\textrm{s}$] 동안 존재한다. 그러므로 효과적인 초기화 과정을 위한 프라이밍 펄스의 폭은 16[$\mu\textrm{s}$] 이내가 적당하다.

• 전기전자학회논문지
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• 제26권4호
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• pp.633-638
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• 2022

최근 인간의 뇌를 모방한 스파이킹 뉴럴 네트워크(SNNs)의 뉴로모픽(Neuromorphic) 시스템이 주목을 받고 있다. 뉴로모픽 기술은 인지 응용과 처리 과정에서 속도가 빠르고 전력 소모가 적다는 장점이 있다. SNNs 기반의 저항성 랜덤 엑세스 메모리(RRAM) 은 병렬 연산을 위한 가장 효율적인 구조이며 스파이크 타이밍 종속 가소성(STDP)의 점진적인 스위칭 동작을 수행한다. 시냅스 소자 동작으로서의 RRAM은 저 전력 프로세싱과 다양한 메모리 상태를 표현한다. 하지만, RRAM 소자의 통합은 높은 스위칭 전압 및 전류를 유발하여 높은 전력 소비를 초래한다. RRAM의 동작 전압을 낮추기 위해서는 스위칭 레이어와 금속 전극의 신소재를 개발하는 것이 중요하다. 본 연구에서는 스위칭 전압을 낮추기 위해 전기적, 기계적 특성이 우수한 단일 벽 탄소나노튜브(SWCNTs)를 갖는 (Metal/Al₂O₃/HfO_x/SWCNTs/N+silicon, MOCS)라는 최적화된 새로운 구조를 제안하였다. 따라서 SWCNTs 기반 멤리스터의 점진적인 스위칭 동작 및 저 전력 I/V 곡선의 향상을 보여준다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.109-109
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• 2000

AC형 PDP에서 보호막은 방전시 내구성(내 sputter)이 약한 유전체를 보호함으로써 panel이 장시간동안 안정된 동작을 하게 하며, 방전시 2차 전자를 많이 방출함으로써 방전전압을 낮추는 기능을 갖는다. 또한 패널의 전압특성을 결정하고 수명을 크게 좌우하며 방전전극을 플라즈마 발광에 의한 이온 스퍼터로부터 보호하고 벽전하에 의한 메모리 기능을 가지도록 하는 역할도 하는 것으로 알려져 있다. 일반적으로 보호막의 재료로는 MgO, ZrO, CeO2등이 있으며 특히 MgO는 보호막으로 널리 쓰이고 있다. 일반적으로 MgO의 증착방법의 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅법이 있으며 많은 연구자들이 이러한 증착방법에 성장된 박막들을 연구하고 있다. 그러나 Cs을 이용한 MgO의 증착방법은 그리 널리 알려져 있지는 않다. 따라서 본 연구에서는 Ar/O2/Cs을 이용하여 MgO박막을 sputtering 방법으로 증착하였으며 이들의 특성에 관하여 연구하였다. Target으로는 Mg을 사용하였으며 DC sputtering법으로 MgO를 증착하였다. 기판으로는 실리콘과 유리를 이용하였으며 가스로는 Ar과 O2를 이용하고 Cs의 첨가 유무에 따라 증착하였다. 또한 입력 전력, 공정압력, 그리고 O2 가스량에 따라 박막을 증착하였으며 이에 따른 증착속도, 결정성, 조성비를 $\alpha$-step, XRD, 그리고 XPS를 이용하여 측정하였다. CS 참가할 경우 Ar/O2 가스만을 이용하여 증착했을 때보다 증착속도는 증가하였으며 XRD 분석시 (111), (200) 방향으로 우선 성장하는 것을 관찰할 수 있었다.

• 항공우주시스템공학회지
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• 제11권6호
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• pp.56-63
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• 2017

유전체 장벽방전에 의해 발생되는 추력을 실린더 형상의 파이프 내부에서 여러 조건에 대해 측정하였다. 입력 전압 및 주파수는 각각 2에서 9 kVpp 및 5에서 15 kHz를 적용하였으며, 높이가 50 mm부터 100 mm 범위의 실린더에 대해 실험을 수행하였다. 측정 결과에 따르면, 발생된 추력의 크기는 전압 및 주파수를 증가시킬 경우 각각 증가하였으나 실린더의 높이가 증가하면 감소하였다. 실린더 높이가 증가할 때 발생된 추력의 감소는 벽면과의 마찰로 인한 유동의 에너지 손실이 원인이지만, $Coand\check{a}$ 효과의 감소 등 그 외의 추가적인 원인이 있다고 추정된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.1
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• pp.177-180
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• 2004

발광층에 Alq3와 rubrene을 mixed host로 사용하고 DCJTB를 형광 dopant로 사용한 다층 박막 구조의 red OLEDs를 제작하였다. 소자의 구조는 $ITO:Anode(120nm)/{\alpha}-NPD:HTL(40nm)/Alq_3+Rubrene(mixed\;host\;1:1)+DCJTB(red\;dopant\;3%)+:EML(20nm)/Alq_3:ETL(40nm)/MgAg(Mg\;5%\;wt):Cathode(150nm)$ 로서 EML내부에 DCJTB를 Totally Doping Method와 Dotted-Line Doping Method의 두 가지 방법으로 도핑 하였다. Mixed host구조에 DCJTB를 6구간으로 나누어 Dotted Line Doping한 소자는 luminance yield가 $9.2cd/A@10mA/cm^2$ 이었다. 이 소자는 DCJTB만을 Totally Doping한 소자의 luminance yield $3.2cd/A@10mA/cm^2$에 비해 약 190%정도의 높은 효율 향상을 보였다. 또한 $10mA/cm^2$에 도달하는 전압은 5.5V Vs. 8.5V로서 mixed host를 사용한 소자에서 약 3V정도 구동전압이 낮아지는 효과가 있었다. 발광 스펙트럼의 Full Width Half Maximum(FWHM)은 각각 56.6nm와 61nm로서 rubrene을 mixed host로 사용한 소자에서 높은 색 순도를 얻을 수 있었다. 이러한 성능의 향상은 $Alq_3$와 혼합된 rubrene에 의한 낮은 전하주 입장벽, 높은 전류밀도에서 나타나는 발광감쇄현상의 감소, 그리고 발광층의 DLD구조에 의한 전하의 trap & confinement 에 따른 발광 exciton의 형성확률이 증가한데서 나타났다고 생각된다.