• 제목/요약/키워드: 반복공정

검색결과 539건 처리시간 0.03초

유스케이스 기반의 진척 관리 기법 (Use case - Driven Project Management Technique)

  • 이광찬;백종현
    • 한국정보과학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국정보과학회 2004년도 가을 학술발표논문집 Vol.31 No.2 (2)
    • /
    • pp.445-447
    • /
    • 2004
  • 최근의 정보시스템 개발은 컴포넌트 기반 소프트웨어 개발로서 반복적인 소프트웨어 개발 공정을 따른다 반복(Iteration)이란 정보시스템 개발 생명주기(SDLC)의 요구사항, 분석, 설계, 개발, 테스트 과정을 기존의 Waterfall방식으로 개발하지 않고, 각 단계들을 반복적으로 수행하여 시스템을 개발하는 방식이다. 따라서 기존의 단계, 액티비티 그리고 하위의 타스크에 해당하는 산출물 완성유무를 가지고 프로세스 측면의 공정 진척을 적용하게 되면 프로젝트 현 시정의 공정 상태를 명확하게 파악하는 것이 불가능하다. 본 연구에서는 최근의 컴포넌트 기반 소프트웨어 개발에서 요구되어지는 유스케이스 기반의 프로덕트 중심의 공정 진척 관리에 필요한 기법들을 연구하였다. 본 논문에서는 유스케이스가 분석, 설계, 개발, 테스트, 배포되는 과정에 있어서 산출물 기반 진척관리에 대한 기법을 제안함으로서 반복적인 소프트웨어 개발에서의 진척 관리 체계화를 증대할 수 있는 기법을 제시한다.

  • PDF

건축마감공사에서의 택트타임 설정을 통한 작업조정 프로세스 개발 - 오피스 건축물을 중심으로- (The application of tact time at finish work for building construction - Focused on Office Building -)

  • 윤유상;서상욱
    • 한국건설관리학회논문집
    • /
    • 제6권6호
    • /
    • pp.90-97
    • /
    • 2005
  • 현대의 건축공사는 고층화 추세에 따라 반복공정의 수가 증가하여 작업 연속성에 대한 계획 및 공사관리가 중요하게 인식되고 있다. 특히, 많은 반복공정이 동시에 수행되는 마감공사는 작업흐름의 관리에 따라 전체공사에 큰 영향을 미치므로 작업 연속성에 대한 계획이 필요하다. 마감공사의 합리적 운영을 위해 작업연속성을 확보하여 목표공기를 달성하는 기법인 택트 공정관리에서는 택트타임을 설정하여 반복작업의 작업편차를 일정하게 하여 공사계획을 수립한다. 그러나, 기존 택트공정 관리와 관련된 연구는 작업구역분할, 작업일보, 택트 공정관리 프로세스 등을 수행하였지만 작업 연속성 확보를 위한 택트타임에 대한 연구는 충분히 수행되어 있지 않은 실정이다. 따라서 본 연구에서는 3점추정견적 방법에 의한 택트타임의 설정방법과 작업기간 조정절차를 제시하여 택트타임 기반의 공정계획수립 방법을 제시하였으며, 이와 같은 방법에 의한 택트공정 계획 수립을 통해 목표공기가 지연되지 않음을 입증하였다.

PP 복합 조성물의 반복 가공에 의한 열가소성 폴리머 탄소섬유 강화 복합재료의 물리적 특성 변화 연구 (Physical Property of Carbon Fiber Reinforced Thermoplastic Polymer based Composites by Repeating Processing of PP Composition)

  • 이진우;이재영;심승보;박재형;박현주;오경훈;허진혁;김윤해;이지은
    • Composites Research
    • /
    • 제37권2호
    • /
    • pp.68-75
    • /
    • 2024
  • 경제성과 가공 시 용이성 등의 장점을 가지는 합성수지는 자연상태에서 분해되지 않고 환경오염을 야기 시키는 문제를 가진다. 이러한 문제를 해결하기 위해 재활용이 가능한 열가소성 수지가 주목되고 있고 그 중 경제성이 뛰어난 폴리프로필렌(PP)에 대한 관심이 높아지고 있다. PP의 경우 기계적 특성 및 열안정성 등과 재활용성이 뛰어나다. 하지만 다수의 문헌에서 열가소성 수지의 반복 가공에 따라 물성의 저하가 일어난다는 것을 확인 할 수 있으며 가공 조건에 따라 품질의 저하가 발생하는 시점이 다르다는 것을 확인할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 PP 수지에 여러 첨가 성분을 블렌딩하여 복합 조성물 제조 시 반복 공정에 의한 성능 변화를 평가하기 위해 압출 공정 및 사출 공정을 반복 진행하여 기계적 특성 및 열적 특성을 평가하고자 한다. 또한 반복 공정 시 MFI 값 변화에 따라 복합재료 공정 시 섬유의 함침에 어떤 영향을 주는지에 대해 평가하기 위해 복합재료의 기계적 물성을 평가하고자 한다.

작업구역의 합리적 분할에 의한 건축 마감공사의 공정운영 개선 (Improvement of Construction Process management dividing the work area reasonably in Building Construction)

  • 윤유상;정영권;서상욱;신동우;김창덕;김경래
    • 한국건설관리학회논문집
    • /
    • 제4권2호
    • /
    • pp.59-65
    • /
    • 2003
  • 현대의 건축공사는 고층화 추세에 따라 반복공정의 수가 증가하고, 마감공사에서의 관련 공종 수가 증가하여 작업연속성에 대한 계획 및 공사관리가 중요하게 인식되고 있다. 이러한 마감공사의 합리적 운용을 위해 작업구역의 분할과 각 작업을 일정한 리듬으로 반복되도록 함에 따라 공정의 개선을 이루고자하는 기법 중의 하나가 택트공정관리 기법이다. 택트공정관리에서는 작업구역의 출역인원 파악으로 현재의 공정 진행률을 측정하는데, 작업의 특성을 고려하지 않은 작업구역 분할 체계는 출역인원의 정확한 파악을 저해하는 요소로 작용한다. 따라서 본 연구에서는 사례조사 및 현장 인터뷰를 통하여 현재 작업구역 분할 체계와 맞지 않는 공종을 파악하고, 작업의 특성을 고려한 작업구역 분할 체계를 제시하였다.

반도체 공정중 연속적 산화-HF 식각-염기성 세정과정이 실리콘 기판 표면에 미치는 영향 (Effects of the Repeated Oxidation-HF Etching-Alkaline Chemical Cleaning Processes on the Silicon Surface in Semiconductor Processing)

  • 박진구
    • 한국재료학회지
    • /
    • 제5권4호
    • /
    • pp.397-404
    • /
    • 1995
  • 반도체 세정공정에서 염기성 세정액(SCI, Standard cleaning 1, $NH_{4}$OH + $H_{2}$O_{2}$ + $H_{2}$O)은 공정상 발생되는 여러 오염물 중 파티클의 제거를 위해 널리 사용되고 있는데, SCI 조성중 $NH_{4}$OH양에 따라 세정 중 실리콘의 식각속도를 증가시킨다. 이 연구에서는 SCI 세정이 CZ(Czochralski)와 에피 실리콘 기판 표면에 미치는 영향을 단순세정과 연속적인 산화-HF 식각-SCI 세정공정을 통해 관찰되었다. CZ와 에피 기판을 8$0^{\circ}C$의 1 : 2 : 10과 1 : 1 : 5 SCI 용액에서 60분까지 단순 세정을 했을 때 laser particle scanner와 KLA사의 웨이퍼 검색장치로 측정된 결함의 수는 세정시간에 따라 변화를 보이지 않았다. 그러나 CZ와 에피 기판을 10분간 SCI 세정후 90$0^{\circ}C$에서 산화 HF식각공정을 4번까지 반복하였을 때 에피 기판 표면의 결함수는 감소하는 반면에 CZ기판에서는 직선적으로 증가하였다. 반복적인 산화-HF 식각-XCI 세정공정을 통해 생성된 CZ기판 표면의 결함은 크기가 0.7$\mu$m 이하의 pit과 같은 형상을 보여주었다. 이들 결함은 열처리 중 CZ 기판내와 표면에 산화 석출물들이 형성, 반복적인 HF 식각-SCI 세정공정을 통해 다른 부위에 비해 식각이 빨리 일어나 표면에 생성되는 것으로 여기어 진다.

  • PDF

시뮬레이션기반의 엣칭공정 생산운영대안 분석시스템 (A Simulation-Based Decision Support System for Operations of Etching Workstations)

  • 신용호;서정원;이태억;한익환;최철
    • 산업공학
    • /
    • 제10권1호
    • /
    • pp.23-35
    • /
    • 1997
  • 혼류생산을 위한 반도체 웨이퍼 제조라인 중 엣칭공정의 생산운영대안의 평가를 위한 시뮬레이션 기반의 분석시스템의 개발사례를 소개한다. 엣칭공정의 공정특성 및 작업흐름을 소개하고 생산운영을 위한 의사결정 문제를 설명한다. 생산운영대안의 평가 및 비교를 위해서는 시뮬레이션 모델을 활용한다. 웨이퍼의 회로계층의 수만큼 일련의 제조공정을 반복하는 반복방문 방식의 작업흐름 특성 때문에 생기는 타 공정성과 연관성을 반영하되 엣칭공정의 작업흐름에 초점을 맞추기 위해 엣칭공정 이외의 타공정을 단순화시키는 모델링기법을 사용하였다. 엣칭베이내의 복잡한 작업흐름 및 장비운영제약 조건등을 모델링하기 위해 활용한 객체지향방식의 모델링기법의 적용사례를 소개한다.

  • PDF

반복측정이 난해한 환경을 고려한 라인간 계측동일성 검정

  • 김형선;조형석;이호영;동승훈;이상길
    • 한국품질경영학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국품질경영학회 2007년도 춘계학술대회
    • /
    • pp.229-234
    • /
    • 2007
  • 반도체 산업에서 동일제품을 여러 라인에서 생산하는 것은 일반적이다. 모든 라인에서 생산된 제품의 품질수준의 동일 여부는 반도체 공정 계측데이터의 동일성 여부로 결정된다. 이러한 의사결정에 앞서 계측데이터를 생산하는 라인간 계측시스템의 동일성 검정은 필수적이다. 일반적인 두 집단의 동일성검정 방법은 동일시료를 두 집단에서 반복 측정하여 측정값의 차이를 비교하는 방법이다. 그러나, 반도체 계측특성은 동일시료를 반복 측정할 때, 물리적 영향 등에 의해 시료가 변화하여 반복측정이 난해한 특징을 가지고 있어 일반적인 반복측정 방식의 동일성 검정방법은 적합하지 않다. 본 연구에서는 반복측정이 난해한 반도체 계측 특성 하에서 가설검정을 이용한 라인간 계측 동일성 검정방법을 제시하고 실제 반도체 공정에 적용한 사례를 소개하고자 한다.

  • PDF

생물촉매를 이용한 고효율 바이오디젤 생산

  • 손정훈
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국신재생에너지학회 2005년도 제17회 워크샵 및 추계학술대회
    • /
    • pp.267-275
    • /
    • 2005
  • 차세대 재생산성 에너지로 각광을 받고 있는 바이오디젤은 현재 주로 알칼리촉매를 이용하는 화학공정으로 생산하고 있으나 고에너지 요구성이며 대규모 생산시 폐수발생 등 환경오염 유발요인이 있기 때문에 친환경 생물공정의 필요성이 대두되고 있다. 생물촉매 리파제(lipase)를 이용하는 친환경 생물공정은 화학공정에 비해 다양한 장점을 제공하고 있으나 고가의 효소생산 비용문제로 실용화에 어려움이 있다. 따라서 본 연구에서는 저비용의 생물학적 바이오디젤 생산 시스템 구축을 위해 고활성의 효소 개발, 경제적 재조합 대량생산, 반복 재사용을 위한 효소고정화 등을 통해 고효율의 생산반응계를 개발하였다. 우선 바이오디젤 생산공정에 적합한 리파제로서 CalB(Lipase B of Candida antarctica)를 선택하고 분자 진화기술을 이용하여 효소활성을 17배 향상시킨 CalB14를 개발하였다. CalB14를 효모 발현시스템을 이용하여 경제적 대량생산하기 위해 단백질분비를 획기적으로 개선할 수 있는 맞춤형 분비융합합인자기술(TFP technology)을 이용하여 재조합 CalB를 2 grams/liter 수준으로 분비생산하였다. 생산된 효소를 반복 재사용이 가능하도록 다양한 레진에 고정화하였고 최적의 바이오디젤 전환반응용 고정화효소를 개발하였다. 고정화효소를 효율적으로 재사용하기 위해 바이오디젤 생산용 고정상반응기(packed-bed reactor)를 제작하였으며 기질을 12시간내에 95% 이상 바이오디젤로 수십회 이상 반복전환할 수 있는 경제적인 생물학적 바이오디젤 전환 시스템을 구축하였다.

  • PDF

증착과 식각의 연속 공정을 이용한 저온 선택적 실리콘-게르마늄 에피 성장 (Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of SiGe using a Cyclic Process of Deposition-and-Etching)

  • 김상훈;심규환;강진영
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
    • /
    • 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
    • /
    • pp.151-154
    • /
    • 2002
  • AP/RPCVD를 이용하여 $650^{\circ}C$의 저온에서 실리콘-게르마늄의 선택적 단결정 성장 (Selective Epitaxy Growth: SEG) 을 수행하였다. 본 실험에서는 $SiH_4$, $GeH_4$ 그리고 HCl 가스를 사용하여 잠입시간 동안 실리콘-게르마늄막을 성장시키고 연속해서 HCI 가스만을 주입하여 산화막 위에 형성되어진 작은 결정입자들을 식각하는 공정을 반복적으로 수행하였다. HCl 의 식각에 의해 한 주기의 잠입기 후에도 다시 잠입기가 존재함을 확인하였고, 이 성장법을 통하여 한 주기의 잠업시간 동안 증착할 수 있는 두께 이상으로 실리콘-게르마늄막의 선택적 성장이 가능하였다. 이는 저온 선택적 실리콘-게르마늄 성장 시 RPCVD에서 보이는 낮은 선택성과 $SiH_4$의 짧은 장입시간으로 인해 원하는 두께까지 확보하기 힘든 단점을 극복한 것이다. 선택성을 향상시키기 위해 실리콘-게르마늄 증착중 주입된 HCI의 유량에 따라 잠입시간과 증착속도에 영향을 주었으며, 연속공정을 위한 식각공정은 20sccm의 HCI을 20초간 주입하여 선택성을 유지하였다. 또한 보론 불순물의 첨가가 선택적으로 성장되는 박막의 결정성에 미치는 영향도 분석되었다.

  • PDF