Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2002.11a
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- Pages.151-154
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- 2002
Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of SiGe using a Cyclic Process of Deposition-and-Etching
증착과 식각의 연속 공정을 이용한 저온 선택적 실리콘-게르마늄 에피 성장
- Kim, Sang-Hoon (SiGe Device Team, Wireless Communication Devices Department, Basic Research Lab., ETRI) ;
- Shim, Kyu-Hwan (SiGe Device Team, Wireless Communication Devices Department, Basic Research Lab., ETRI) ;
- Kang, Jin-Young (SiGe Device Team, Wireless Communication Devices Department, Basic Research Lab., ETRI)
- 김상훈 (한국전자통신연구원 반도체원천연구소 무선통신소자연구부 SiGe소자연구팀) ;
- 심규환 (한국전자통신연구원 반도체원천연구소 무선통신소자연구부 SiGe소자연구팀) ;
- 강진영 (한국전자통신연구원 반도체원천연구소 무선통신소자연구부 SiGe소자연구팀)
- Published : 2002.11.07
Abstract
AP/RPCVD를 이용하여