본 논문에서는 신경 관련 인공 전자기기를 위한 신경 자극 집적회로를 $0.18-{\mu}m$ 표준 CMOS 반도체 공정을 이용하여 설계하였다. 제안 된 신경 자극 회로는 12.8-V 전원을 사용하면서 $10-k{\Omega}$의 부하에 최대 1 mA의 전류까지 전달이 가능하다. 표준 CMOS 공정 기술로 구현을 위해서 저전압 트랜지스터만을 이용하여 설계를 하였고, 고전압에서의 안정적인 동작을 위하여 트랜지스터 스태킹 기술을 적용하였다. 또한, 신경 자극 동작 후 전하 잔여량이 남아 있지 않도록 active charge balancing회로를 포함하였다. 제안 된 단일 채널 자극 집적회로의 경우 디지털-아날로그 변환기, 전류 출력 드라이버, 레벨 시프터, 디지털 제어 부분, 그리고 active charge balancing 회로까지 모두 포함하여 전체 칩 레이아웃 면적은 $0.13mm^2$을 차지하며, 다중 채널 방식의 신경 자극 기능의 체내 이식용 인공 전자기기 시스템에 적용을 하는데 적합하다.
반도체 소자의 집적도는 높아져 왔으며 이는 더 작고 밀도가 높은 회로 및 소자를 제조하는 것을 의미한다. 이에 따라 다양한 층간 표면을 매끄럽게 유지하여 미세한 패턴을 형성하고 고밀도 회로를 안정적으로 제작하는데 평탄화 기술이 중요한 역할을 한다. 결과적으로 반도체에서의 CMP(chemical mechanical polishing) 공정은 다층 구조 소자를 만들기 위해서 반드시 필요한 공정이 되었다. 일반적으로 CMP 공정의 슬러리 조성은 세리아(ceria), 분산제(dispersant), 물(DI water) 이렇게 3 가지 성분이 균형을 이루는 것이 중요하다. 본 연구에서는 AMP(2-Amino-2-methyle-1-propanol) 함량을 달리한 양쪽성 계면활성제를 사용한 세리아 슬러리 안정성 연구를 수행하였다. 결과적으로 AMP 함량에 따라 카복실기(-COOH) 영향으로 pH 안정화 되었으며, 세리아 슬러리 응집현상이 발생하지 않았으며 분산 안정성 문제가 없는 것으로 확인되었다.
ISFET을 측정할 때 다채널 센서를 이용하면 신뢰도를 향상시킬 수 있고 노이즈를 제거할 수 있다. 향후 하나의 소자를 이용하여 여러 가지 이온을 측정할 수 있는 센서를 제조하기 위해서도 다채널 센서는 반드시 필요한 과정이다. 그러나 다채널 센서를 개발시 각 센서에 개별적으로 바이어스를 인가한다면 센서의 개수만큼 바이어스 회로가 필요하다. 본 논문에서는 영전위회로에 스위칭방식을 도입하여 4개의 pH-ISFET을 바이어스 하는 방식을 제안하였다. 제안된 회로는 4개의 센서에 대해 단지 하나의 바이어스 회로가 필요하므로 개별적인 바이어스 인가방식에 비해 전력을 적게 소모하며 적은 면적에 구현할 수 있다. 제안된 회로는 이산소자를 이용하여 성능을 검증하였다. 또한 최근 센서시스템이 휴대화 되어지는 경향에 따라 검증된 바이어스 회로를 CMOS를 이용하여 집적화 하였다. 설계된 바이어스 회로의 마스크 면적은 $660{\mu}m{\times}500{\mu}m$이다. ISFET은 반도체 집적회로 공정에 의해 제조되므로 향후 CMOS를 이용한 신호처리 회로와 함께 하나의 칩에 집적화 하여 다기능, 다채널, 그리고 지능형의 스마트센서 시스템으로 개발되어져야 바람직할 것이다.
사물인터넷 디바이스의 소형화, 저전력화 요구는 프로그램을 단일 칩으로 구현하는 SOC 기술로 구현되고 있다. 불법 복제에 의한 저작권 분쟁은 반도체 칩에서도 증가하고 있으며, 디자인하우스의 칩 구현에서의 분쟁과 소스코드의 도용에 의한 칩 구현에 발생하고 있다. 그러나 최종 칩 구현은 디자인하우스에서 제작되기 때문에 저작권의 보호범위에서 어려움이 있다. 본 연구에서는 사물인터넷 디바이스의 집적회로에서 HDL 언어로 작성된 소스코드의 분쟁에서, 유사성을 판단하기 위한 분석방법과 유사성 판단의 기준을 설정하는 항목에 대해 다루었다. 특히 동일한 시방서를 기준으로 제작된 칩의 경우 동일한 구성과 코드 형태를 포함해야 하는 제작특성에서 유사성의 판단영역을 구분하는 내용에 대해서도 다룬다.
반도체 기술은 갖지 않고 설비나 자금에만 의존한다면 IC, LSI의 실습 교육은 물론 연구도 실현될 수 없다. 집원자로의 제작방법, 즉 웨이커 프로세스에 있어서 허락되는 조건이 시스템 구성, 논리 및 전자 회로 설계의 기준이 되므로. 고안된 제작 방법이 전 공정을 통하여 확립되지 않으면 안된다. 학생은 매년 새로이 들어 오고 나가며 유동성이 심하다. 단기간(2∼3주간)의 훈련으로 필요한 기술을 쉽게 터득할 수 있도록 개선된 프로세스의 구체적인 예를 들어 본다. 아울러, 장기의 전망에 의거한 연구를 구체적으로 진전시키는 예도 함께 보였다.
파장 분할 다중화(Wavelength division multiplexing : WDM) 광전송 장치의 용량확대를 위한 방안으로 여러 가지 방법들이 연구 개발되고 있으며, 최근 들어 테라 급(Tb/s) 광전송 연구 결과들이 발표되고 있다. 이러한 장거리 광전송 장치의 광송신기는 LiNbO$_3$ 마하-젠더(Mach-Zehnder) 간섭계형 외부 변조기를 주로 사용하고 있다. 한편 반도체 레이저 집적된 전계 흡수형 변조기(Electro-absorption modulator integrated laser : EML)를 이용한 외부 변조 방식 적용을 위해서 여러 연구소 및 기업체에서는 40Gb/s의 성능을 지닌 EML의 개발 결과들을 발표하고 있다. (중략)
최근 디지털 정보 처리 기술의 획기적인 발전과 함께 저가의 반도체 레이저의 개발로 말미암아 광기록 장치(optical pickup device) 및 고속 광통신(optical fiber communication)분야에 응용을 위한 레이저 광학 시스템에 대한 연구가 활발하다. 광신호의 커플링(coupling) 및 스위칭(switching)을 기반으로 하는 이러한 광학 시스템은 일반적으로 광신호의 변조를 위한 광학 요소와 광학 요소의 공간적 제어를 위한 정밀 구동기로 구성되는데, 기존의 상용 시스템의 경우에는 독립적으로 기 제작된 광학 요소와 정밀 구동기를 사후에 조립하는 방법으로 소기의 목적을 달성하였다. 이와 같은 경우 제작에 많은 노력과 비용이 요구되며, 성능의 획기적인 향상을 기대하기 어려우므로 최근에는 Optical MEMS 혹은 MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System)로 대변되는 마이크로머시닝기술(micromachining technology)을 이용한 초정밀 광학계의 제작 기술을 통하여 기존 시스템의 한계를 극복하고자 하는 노력이 다각도로 모색되고 있다. (중략)
한국 전자통신연구원(ETRI)은 지난 1976년 창립 이래 25년간 전전자식교환기(TDX), 초고집적 반도체(DRAM), 슈퍼미니컴퓨터(TiCOM), 디지털이동통신시스템(CDMA)등 경쟁력 있는 정보통신 기술개발을 성공적으로 수행하여 우리나라가 정보통신 강국으로 발돋움하는 데 획기적인 기여를 해 온 국내 최대의 종합 정보통신 국책 연구기관이다. 21세기는 지식과 정보가 컴퓨터나 통신기능과 결합해 훨씬 높은 효율로 활용되는 지식기반사회가 될 것이다. 이러한 21세기를 맞이하여 한국전자통신연구원은 세계 최고의 정보통신연구기관이 되기 위하여 ‘세계적인 지적 재산권 다수 보유’, ‘세계적인 우수 인력 확보’, ‘세계 최고의 1인당 기술료 실현’의 발전비전을 수립, 이의 실현을 위해 최선의 노력을 기울이고 있다. 또한 우리나라 산업경쟁력 향상뿐 만 아니라 인류복지를 지향하는 정보통신기술의 선도자이자 Global Leader가 되기 위하여 일신경영 ∙ 품질경영 ∙ 지식경영을 바탕으로 하여 경영혁신을 중점적으로 추진해 나가고 있다. 연구원은 21세기 정보통신 산업구조와 기술동향을 예측, 시대의 요구에 부응하는 새로운 지식과 기술을 창조하여 새 천년에는 세계를 선도하는 전자∙정보통신분야 종합연구기관으로 거듭 태어나도록 최선을 다해 나가고 있다.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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pp.175-177
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2011
오늘날 반도체 소자의 성능을 좌우하는 배선폭은 수십 나노미터급으로 배선폭 감소에 의한 소자의 집적은 한계에 다다르고 있다. 또한 2차원 회로 소자의 문제점으로 지적되는 과도한 전력소모, RC Delay, 열 발생 문제등도 쟁점사항이 되고 있다. 이런 2차원 회로를 3차원으로 쌓아올린다면 보다 효율적인 회로구성이 가능할 것이고 이에 따른 성능향상이 클 것이다. 3차원 회로 구성의 핵심기술은 기판을 관통하여 다른 층의 회로를 연결하는 실리콘 관통 전극을 형성하는 것이다.
TiN 박막은 부착력이 좋은 기계적 성질을 갖고 있으며 화학적 안정성이 뛰어난 장점을 갖고 있어 수명이 긴 박막으로 사용 할 수 있다. 또한 반도체 집적 회로소자에서는 Al과 Si 사이의 확산 방지막으로 널리 사용하고 있으며, 티타늄과 질소의 화학 조성비를 적절히 조절하여 노란 금빛을 띠는 TiN 박막을 시계나 장신구 등의 표면에 코팅하여 장식에도 많이 사용하고 있다$^{[1]}$ . 최근에는 얇은 전도성 TiN 박막을 사용하여 무반사 영역을 넓히고, 무정전 효과를 지니며, TiN 박막의 두께를 변화시켜 투과율을 조절하여 명도대비(contrast)를 향상시킬 수 있는 2층 무반사 무정전 박막을 연구하고 있다.$^{[2]}$ 여기서는 티타늄과 질소의 원소조성비에 따른 TiN 박막의 복소수 굴절률의 분산이 단 2층으로 넓은 가시광선 영역에서 무반사 효과를 가질 수 있도록 TiN 박막을 증착해야 한다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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