Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.52
no.5
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pp.58-65
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2015
This paper presents the design of an implantable stimulation IC intended for neural prosthetic devices using $0.18-{\mu}m$ standard CMOS technology. The proposed single-channel biphasic current stimulator prototype is designed to deliver up to 1 mA of current to the tissue-equivalent $10-k{\Omega}$ load using 12.8-V supply voltage. To utilize only low-voltage standard CMOS transistors in the design, transistor stacking with dynamic gate biasing technique is used for reliable operation at high-voltage. In addition, active charge balancing circuit is used to maintain zero net charge at the stimulation site over the complete stimulation cycle. The area of the total stimulator IC consisting of DAC, current stimulation output driver, level-shifters, digital logic, and active charge balancer is $0.13mm^2$ and is suitable to be applied for multi-channel neural prosthetic devices.
CMP (Chemical Mechanical Polishing) processes have become essential for creating multilayered component structures in semiconductor manufacturing. Typically, the slurry composition in CMP processes involves a balance of three components such as ceria, dispersant, and deionized water. In this study, we conducted research on the stability of ceria slurries using an amphoteric surfactant with controlled concentrations of AMP (2-Amino-2-methyl-1-propanol). The results indicated pH stabilization influenced by carboxylic (-COOH) groups depending on the AMP concentration. Additionally, there was no occurrence of aggregation in the ceria slurry, confirming the absence of dispersion stability issues.
Multi-channel sensors can be used to increase the reliability and remove the random iloise in ion-sensitive field effect transistors(ISFETs). Multi-channel sensors is also an essential step toward potential fabrication of sensors for several ionic species in one device. However, when the multi-channel sensors are separately biased, the biasing problems become difficult, that is to say, the bias circuit is needed as many sensors. In this work, a circuit for biasing the four pH-ISFETs in null-balance method, where bias voltages are switched, was proposed. The proposed concept is need only one bias circuit for the four sensors. Therefore it has advantages of smaller size and lower power consumption than the case that all sensors are separately biased at a time. The proposed circuit was tested with discrete devices and its performance was investigated. In the recent trend, sensor systems are implemented as portable systems. So the verified measurement circuit was integrated by using the CMOS circuit. Fortunately, ISFET fabrication process can be compatible with CMOS process. Full circuit has a mask area of $660{\mu}m{\times}500{\mu}m$. In the future, this step will be used for developing the smart sensor system with ISFET.
The needs for small size and low power consumption of information devices is being implemented with SOC technology that implements the program on a single chip in Internet of Thing. Copyright disputes due to piracy are increasing in semiconductor chips as well, arising from disputes in the chip implementation of the design house and chip implementation by the illegal use of the source code. However, since the final chip implementation is made in the design house, it is difficult to protect the copyright. In this paper, we deal with the analysis method for extracting similarity and the criteria for setting similarity judgment in the dispute of source code written in HDL language. Especially, the chip which is manufactured based on the same specification will be divided into the same configuration and the code type.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.19
no.5
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pp.48-54
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1982
In the university IC laboratory we can use only a limited number of experimental arrangements. Since practical process parameters determine the fundamental design rules of ICs, appropriate fabrication process must be construtced. Examples of the process to train the engineering students in two or three weeks will be shown.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2002.07a
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pp.150-151
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2002
파장 분할 다중화(Wavelength division multiplexing : WDM) 광전송 장치의 용량확대를 위한 방안으로 여러 가지 방법들이 연구 개발되고 있으며, 최근 들어 테라 급(Tb/s) 광전송 연구 결과들이 발표되고 있다. 이러한 장거리 광전송 장치의 광송신기는 LiNbO$_3$ 마하-젠더(Mach-Zehnder) 간섭계형 외부 변조기를 주로 사용하고 있다. 한편 반도체 레이저 집적된 전계 흡수형 변조기(Electro-absorption modulator integrated laser : EML)를 이용한 외부 변조 방식 적용을 위해서 여러 연구소 및 기업체에서는 40Gb/s의 성능을 지닌 EML의 개발 결과들을 발표하고 있다. (중략)
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.02a
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pp.32-33
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2000
최근 디지털 정보 처리 기술의 획기적인 발전과 함께 저가의 반도체 레이저의 개발로 말미암아 광기록 장치(optical pickup device) 및 고속 광통신(optical fiber communication)분야에 응용을 위한 레이저 광학 시스템에 대한 연구가 활발하다. 광신호의 커플링(coupling) 및 스위칭(switching)을 기반으로 하는 이러한 광학 시스템은 일반적으로 광신호의 변조를 위한 광학 요소와 광학 요소의 공간적 제어를 위한 정밀 구동기로 구성되는데, 기존의 상용 시스템의 경우에는 독립적으로 기 제작된 광학 요소와 정밀 구동기를 사후에 조립하는 방법으로 소기의 목적을 달성하였다. 이와 같은 경우 제작에 많은 노력과 비용이 요구되며, 성능의 획기적인 향상을 기대하기 어려우므로 최근에는 Optical MEMS 혹은 MOEMS(Micro-Opto-Electro-Mechanical System)로 대변되는 마이크로머시닝기술(micromachining technology)을 이용한 초정밀 광학계의 제작 기술을 통하여 기존 시스템의 한계를 극복하고자 하는 노력이 다각도로 모색되고 있다. (중략)
Korea Association for Photonics Industry Development
Photonics industry news
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s.7
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pp.10-13
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2001
한국 전자통신연구원(ETRI)은 지난 1976년 창립 이래 25년간 전전자식교환기(TDX), 초고집적 반도체(DRAM), 슈퍼미니컴퓨터(TiCOM), 디지털이동통신시스템(CDMA)등 경쟁력 있는 정보통신 기술개발을 성공적으로 수행하여 우리나라가 정보통신 강국으로 발돋움하는 데 획기적인 기여를 해 온 국내 최대의 종합 정보통신 국책 연구기관이다. 21세기는 지식과 정보가 컴퓨터나 통신기능과 결합해 훨씬 높은 효율로 활용되는 지식기반사회가 될 것이다. 이러한 21세기를 맞이하여 한국전자통신연구원은 세계 최고의 정보통신연구기관이 되기 위하여 ‘세계적인 지적 재산권 다수 보유’, ‘세계적인 우수 인력 확보’, ‘세계 최고의 1인당 기술료 실현’의 발전비전을 수립, 이의 실현을 위해 최선의 노력을 기울이고 있다. 또한 우리나라 산업경쟁력 향상뿐 만 아니라 인류복지를 지향하는 정보통신기술의 선도자이자 Global Leader가 되기 위하여 일신경영 ∙ 품질경영 ∙ 지식경영을 바탕으로 하여 경영혁신을 중점적으로 추진해 나가고 있다. 연구원은 21세기 정보통신 산업구조와 기술동향을 예측, 시대의 요구에 부응하는 새로운 지식과 기술을 창조하여 새 천년에는 세계를 선도하는 전자∙정보통신분야 종합연구기관으로 거듭 태어나도록 최선을 다해 나가고 있다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2011.05a
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pp.175-177
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2011
오늘날 반도체 소자의 성능을 좌우하는 배선폭은 수십 나노미터급으로 배선폭 감소에 의한 소자의 집적은 한계에 다다르고 있다. 또한 2차원 회로 소자의 문제점으로 지적되는 과도한 전력소모, RC Delay, 열 발생 문제등도 쟁점사항이 되고 있다. 이런 2차원 회로를 3차원으로 쌓아올린다면 보다 효율적인 회로구성이 가능할 것이고 이에 따른 성능향상이 클 것이다. 3차원 회로 구성의 핵심기술은 기판을 관통하여 다른 층의 회로를 연결하는 실리콘 관통 전극을 형성하는 것이다.
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2000.08a
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pp.172-173
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2000
TiN 박막은 부착력이 좋은 기계적 성질을 갖고 있으며 화학적 안정성이 뛰어난 장점을 갖고 있어 수명이 긴 박막으로 사용 할 수 있다. 또한 반도체 집적 회로소자에서는 Al과 Si 사이의 확산 방지막으로 널리 사용하고 있으며, 티타늄과 질소의 화학 조성비를 적절히 조절하여 노란 금빛을 띠는 TiN 박막을 시계나 장신구 등의 표면에 코팅하여 장식에도 많이 사용하고 있다$^{[1]}$ . 최근에는 얇은 전도성 TiN 박막을 사용하여 무반사 영역을 넓히고, 무정전 효과를 지니며, TiN 박막의 두께를 변화시켜 투과율을 조절하여 명도대비(contrast)를 향상시킬 수 있는 2층 무반사 무정전 박막을 연구하고 있다.$^{[2]}$ 여기서는 티타늄과 질소의 원소조성비에 따른 TiN 박막의 복소수 굴절률의 분산이 단 2층으로 넓은 가시광선 영역에서 무반사 효과를 가질 수 있도록 TiN 박막을 증착해야 한다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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