Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference (한국표면공학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Surface Engineering (한국표면공학회)
권호 표지

TSV(Through-Silicon-Via) copper filling by Electrochemical deposition with additives

도금 첨가제에 의한 구리의 TSV(실리콘 관통 비아) 필링

  • 진상현 (한양대학교 바이오 나노 학과) ;
  • 장은용 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 박찬웅 (한양대학교 재료공학과) ;
  • 유봉영 (한양대학교 재료공학과)
  • Published : 2011.05.19
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Abstract

오늘날 반도체 소자의 성능을 좌우하는 배선폭은 수십 나노미터급으로 배선폭 감소에 의한 소자의 집적은 한계에 다다르고 있다. 또한 2차원 회로 소자의 문제점으로 지적되는 과도한 전력소모, RC Delay, 열 발생 문제등도 쟁점사항이 되고 있다. 이런 2차원 회로를 3차원으로 쌓아올린다면 보다 효율적인 회로구성이 가능할 것이고 이에 따른 성능향상이 클 것이다. 3차원 회로 구성의 핵심기술은 기판을 관통하여 다른 층의 회로를 연결하는 실리콘 관통 전극을 형성하는 것이다.

Keywords