The energy transfer of a laser-diode-pumped Nd : S-VAP laser was detected by the photoacoustic technique using a PZT detector. The photoacoustic method suggests an effectvie approach to understand the energy transfer mechanism of the laser cavity, and to find out the optimum output coupler of the oscillator with comparative ease.
We analyze the parametric amplification by the nonlinear characteristics in a semiconductor laser using a perturbation theory and discuss its result. The parametric gain increases with increase of the pump modulation current. It is due to shift of the resonance frequency as the pump modulation current increases. However, it decreases with increase of the bias current and damping constant. Also, it needs phase matching between the pump modulation current and signal modulation current to maximize the parametric gain. The gain decreases for a large signal modulation current due to the saturation of the amplified power. power.
본고에서는 기초적인 연구단계로부터 실용디바이스로서의 생산으로 그 중심이 이동되고 있는 동시에 단일파장동작 또는 고출력화 등 새롭고 고성능을 목표로 계속 연구개발되고 있는 반도체 레이저를 중심으로 연구진전과 현상 및 내외의 동향을 살펴본 후 응용분야와 앞으로의 전망에 대하여 기술하여 보고자 한다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.330.2-330.2
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2014
III-V족 화합물반도체는 트랜지스터와 광다이오드, 레이저 등의 광전소자 제작물질로 오랫동안 사용 되어 왔다. III-V 화합물 반도체로 제작된 광전소자의 특성을 향상시키기 위해선 다양한 형태의 표면구조가 필요하며, distributed feedback 레이저나 distributed Bragg reflector 레이저의 경우 높은 aspect-ratio를 가지는 구조를 필요로 한다. 현재까지 높은 aspect-ratio를 가지는 III-V족 화합물반도체 구조제작을 위해 reactive ion etching (RIE) 방식을 사용 하였는데, 이 방법은 ion collision에 의한 표면손상과 더불어 에칭 잔여물이 남아 반도체 표면을 오염시키는 문제점을 가지고 있다. 이를 개선하기 위하여 MaCE (Metal-Assited chemical etching)법이 최근 제안되었는데, 본 연구에서는 MaCE 방법을 통하여 다양한 형태의 GaAs 표면구조를 제작하였다. 본 실험을 통하여 에칭용액 조건에 따라 GaAs의 구조적 특성과 morphology가 달라지는 것을 확인하였다.
Kim, Hyunhak;Park, Nam Hun;Yeom, Dong-Il;Cha, Myoungsik;Moon, Han Seb
Korean Journal of Optics and Photonics
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v.32
no.2
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pp.62-67
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2021
We have experimentally demonstrated sum-frequency generation (SFG) in a periodically poled lithium niobate (PPLN) crystal, using a mode-locked picosecond-pulsed fiber laser and a continuous-wave (CW) diode laser with a narrow linewidth. The mode-locked fiber laser had a center wavelength of 1560.7 nm and a spectral width of 1.1 nm, and the CW diode laser had a center wavelength of 1551.0 nm and a spectral width of 6 MHz. To effectively realize SFG, both of the spatial modes of the two lasers were made to overlap in the PPLN crystal by using a single-mode optical fiber. The pulse-mode SFG with pulsed- and CW-mode lasers was successfully observed in the spectral and time domains. These results are expected to be applicable in various ways, such as optical frequency measurement and high-resolution laser spectroscopy studies using optical frequency combs.
A study on the semiconductor laser-based atomic absorption spectroscopy was performed for monitoring physical vapor deposition process. Gadolinium metal was vaporized with a high evaporation rate by electron beam heating. Real-time atomic absorption spectra were measured by using tunable semiconductor laser beam at 770-794 nm (center wavelength of 780 nm) and its second harmonic at 388-396 nm. Atomic densities of metal vapor can be calculated from the absorption spectra measured. We plot the atomic densities as a function of the electron beam power and compare with the evaporation rates measured by quartz crystal monitor. We demonstrate that the semiconductor laser-based spectroscopic system developed in this study can be applied to monitor the physical vapor deposition process for other metals such as titanium.
A method is described to produce off-axis hologram lenses without astigmatism for semiconductor lasers. We fabricated a holographic collimating lens by using dichromated gelatin film with high diffraction efficiency and without astigmatism which makes a collimated off-axis beam of semiconductor laser. We have designed the holographic collimating lens by applying the classical ray-tracing method to holographic diffraction. The elimination of astigmatism is obtained by choosing appropriate angles of recording and reconstruction beams. The hologram is recorded by use of Ar^{+}$ laser (488nm wavelength) and reconstructed by semiconductor laser(670nm wavelength). The physical parameters of recording and reconstruction angles, wavelength, and astigmatism are analytically calculated and experimentally confirmed.
향후 DPSS레이저 기술은 FPSS 레이저와 같은 수 키로와트 급 고출력 레이저의 실용화에 집중되고 있다. 키로 와트급 DPSS 레이저가 보편화 될 경우 현재 비반도체 레이저 시장에서 가장 큰 부분을 차지하고 있는 재료 가공용 고출력 레이저 시장의 대부분이 DPSS레이저로 대체되어 시장 규모가 엄청나게 증가할 것이다.
인도의 레이저 시장은 총 5,676 백만 달러로 추정된다. 이중 산업용이 가장 많은 51%, 그 다음이 의료용으로 38%, 나머지는 각종 연구소에서 이용되는 과학 연구용으로서 11%를 차지한다. 사용되는 레이저의 종류에 따라 분류하면 CO2레이저가 포함된 기체 레이저가 전체의 반이 넘는 52%, Nd:YAG 레이저가 포함된 고체 레이저가 43%, 나머지는 반도체 레이저로서 5%를 차지한다.
1960년 인류 최초의 레이저 빔 발진이 성공한 이후, 불과 40년 만에 레이저는 우리 생활의 일부분으로 여겨질 만큼, 그 활용이 광범위하게 이루어지고 있다. CD 플레이어에서 반도체 레이저는 데이터를 읽어 음악을 만들어 내며, 놀이 공원에서는 환상적인 영상 쇼를 연출하며, 인터넷으로 세계를 잇는 광케이블에도 레이저가 정보를 전달하고 있다. 또한 레이저는 프린터로 활자를 인쇄하고, 물품의 바코드를 인식하며, 양복을 재단하며, 강판을 자유자재로 절단, 용접하기도 하며, 얼굴의 점과 여드름 제거 및 라식 수술도 널리 행하여지고 있다(중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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