• Journal of the KSME
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• v.44 no.12
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• pp.45-50
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• 2004

이 글에서는 현재 반도체산업 및 전자부품산업 등에서 폭 넓게 사용하고 있는 전자선 가공장비의 역사 및 국내외 개발 현황에 관하여 소개하고자 한다.

• Journal of Korean Electronics
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• v.5 no.8
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• pp.98-108
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• 1985

• Korea Information Processing Society Review
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• v.14 no.6
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• pp.118-127
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• 2007

공정기술의 미세화가 진행될수록 반도체 제품의 개발비용은 급격히 증가 할 것으로 예측되고 있다. 이는 지속적으로 증가하는 설계 복잡도와 미세공정에서 고성능 및 저전력 반도체 구현의 어려움에 의한 것이다. 제품수명기간(Product Life Cycle: PLC)이 점점 짧아지지만 핵심 부품인 반도체 제품의 개발기간과 설계인력은 급격히 증가해감에 따라 늘어만 가는 개발 비용은 반도체 제품의 수익향상 측면에서 매우 큰 장애가 되고 있다. 따라서 설계의 복잡화와 구현의 어려움 이라는 기술적인 문제들을 해결하여 시장에서의 생존이 걸린 극한적인 경쟁환경에서 살아 남기위해서는 반도체 설계의 paradigm 자체를 변화 시켜야 할 것이다. 이에 대한 해법으로 반도체 설계의 abstraction level을 현재의 RTL에서 상위 수준으로 올리고 설계의 virtualization을 해야 한다는 것은 설계 재사용과 신개념 검증 방법 기술과 함께 필수적인 변화의 한 방향이다. 이미 수년전부터 많은 연구 논문에서 이와 관련된 새로운 system 설계 기술들이 제시되어 왔고, 이에 대응하는 platform 기반의 설계기법 소개와 삼성전자의 구축현황에 대해 저자는 지난 논문에서 기술 한 바 있다. 본 논문은 2003년 9월 이후 platform 설계기법의 virtual 화가 어떻게 발전되어 왔는지에 대해 기술하고 문제점 확인 및 앞으로 이에 대한 해결 방안들의 방향에 대해 논하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.147.1-147.1
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• 2014

대부분의 반도체공정은 플라즈마 기술을 활용함에 따라서 진공공정장비 부품은 플라즈마 이온, 활성기체, 고온 공정에 노출 된다. 또한 장시간 플라즈마 공정에 노출이 되면서 부품 내구성이 떨어지기 때문에 내플라즈마성이 강한 재료를 코팅하여 사용하고 있다. 하지만 코팅재료의 종류, 코팅방법에 따라서 내부식성이 각각 다르고 장시간 설비 활용 시 코팅재료가 부식되어 공정특성이 변함에도 불구하고 현재 Fault Detection and Classification (FDC) 기술에서는 모니터링이 어려운 문제점이 있다. 본 연구에서는 공정특성을 플라즈마 임피던스 변수로 모니터링 하여 코팅부품의 상태에 따른 플라즈마 공정변화를 모니터링 가능한 신규 플라즈마 공정모사용 평가 장비를 소개하고자한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.273-274
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• 2019

본 논문에서는 SiC MOSFET를 적용한 전기자동차용 LDC의 개발에 대해 다룬다. SiC MOSFET는 기존 Si 계열의 전력 반도체 소자에 비해 고주파 동작이 용이하며 스위칭 손실이 낮아 고효율, 고전력밀도 설계가 가능하다는 장점을 갖는다. 본 논문에서는 SiC MOSFET를 이용한 LDC의 설계에 대해 서술하고, 이를 시뮬레이션 및 실험을 통해 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.275-276
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• 2019

본 논문에서는 SiC MOSFET을 적용한 10kW급 배터리 충전장치용 3상 PWM 정류기를 개발한다. 개발한 정류기는 3상 Bridge에 IGBT를 대체할 수 있는 WBG 전력반도체 SiC MOSFET을 적용하여 스위칭 주파수 향상 및 고전력밀도를 달성하였다. 개발한 10kW급 3상 PWM 정류기의 효율 및 THD 성능을 실험을 통해 검증한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2019.07a
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• pp.279-280
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• 2019

본 논문에서는 3KW급 전력변환장치에 적용 가능한 650V급 GaN FET를 사용하여 Half-bridge 구조의 개발보드를 설계 및 제작하고, Double pulse test 실험을 통해 Turn-on 및 off 시스위칭 특성을 분석하였다. 또한 동기정류식 Buck 컨버터에 GaN FET을 적용하고, 유사한 전압 및 전류 정격의 Si MOSFET 소자와 시스템 효율을 비교하여 GaN FET 전력반도체의 성능을 평가하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.294-295
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• 2020

차세대 전력반도체 중 하나인 GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)는 낮은 온 저항, 고속 스위칭 및 낮은 출력 커패시턴스 특성을 가지므로 더 높은 전력밀도를 달성할 수 있다. 그러나 낮은 문턱 전압 및 높은 dv/dt로 인해 외부 요인에 취약하다. 본 논문에서는 GaN HEMT를 3kW급 단상 인버터에 적용 시 발생한 문제점을 분석하고 해결방안을 제시한다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2020.08a
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• pp.292-293
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• 2020

본 논문은 차세대 전력반도체 GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)를 적용한 통신전원 시스템용 LLC 컨버터의 설계에 대해 다룬다. GaN HEMT 소자의 노이즈를 저감하기 위해 3-level 게이트 드라이버를 설계하였다. 설계한 게이트 드라이버와 GaN HEMT를 적용한 3kW급 LLC 공진 네트워크를 설계하였고, 테스트 베드를 제작하여 실험을 통해 시스템의 성능을 검증하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.38 no.6
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• pp.52-61
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• 2023

With semiconductor scaling approaching the physical limits, devices including CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) components have managed to overcome yet are currently struggling with several technical issues like short-channel effects. Evolving from the process node of 22 nm with FinFET (fin field effect transistor), state-of-the-art semiconductor technology has reached the 3 nm node with the GAA-FET (gate-all-around FET), which appropriately addresses the main issues of power, performance, and cost. Technical problems remain regarding the foundry of GAA-FET, and next-generation devices called post-GAA transistors have not yet been devised, except for the CFET (complementary FET). We introduce a CFET that spatially stacks p- and n-channel FETs on the same footprint and describe its structure and fabrication. Technical details like stacking of nanosheets, special spacers, hetero-epitaxy, and selective recess are more thoroughly reviewed than in similar articles on CFET fabrication.