• ETRI Journal
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• v.8 no.4
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• pp.161-174
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• 1986

반도체 공정 기술에 있어서 재료 및 표면분석의 역할에 대하여 고찰하였다. 최근에 개발된 신 분석기술을 포함한 일반적인 분석 방법에 대하여 그 측정원리 및 특징을 언급하고 반도체 단위공정별로 표면 분석기술이 이용되는 분야를 조사하였다. 그리고 앞으로 반도체 기술발전을 위한 표면분석의 역할을 논하였다.

• ICROS
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• v.4 no.4
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• pp.11-16
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• 1998

본 고에서는 반도체 산업에서 제조 생산성 향상의 필요성을 논하였고, 생산 자동화/통합화와 제조생산성과의 관계에 대하여 기술하였다. 반도체 공정의 생산성 향상을 위해서는 우선 생산 정보시스템 Infrastructure가 구축되어야 하고 이를 기반으로 하여 각 자원 및 기능 간의 효율적인 조정이 필요하다. 특히, Moore's Law에 필요한 효율의 달성을 위해 물류시스템의 자동화/통합화 그리고 반도체 공장의 설계/운영의 합리화를 위한 노력이 종합적으로 이루어져야 한다.

• Clean Technology
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• v.4 no.1
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• pp.6-23
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• 1998

Recently, semiconductor industry has grown rapidly because of the large demand for electronic devices and equipment. The semiconductor industries have also played an important role on the economic growth in Korea. As the environmental regulations become strict, the proper environmental management and the well-developed waste minimization technologies in semiconductor industries are two of urgent problems to be solved. The semiconductor manufacturing process consists of a series of continuous chemical processes, such as cleaning, oxidation, diffusion, photolithography, etching and film deposition. During the processes, various environmentally hazardous wastes are produced. The wastes may be classified as wastewater, gaseous pollutants, and solid wastes. For waste minimization, the substitution of raw materials and process optimization techniques are used, while the selective destruction technologies of toxic chemicals contained in the wastes have been reported. Also, new technologies have been developed for source reduction and waste reduction, such as reduction of toxic chemical use and substitution of hazardous liquids with gaseous reactants or solvent.

• Proceedings of the Korea Information Processing Society Conference
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• 2017.04a
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• pp.567-570
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• 2017

산업공정에서 공정 정보처리의 극대화를 위하여 PLC, 로봇 등의 여러 프로그램식 단위제어기기가 네트워크로 연결되어 운영되고 있다. 대부분이 RS232C와 고유 장비의 전송절차에 의해 수행되어 왔지만, ISO 등에서는 반도체공정에 적용을 위한 SECS에 대한 프로토콜을 표준화하였다. 본 연구는 반도체 스퍼터 공정에 PLC, 로봇, 반송장치의 연결에 SECS-II를 적용하고, HSMS를 활용하여 TCP/IP와 Host를 연결하여 계층구조의 네트워크를 운영하였다. 전송 메세지 type을 stream과 function으로 나누어 송수신 확인과 데이터 전송절차를 설정하여 공정이 정상적으로 운영됨을 확인하였다.

• IE interfaces
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• v.10 no.1
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• pp.79-93
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• 1997

지난 30여 년간 반도체 제조 공정 중 FAB공정에서 칩 수율 모델의 개발과 적용은 반도체생산 계획 및 조업 관리를 위해 반도체 제조사들에게는 중요한 관리 대상이 되어 왔으며 제조업체들은 다양한 수율 모델들을 각 업체의 조건에 맞게 채택, 적용하여 왔다. 집적 기술의 발전은 반도체 칩의 크기에도 변화를 가져와 웨이퍼상의 결점들이 형성하는 클러스터를 설명할 수 있어야 했으며 칩 면적의 증가는 새로운 수율 모델을 개발케 하였다. 본 논문은 반도체 제조 공정에 대한 고찰과 수율 계산에 영향을 미치는 결점의 클러스터 효과 및 결점 크기를 중심으로 하는 치명 확률에 대하여 살펴보고, 포아송 모델에서 파생된 대표적인 칩 수율 모델들에 대한 설명과 칩 면적의 변화에 따른 각 모델별 수율 계산 비교 및 반도체 수율의 이용에 대하여 기술한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.338-338
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• 2010

공정 중 발생하는 입자는 반도체 생산 수율에 가장 큰 영향을 끼치는 원인으로 파악되며, 생산 수율을 저하시키는 원인 중 70% 가량이 이와 관련된 것으로 알려져 있다. 현재 반도체 공정에서 입자를 계측하는데 사용하는 PWP (Particle per Wafer Pass) 방법은 표준 측정방법으로 널리 쓰이고 있으나, 실시간으로 입자의 양을 측정할 수 없고, Test wafer 사용에 따른 비용증가의 단점이 있어 공정 중에 입자를 실시간으로 측정할 수 있는 대안기술이 필요한 실정이다. ISPM (In-Situ Particle Monitoring)은 레이저 산란방식을 이용한 실시간 입자측정 장비로서 오염원 발생에 대한 즉각적인 대처와 조치가 가능하고 부가적인 추가 비용이 발생하지 않기 때문에 실시간 모니터링 장비가 없는 현재의 반도체 공정에 충분히 적용될 가능성이 있다. 특히 CVD 공정은 반도체 공정의 약 30%를 차지할 만큼 중요한 단계로 생성되는 오염입자 모니터링을 통해 공정 불량 유무를 판단할 수 있을 것으로 기대된다. 본 연구에서는 Silane 가스를 이용한 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정 중 발생되는 오염입자를 ISPM을 이용하여 실시간으로 측정하였다. 챔버 배기구에 두 가지 타입의 ISPM을 설치하고 공정압력, 유량, 플라즈마 파워를 공정변수로 하여 각각의 조건에서 발생되는 오염입자의 분포 변화를 실시간으로 측정하였으며 결과를 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.72-75
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• 2007

본 연구는 TFT-LCD 부품인 Back Light Unit의 광원 역할을 하는 CCFL Assembly 공정을 분석하여 최적의 공정원 배치를 할 수 있도록 하였다. 이에 각 공정의 특성을 파악하고, 이를 Herrmann의 두뇌우성을 적용하여 공정원 배치를 하도록 하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.191-191
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• 2011

반도체 공정은 매우 복잡한 가스를 사용하기 때문에 여러가지 물질이 생성될 수 있다. 특히 플루오르계열 가스는 응축되어 부식성 물질로 변하여 펌프에 영향을 줄 수 있다. 이렇게 좋지 않은 조건을 만들지 않기 위해서 모든 가스들은 원래 상태로 이동하여 나오는 것이 가장 이상적이다. 그러나 챔버에서 반응하지않은 가스는 펌프로 오게 되면 온도와 압력이 달라져서 응축과 화학반응에 의해서 다른 부가물을 만들고, 이것들은 이러한 반도체 공정을 가능하게 하는 진공펌프에 영향을 주어서 고장을 일으킨다. 이러한 펌프에서 부가물을 채취하였다. 그리고 각 공정에서 생성되는 부가물을 분석하기 위하여 FT-IR, XRD, SEM(EDS), XRF분석법을 사용하였다. 이러한 분석법으로 부가물을 규명하고, 생성 원인을 규명하여 펌프의 성능 향상과 개선을 해보고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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• 2002.11a
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• pp.305-310
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• 2002

최근 첨단 반도체 패키지 공정에서는 전극형성 공정에 BGA package 시스템이 도입되고 있으며 BGA package은 잔존 flux 및 이물질의 제거공정이 필수적이다. 잔존하는 flux는 세척이 제대로 이루어지지 않을 경우 solder ball들이 고온 또는 습도에 노출되었을 때 lead, circuit board 등의 부식과 conductor Insulation 수축의 원인이 된다.(중략)

• IE interfaces
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• v.10 no.1
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• pp.67-77
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• 1997

반도체 제조공정에서 패터닝 공정과 박막형성 공정은 매우 중요한 위치를 차지하고 있다. 본 논문의 목적은 위 두가지의 공정을 최적화하기 위한 품질공학적 접근방법을 소개하는데 있다. 특히, 패터닝 공정의 전사성과 박막현상 공정의 두께의 균일성에 관한 문제를 동특성의 문제로 정형화하고 신호인자를 어떻게 설정할 것인가에 관해 논의하였다.