• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.691-692
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• 2016

본 논문은 802.11a 무선 랜용 5.25-GHz BiCMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1볼트 전원에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 전압 이득을 가지도록 설계하였다. 제안한 회로는 $0.18{\mu}m$ SiGe HBT BiCMOS로 설계되어 있다. 저 전압 및 저 전력 동작을 위해 바이어스 회로는 밴드 갭 참조 (band-gap reference circuit) 바이어스 회로를 사용하였다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 높은 전압이득, 낮은 잡음지수 및 작은 칩 크기 특성을 보였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.492-498
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• 2003

본 논문은 캐스코드결합에 의한 마이크로파 자기발진믹서를 설계하기 위하여 믹서가 최적 변환이득을 나타내는 바이어스 조건에 대해 분석하였다. 마이크로파 자기발진믹서는 두 개의 GaAs MESFET를 케스코드 결합시켰으며 상위 MESFET는 비교적 높은 Q값을 가지는 유전체공진기에 의해서 발진기로 동작시키고 아래쪽 FET는 저잡음 특성과 최적의 변환이득을 나타내는 믹서로서 동작시켰다. 분석결과 드레인 전압은 $V_{ds}=2.5V$이고 게이트바이어스 전압은 $V_{gs1}=-0.2V와 \;V_{g2}=0V$로 선정하였을 때 설계된 5.15Ghz의 발진기 출력은 5.92dBm, 위상잡음은 -132.0dBc@100KHz, 믹서의 변환손실은 약 -3dB를 나타내어 이론에 의한 자기발진믹서를 설계할 수 있음을 보였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2009년도 춘계학술대회
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• pp.678-681
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• 2009

본 논문에서는 자체 바이어스가 되는 Folded Cascode CMOS OP Amp를 이용하여 싱글 픽셀 포톤 계수기 회로를 설계하였다. 전압 바이어스 회로가 필요 없으므로 싱글 픽셀의 레이아웃 면적을 줄이고 전류 소모를 줄일 수 있다. 매그나칩 반도체 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계된 CSA(Charge Sensitive Amplifier)의 신호 전압은 이론치인 151mV이 근접한 138mV로 simulation되었다. 그리고 싱글 픽셀의 레이아웃 크기는 $100{\mu}m{\times}100{\mu}m$이다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권12호
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• pp.1-7
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• 2006

본 논문에서는 자동 온도 보상 기법을 사용한 on-chip CMOS 내부 전원 전압 발생기를 제안하였다. PMOSFET의 경우, 게이트 바이어스 저압에 따라 온도의 변화에 대한 소오스-드레인간 전류 특성이 달라진다. 제안된 내부 전원 전압 발생기는 서로 다른 게이트 바이어스 전압에 두 개의 PMOSFET를 놓고, 이의 온도에 대한 서로 상이한 소오스-드레인간 전류 특성을 이용하여 내부 전원 전압 발생기 전체의 온도 의존도를 줄였다. 제안된 회로는 동부-아남 $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작되었으며 측정 결과로 내부 전원 전압은 $-10^{\circ}C{\sim}100^{\circ}C$의 범위에서 $-0.49mV/^{\circ}C$의 온도 의존도를 보였으며 $2.2V{\sim}4.0V$의 동작 범위에서 외부 전압에 대하여 내부 전원 전압의 변화는 6mV/V를 나타내었다. 전체 전류소모는 $1.1{\mu}A@2.5V$로 저전력을 구현할 수 있었다.

• 한국항행학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.358-364
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• 2009

본 논문에서는 설계된 전력증폭기에서 가변 바이어스 기법을 이용하면 전력부가효율을 증가시킬 수 있다는 것을 보였다. 서로 다른 출력전력을 갖는 이중 모우드에서 높은 효율을 얻기 위하여 가변 바이어스 기법을 이용하고 바이어스 변화에 따른 영향을 시뮬레이션 하였다. 게이트 전압을 고정하고 드레인 바이어스를 시뮬레이션으로 최적값을 구하여 이를 변화하여 전력증폭기의 효율을 향상시킬 수 있었다. 또한 전력증폭기의 비선형 특성을 분석하고 디지털 사전왜곡 기법을 이용하여 이중 대역 증폭기의 송신기의 ACPR 특성을 최대 10dB 개선되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.117-118
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• 2011

초경합금 위에 RF Magnetron Sputter를 이용하여 Ti 중간층을 증착 후 MPECVD(Microwave Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 시스템을 이용하여 나노결정 다이아몬드 박막을 증착 하였다. 공정압력, 마이크로웨이브 전력, Ar/$CH_4$ 조성비, 기판온도를 일정하게 놓고 직류 bias의 인가 여부를 변수로 하고 증착시간을 0.5, 1, 2시간으로 변화시켜 박막을 제작하였다. 제작된 시편은 FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 박막의 표면과 다이아몬드 박막의 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. Automatic Scratch �岵謙�ter를 이용하여 복합박막의 층별 접합력을 측정하였다. 바이어스를 인가하지 않고 다이아몬드 박막을 증착할 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 1시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 2시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루었다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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• pp.369-372
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• 2000

본 논문에서는 P-HEMT Gate-바이어스 튜닝에 의한 위상동기 마이크로파 발진기를 설계하였다. 설계된 유전체 발진기는 병렬궤환공진 형태로서 P-HEMT의 게이트단에서 전압을 제어하여 전압제어발진기 형태로 주파수를 가변시키므로서 안정된 위상동기신호를 나타나도록 하였다. 위상동기방식은 외부에서 제공되는 125㎒의 기준주파수를 SRD로 체배시켜 하모닉 신호를 이용한 마이크로파 샘플링 위상검파 방식으로 설계하였으며, 유전체 발진기의 자유발진신호와 샘플링 신호사이의 위상비교에 의하여 ±1㎒ 범위의 고안정 특성을 갖는 13.25㎓대역의 위상고정 발진기의 동기화와 저 위상잡음을 나타내었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권11B호
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• pp.1841-1846
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• 2000

광대역 마이크로파 신호의 광전송시 변조과정에서 발생되는 상호잡음 성분의 억제를 위한 다단 직렬구조의 전계흡수 광변조기를 이용한 선형화 방법을 제안하였고 이론적으로 고찰하였다. 바이어스 전압에 따른 신호의 위상 반전이 발생되는 것을 이용하여 두 개의 서로 다른 바이어스 전압과 입력 마이크로파 신호의 전력 차를 이용하여 광대역 시스템의 성능을 좌우하는 IMD2와 IMD3를 동시에 억압시킬 수 있었다. 모의실험을 통하여 최적의 동작조건을 찾은 결과 35dB의 IMD2 억제와 50dB의 IMD3를 동시에 억압시킬 수 있었으며 이에 따라서 약 15dB의 동작영역의 증가를 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2002년도 하계학술대회 및 세미나
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• pp.35-38
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• 2002

본 논문에서는 5.8GHz 대역 무선 랜과 차세대 이동통신서비스인 IMT-2000 양 대역에서 동작하는 이중대역 전력증폭기 선계 및 제작에 관하여 기술하였다. 최종 출력목표는 1W이며, 2GHz와 5GHz의 이중밴드로 동작하기 위해 2개의 능동소자를 사용하여, 2개의 독립적인 증폭기를 제작한 후 바이어스 제어회로를 통하여 두 대역을 결합시켰다. 바이어스 제어회로에서 모드 제어 전압 $V_m$의 전압변화에 따라 양 모드간의 변환이 이루어진다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.158-158
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• 2009

TiN 코팅은 뛰어난 기계적 성질 및 내식성으로 산업전반에 걸쳐 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 비대칭 바이폴라 펄스 DC 반응성 마그네트론 장비를 이용하여 바이어스전압, 펄스주파수 및 Duty를 변화시키면서 TiN 박막을 제작하였다. 위와 같은 3가지 플라즈마 변수의 변화에 따른 TiN 박막의 결정 배향성 및 미세구조에 미치는 영향에 대해 주목하였다.