• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.409-409
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• 2013

최근, 집적 소자의 미세화에 따라 늘어난 배선 신호 지연 및 상호 간섭, 그리고 소비 전력의 증가는 초고집적 소자 성능 개선에 한계를 가져온다. 이에 따라 기존의 알루미늄(Al)/실리콘 절연 산화막은 구리(Cu)/저유전율 박막(low-k)으로 대체되고 있고, 이는 소자 성능 개선에 큰 영향을 미친다. 그러나 Cu는 Si과 low-k 내부로 확산이 빠르게 일어나 소자의 비저항을 높이고, 누설 전류를 일으키는 등 소자의 성능을 저하시킬 수 있는 문제점을 가지고 있다. 이러한 Cu의 확산을 막기 위하여 Ta, TaN 등과 같은 확산방지막에 대한 연구가 활발히 진행되어 왔으나, 배선 공정의 집적화와 low-k 대체에 따른 공정 및 신뢰성 문제로 인해 새로운 확산방지막의 개발이 필요하게 되었다. 이를 위해, 본 연구에서는 Cu-V 합금을 사용하여 low-k 기판 위에 확산방지막을 자가 형성 시키는 공정에 대한 연구를 진행하였다. 다양한 low-k 기판에서 열처리조건에 따른 Cu-V 합금의 특성을 확인하기 위해 4-point probe를 통한 비저항 평가와 XRD (X-ray diffraction) 분석이 이뤄졌다. 또한, TEM (transmission electron microscope)을 이용하여 $300^{\circ}C$에서 1 시간 동안 열처리를 거쳐 자가형성된 V-based interlayer가 low-k와 Cu의 계면에서 균일하게 형성된 것을 확인하였다. 형성된 V-based interlayer의 barrier 특성을 평가하고자 Cu-V합금/low-k/Si 구조와 Cu/low-k/Si 구조의 leakage current를 비교 분석하였다. Cu/low-k/Si 구조는 비교적 낮은 온도에서 leakage current가 급격히 증가하는 양상을 보였으나, Cu-V 합금/low-k/Si 구조는 $550^{\circ}C$의 thermal stress 에서도 leakage current의 변화가 거의 없었다. 이러한 결과를 바탕으로 열처리를 통해 자가형성된 V-based interlayer의 Cu/low-k 간 확산방지막으로서 가능성을 검증하였다.

• Journal of Korean Physical Therapy Science
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• v.2 no.3
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• pp.587-598
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• 1995

The purpose of this study was to test the microcurrent electrical neuromuscular stimulation on muscle soreness, serum creatine kinase levels and force deficits evident following a high-intensity eccentric exercise bout. 10 volunteer male subjects were randomly assigned to a treatment group or to a control group. Exercise consisted of high-intensity eccentric contractions of the elbow flexors. Resistance was reduced as subjects fatigued, until they reached exhaustion. Muscle soreness rating was determined using a visual analog scale. Serum creatine kinase levels were analyzed using a blood sample. Force deficits were determined by measures of maximal voluntary isometric contraction at $90^{\circ}$ of elbow flexion on a Orthotron II dynamometer. Muscle soreness rating, serum creatine kinase levels and maximal voluntary isometric contraction were determined at the before exercise and again at 24 and 48 hours postexericse. Treatments were applied immediately following exercise. The control group subjects rested following their exercise bout. Statistical analysis showed significant increases in muscle soreness rating and significant decreases in maximal voluntary isometric contraction when the before exercise was compared with 24 and 48 hour measures(p<0.01). No significant effects were observed between groups in muscle soreness rating and maximal voluntary isometric contraction(p>0.05). Highly significants differences in serum creatine kinase levels were found using on Analysis of variance(ANOVA) repeated measures between groups for each time cycles(p<0.001). This modality may have benefits when used early stage in the muscle damage.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.33.2-33.2
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• 2011

CMP (Chemical-Mechanical Planarization) 공정이란 화학적 반응과 기계적 힘을 동시에 이용하여 표면을 평탄화하는 공정으로, 반도체 산업에서 회로의 고집적화와 다층구조를 형성하기 위해 CMP 공정이 도입되었으며 반도체 패턴의 미세화와 다층화에 따라 CMP 공정의 중요성은 더욱 강조되고 있다. CMP 공정은 압력, 속도 등의 공정조건과, 화학적 반응을 유도하는 슬러리, 기계적 힘을 위한 패드 등에 의해 복합적으로 영향을 받는다. CMP 공정에서, 폴리우레탄 패드는 많은 기공들을 포함한 그루브(groove)를 형성하고 있어 웨이퍼와 직접적으로 접촉을 하며 공정 중 유입된 슬러리가 효과적으로 연마를 할 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 하지만, 공정이 진행 될수록 그루브는 손상이 되어 제 역할을 하지 못하게 된다. 패드 컨디셔닝이란 컨디셔너가 CMP 공정 중에 지속적으로 패드 표면을 연마하여 패드의 손상된 부분을 제거하고 새로운 표면을 노출시켜 패드의 상태를 일정하게 유지시키는 것을 말한다. 한편, 금속박막의 CMP 공정에 사용되는 슬러리는 금속박막과 산화반응을 하기 위하여 산화제를 포함하는데, 산화제는 금속 컨디셔너 표면을 산화시켜 부식을 야기한다. 컨디셔너의 표면부식은 반도체 수율에 직접적인 영향을 줄 수 있는 scratch 등을 발생시킬 뿐만 아니라, 컨디셔너의 수명도 저하시키게 되므로 이를 방지하기 위한 노력이 매우 중요하다. 본 연구에서는 컨디셔너 표면에 연마 잔여물 흡착을 억제하고, 슬러리와 컨디셔너 표면 간에 일어나는 표면부식을 방지하기 위하여 소수성 자기조립 단분자막(SAM: Self-assembled monolayer)을 증착하여 특성을 평가하였다. SAM은 2가지 전구체(FOTS, Dodecanethiol를 사용하여 Vapor SAM 방법으로 증착하였고, 접촉각 측정을 통하여 단분자막의 증착 여부를 평가하였다. 또한 표면부식 특성은 Potentiodynamic polarization와 Electrochemical Impedance Spectroscopy (EIS) 등의 전기화학 분석법을 사용하여 평가되었다. SAM 표면은 정접촉각 측정기(Phoenix 300, SEO)를 사용하여 $90^{\circ}$ 이상의 소수성 접촉각으로써 증착여부를 확인하였다. 또한, 표면에너지 감소로 인하여 슬러리 내의 연마입자 및 연마잔여물 흡착이 감소하는 것을 확인 하였다. Potentiodynamic polarization과 EIS의 결과 분석으로부터 SAM이 증착된 표면의 부식전위와 부식전류밀도가 감소하며, 임피던스 값이 증가하는 것을 확인하였다. 본 연구에서는 컨디셔너 표면에 SAM을 증착 하였고, CMP 공정 중 발생하는 오염물의 흡착을 감소시킴으로써 CMP 연마 효율을 증가하는 동시에 컨디셔너 금속표면의 부식을 방지함으로써 내구성이 증가될 수 있음을 확인 하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.2
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• pp.286-291
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• 1998

$SrTiO_3$[ST] thin films were fabricated on $RuO_2$bottom electrodes by RF magnetron sputtering with various $Ar/O_2$ratio in sputtering gas. As the content of oxygen increases, the leakage current of ST films measured at $10^5$ V/cm decreases from $2.0{\times}10^{-6}A/{\textrm}{cm}^2(Ar/O_2=10/0)$ to $3.8{\times}10^{-7}A/{\textrm}cm^2(Ar/O_2=5/5)$, and the dielectric constant of ST films increases from $70(Ar/O_2=10/0)$ to $190(Ar/O_2=5/5)$. The improvement of electrical properties of ST films is mainly due to the structural modification of ST films such as better crystallinity, smooth surface morphology with the increase of oxygen content in the sputtering gas.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.21 no.4
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• pp.117-123
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• 2014

Cu through-vias, which can be used as thermal vias or vertical interconnects, were formed using bottom-up electrodeposition filling as well as top-down electrodeposition filling into open via-holes and their microstructures were observed. Solid Cu through-vias without voids could be successfully formed by bottom-up filling as well as top-down filling with direct-current electrodeposition. While chemical-mechanical polishing (CMP) to remove the overplated Cu layer was needed on both top and bottom surfaces of the specimen processed by top-down filling method, the bottomup process has an advantage that such CMP was necessary only on the top surface of the sample.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.14 no.2
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• pp.51-55
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• 2003

SrTiO₃ (STO) thin fims were deposited on the biaxially textured Ni-3 wt%W alloy substrates to be used as a single buffer layer for YBa₂CU₃O/sub 7-8/(YBCO) coated conductor. Thin films of YBCO and STO were deposited using pulsed laser. The deposition condition for epitaxial growth of STO on the textured metal was identified, and YBCO coated conductor with a single STO buffer layer with critical current density of 1.2 MA㎠ at 77 K under zero magnetic field and critical temperature of 86 K, was fabricated.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.5 no.6
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• pp.575-580
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• 2010

The research which sees the wild animals back with the system for the penetration prevention, when the wild animals approaches with the infrared ray sensor which composes a proposed system to use radiation department and the solar heat which occur and to make lead in the spiral which informs a guard to application of power department and back the edge where uses the battery of the application of power department which supplies all the member and the outside minute electric current to do in order to maximize a warning utterance or a luminous effect, an utterance department and the light for a prevention and about the system which restrains the wild animals is a thing. The proposed system which sees the express highway and the national road, with region degree establishes back the same wild animals appears and disappears frequently a day and night and between in circumference and goes without question appears and disappears the penetration of the wild animals which prevents and the animal the vehicle and prevents the damage which collides, joins in and driver and is the ecosystem of natural environment protects preserves.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.13 no.6
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• pp.272-278
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• 2003

$Bi_4Ti_3O_{12}$ (BIT) and $(Bi_{3.25}La_{0.75})(Ti_{2.97}V_{0.03})O_{12}$ (BLTV) thin films were deposited on ITO/glass substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) using ultrasonic spraying. After deposition of the films in oxygen atmosphere for 30 min, the films were heated by rapid thermal annealing (RTA) method, especially direct insertion, at various temperatures. The films were investigated on phase formation temperature, microstructure and electrical properties. From x-ray diffraction (XRD) patterns, the perovskite phase formation temperature of BLTV thin film was about $600^{\circ}C$ which was lower than that of BIT, $650^{\circ}C$. The leakage current of the BLTV thin film was measured to be $1.52\times 10^{-9}$A/$cm^2$ at an applied voltage of 1 V. The remanent polarization (Pr) and coercive field (Ec) values of the BLTV film deposited at $650^{\circ}C$ were $5.6\muC/cm^2$ and 96.5 kV/cm, respectively.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.374-374
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• 2010

본 연구는 Roll-to-Roll Sputtering 장비를 사용하여 제작된 Flexible ITO electrode 필름의 방사선 검출기로의 적용가능성을 알아보기 위해 기존의 Glass ITO electrode의 전기적 특성을 비교 평가하였다. 본 연구는 Flexible ITO electrode와 Glass ITO electrode을 하부전극으로 형성하고, 최근에 X-ray 변환체로 활발히 연구되고 있는 Powder 형태의 반도체물질인 HgI2 와 PbI2를 Binder와 일정한 비율로 혼합하여 3-Rolls-Miller를 사용하여 Powder를 일정한 미세크기로 만들고, 대면적 제작이 용이한 Screen-Printing method을 이용하여 시편을 제작하였다. 제작된 필름은 하부전극의 종류에 따른 X-ray 입사 후의 전기적신호의 차이를 측정하고, HgI2와 PbI2 중 Flexible ITO electrode와 더욱 효율적으로 반응하여 기존의 Glass ITO electrode를 대체할 수 있는 전극을 발견하여 진단용 의료영상의 왜곡 현상을 제거할 수 있는 Flexible 방사선 검출기의 제작의 초석을 제공하는 연구를 목적으로 한다. SEM(Scanning Electron Microscope) 통하여 반도체 물질의 결정구조와 크기를 알아보았고, 하부 전극의 종류에 따른 전기적 신호검출을 위해 제작된 필름의 암전류(Dark current) 와 민감도(Sensitivity)를 측정한 후, SNR (Signal -to- Noise)을 계산하여 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2008.11a
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• pp.179-179
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• 2008

$BaTiO_3$를 기본조성으로 하는 PTC 써미스터는 Curie 온도이상에서 저항이 급격히 상승하는 산화물 반도체 세라믹이다. 이러한 성질을 이용하여 degaussing 소자, 정온 발열체, 온도센서, 전류 제한소자 등 상업적으로 여러 분야에서 연구되고 있다. 또한 원가절감 등을 위하여 Ni 내부전극을 사용하여 환원 분위기에서 소결하는 칩 타입에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 Sm 함량(0.1at%~1.0at%)을 달리한 $BaTiO_3$(Si, Mn, Ca) 계를 선택하여 3%$H_2/N_2$ 분위기에서 1200~$1260^{\circ}C$, 2h 소결한 후 공기 중에서 재산화 처리하고 재산화 시간에 따른 PTC 특성 변화에 대하여 고찰하였다. 재산화 온도와 시간은 각각 $800^{\circ}C$와 0.5h~10h으로 하였다. Sm 함량을 달리하여 환원 분위기에서 소결한 시편의 미세구조와 PTC 특성과의 상관관계를 관찰한 결과, 소결온도가 낮을수록 PTC 특성은 좋아졌으며, 상온 비저항은 Sm 함량이 높아질수록 낮아졌다. 또한 Sm 함량이 높아질수록 jumping ratio$(R_{max}/R_{25^{\circ}C})$는 낮아졌다. 재산화 시간에 따른 PTC 특성은 다소 떨어졌지만 소결온도에 따라 달리 나타났다. Jumping ratio$(R_{max}/R_{25^{\circ}C})$는 Sm을 0.7 at% 첨가한 계에서 재산화를 1시간 처리한 시편에서 가장 우수하였다.