• Proceedings of the Korean Radioactive Waste Society Conference
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• 2005.06a
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• pp.231-238
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• 2005

On the basis of flow resistance theory the conceptual model and related mathematical descriptions is proposed for resistance modeling of groundwater flow in CPM(continuum Porous medium), DFN(discrete fracture network) and fractured-porous medium. The proposed model is developed on the basis of finite volume method assuming steady-state, constant density groundwater flow. The basic approach of the method is to evaluate inter-block flow resistance values for a staggered grid arrangement, i.e. fluxes are stored at cell walls and scalars at cell centers. The balance of forces, i.e. the Darcy law, is utilized for each control volume centered around the point where the velocity component is stored. The transmissivity (or permeability) at the interface is assumed to be the harmonic average of neighboring blocks. Flow resistance theory was utilized to relate the fluxes between the grid blocks with residual pressures. The flow within porous medium is described by three dimensional equations and that within an individual fracture is described by a two dimensional equivalent of the flow equations for a porous medium. Newly proposed models would contribute to develop flow simulation techniques with various matrix characteristics.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.6
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• pp.1109-1114
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• 2003

In this paper, the electric characteristic of the SGPS with slot in the ground plane is similar to the parallel resonant circuit. When the slot length in SGPS is equal to the half wavelength of specific frequency, the characteristic of SGPS represent the large attenuation at the specific frequency. We found out the relation between attenuation and resistor on the slot in SGPS and we designed the variable attenuator for MMIC using the variable resistor. This attenuator can be applied to AGC circuit in transceiver if the PIN diode is used replace for resistor.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.4
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• pp.304-311
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• 1991

본 연구에서는 p형(100) 실리콘 기판 위에 LPCVD법으로 산화막과 다결정 실리콘을 증착하고 그 위에 Magnetron Sputtering법으로 티타늄을 500.angs.을 증착한 후, 열처리 온도 500-900.deg.C 사이에서 열처리 시간을 변화시키면서 N$_{2}$ 분위기 속에서 급속 열처리하여 티타늄 실리사이드를 형성하고 그 특성을 조사하였다. 500-600.deg.C 온도 범위에서 10초간 열처리한 시료에서는 실리사이드상은 나타나지 않고, 산소등의 불순물이 티타늄 박막 내로 확산되어 600.deg.C에서 면 저항이 최대값을 보였으며 열처리 온도는 675-750.deg.C로 높이자 TiSi상이 나타나면서 면저항이 감소되고 결정립의 크기가 크게 증가하였다. 또한 열처리온도 800.deg.C에서 나타나기 시작한 TiSi$_{2}$상은 열처리 온도 850.deg.C까지 TiSi상과 공존하면서 면저항과 reflectance는 계속 감소했다. 900.deg.C에서 10초간 열처리한 시료에서는 orthorhombic구조의 완전한 실리사이드 상만 나타났다. 최종적인 티타늄 실리사이드 박막의 두께는 1200.angs.이며 비저항은 18.mu..OMEGA.cm였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.6
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• pp.618-625
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• 1996

고주파 마그네트론 스퍼터링(RF magnetron sputtering)법을 이용하여 자동차유리 성에 제거용 주석첨가 인듐산화물(indium tin oxide;ITO) 투명저항박막의 증착과 그 전기 및 광학 특성을 연구하였다. 기판온도는 A, T.-30$0^{\circ}C$, O2/(Ar+O2)비는 0-0.3로 변화시키며 실험하였다. 기판온도가 높아질수록, 그리고 O2/(Ar+O2)비가 높아질수록 박막의 증착속도는 감소하였다. 또한, 기판온도가 높아질수록 In2O3(400) 방향의 결정성은 감소하고, In2O3(222)와 (400) 피크만이 잔존하였다. 기판온도가 높아질수록 가시광영역의 광투과도는 향상되었고, 면저항은 20$0^{\circ}C$까지는 감소하였으나 20$0^{\circ}C$이상에서는 거의 일정하였으며, 결정립 크기는 온도가 높아질수록 증가하였다. 박막의 면저항은 O2/(Ar+O2)비가 0.1에서는 감소하고, 그 이상에서는 증가하였으며, 광투과도는 O2/(Ar+O2)비에 거의 영향을 받지 않았다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.2
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• pp.145-152
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• 1996

태양전지의 앞면전극으로 사용될 SnO2박막을 spray pyrolysis 방법으로 증착하여 증착조건에 따른 박막 특성을 연구하였다. 증착온도가 증가함에 따라 SnO2박막의 우선방위가 (200)면에서 면밀도가 더 높은 (211), (110)면으로 바뀌었고 막의 미세구조도 거칠고 각진 구조에서 평탄한 구조로 변하였다. 또한 더 안정된 결정면 성장과 온도 증가에 의해 CI, F 등의 불순물 흡착이 어려워져 전자 전하농도가 감소하고 비저항 값이 증가하였다. 특히 50$0^{\circ}C$ 이상에서는 전하농도가 크게 감소하여 비저항이 크게 증가하였다. NH4F/Sn=2.3인 용액으로 40$0^{\circ}C$에서 증착된 SnO2박막은 약 90%이상의 광투과도를 갖고 균일한 도핑으로 인해 약 4$\times$10-4$\Omega$ .cm의 낮은 비저항 값을 나타내었다. 두께에 따른 판저항과 광투과도의 상반된 효과를 고려한 figure of merit으로부터 투명전극으로써 가장 적절한 두께는 약 500nm이었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.228.1-228.1
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• 2014

투명전도성 산화물(TCO,Transparent Conductive Oxide) 물질로 널리 사용되는 ITO 박막은 산화물 반도체를 평판 디스플레이용 투명전극 재료로 개발하기 위한 많은 연구가 진행되고 있다. ITO (Indium tin oxide)는 약 3.5 eV 정도의 넓은 밴드갭을 가진 축퇴반도체로서 전기적 및 광학적 특성이 우수하기 때문에 대표적 투명전도성 박막으로 가장 많이 사용되고 있다.현재 양산화된 ITO의 조성비는 90:10WT%인 타겟을 사용하는대 투명전극은 비저항이 $1{\times}10-3{\Omega}/sq$이하로 면저항이 $103{\Omega}/sq$전기전도성이 우수하고 380에서 780 nm의 가시광선 영역에서의 투과율이 80% 이상이라는 두 가지 성질을 만족시키는 박막이다. 본 실험에서는 SnO2 1~5wt% 인 ITO타겟을 제작하고 RF-Magnetron Sputtering을 사용하여 영구자석을 이용한 고밀도 플라즈마로 높은 점착성과, 균일한 박막 및 대면적 공정이 가능한 RF-magnetron sputtering방법으로 기판인 Slide glass위에 ITO를 증착하여 광학적 특성 및 전기적 특성에 대하여 측정하였다. 전기적, 광학적 특성 등 XRD을 통해 분석하였다. 그리고 증착된 모든 ITO 박막에서 가시광 투과율을 측정하기 위해 UV-Vis spectrophptometer을 이용하여 분석한 결과 90%이상의 높은 투과율이 측정되었다. ITO박막은 Anti-Fogging, Self-Cleaning, Solar cell 및 디스플레이소자 등 다양한 산업에 이용 가능할 것으로 생각된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.5
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• pp.391-396
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• 2010

The pn junction for solar cell was prepared on p-type Si wafer by the furnace using the $POCl_3$ and oxygen mixed precursor to research the characteristic of interface at pn junction. The sheet resistance was decreased in accordance with the increasing the diffusion process time for n-type doping on p-type Si wafer. The electron affinity at the interface in the pn junction was decreased with increasing the amount of n-type doping and the sheet resistance also decreased. Consequently, the drift current due to the generation of EHP increased because of low potential barrier. The efficiency and fill factor were increased at the solar cell with increasing the diffusion process time.

• Journal of the Korean Society of Safety
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• v.19 no.2
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• pp.125-129
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• 2004

In masive concrete placement, cracking problem due to hydration heat is frequently encountered. One of measure to solve this problem is to make a construction joint. However, it is cumbersome to make it by chipping the surface of joint. In this study, push-out test for 18 specimens was conducted to compare the interface shear strength of consturction joints whose surfaces were prepared with three methods; chipping, rib-lath, folded rib-lath. Compared to the specimens made with conventional surface chipping, those with rib-lathe showd excellent preformance increasing shear resistance capacity and the role of shear key conceived by folding rib-lath played important role in enhancing shear resistance.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.12 no.2
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• pp.68-72
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• 2002

In this research, the effects of capacitance to the access time were studied at the junction area of tunneling magnetoresistance when these were used as memory devices. These results were obtained by applying electric signal input and magnetic field was not used. We applied bipolar square waves of 1MHz to the MTJ samples to obtain the results and time constant ($\tau$) calculated by observing wave responses utilizing an oscilloscope. And time constant was compared with junction area. Each part of MTJ sample, such as electrical pad, lead and contact area, was modeled as an electrical equivalent circuit based on experimental results. For the 200㎛$\times$200㎛ cell, junction capacitance was 90 pF. Also, measurement and simulation results were compared, which showed those similarity.

• 전기의세계
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• v.14 no.4
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• pp.22-27
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• 1965

우리나라의 speaker제작의 역사는 얼마되지 않을 뿐더러 자급자족의 영역을 못 벗어나고 있다. Weston speaker, 자사내에서 자급자족하고 있는 금성사제 speaker등 완전히 질량의 단계에 못들어가고 있는 실정이다. 그나마 성능면에서도 뒤떨어짐을 면할 수 없는 실정이다 .부속품 예컨데 자철 coil접착제등 거이 매매회사에서 직수입하고 있는 형편인것 같다. 물론 종합공업이 발달해야만 되겠기에 단편적 발달은 기하기 어려울 줄 안다. 그러나 speak의 조립 공정에서 끝마치고 있는 형편이고 보면 한심할 지경이다. 물론 speaker제작이라고 하는 것은 극히 delicacy한 면을 가지고 있다. 즉 효율은 $B^{2}$에 비례하는것은 당연하지만 효율을 높이고저 공기부하의 저항을 크게 할려면 corn의 입경이 크게 되므로 자연적으로 진동계의 질량이 크게되며 또 voice coil의 저항을 적게하자니 coil가 필연적으로 굵게되어 길이가 짧게 될 뿐만아니라 air gap 이 크게되어 자속밀도 B가 적게 되는 상반관계가 있다. Cabinet, baffle, corn, corrugation, speaker system등을 가장 합리적으로 설계할 필요가 있다. 이 실험결과를 보고함으로서 speaker연구에 대한 욕구를 갖고 의욕적인 계기가 되었으면 한다. Voice coil 의 turn수를 바뀌었을때 impedance을 측정하였으며 turn수와 음압level 및 주파수 관계를 알아보았다. 그리하여 중형 speaker의 주파수특성을 알아 설계에 기여하고저 한다.