• 한국진공학회지
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• 제21권4호
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• pp.185-192
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• 2012

Light Emitting Diode (LED) 칩의 크기는 전도를 통한 열의 방출에 있어 면적의 확대로 인한 열 밀도의 감소와 칩의 외부양자효율 변화로 인하여 LED 칩의 p-n 정션 온도와 패키지의 열 저항에 영향을 미친다. 본 연구에서는 16칩 LED 패키지에서 칩의 크기가 0.6 mm와 1 mm인 두 가지 경우에 대하여 순전압(forward voltage)을 측정하였고, 순간열분석법(thermal transient analysis)을 이용하여 정션 온도와 열 저항을 평가하였으며, 이를 LED 칩의 전기적인 특성과 LED 패키지의 구조적인 특성과 연관하여 해석하였다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.123.1-123.1
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• 2005

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.667-668
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• 2010

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.689-690
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• 2009

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2010년도 추계학술대회 논문집
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• pp.545-546
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• 2010

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2011년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.749-750
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• 2011

• 한국정밀공학회지
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• 제26권12호
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• pp.23-31
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• 2009

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권2호
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• pp.11-15
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• 2017

실리콘 칩을 적층하는 3D 멀티 플립칩 패키지의 경우 방열문제가 대두됨에 따라 접착 접합부의 열전도도 향상이 요구되고 있다. 본 연구에서는 플립칩 본딩용 비전도성 접착제(NCP)에 있어서 알루미나 필러의 첨가가 NCP의 물성 및 열전도도에 미치는 영향을 조사하였다. 알루미나 필러는 미세피치 플립칩 접속을 위해 평균입도 400 nm의 미세분말을 사용하였다. 알루미나 필러 함량이 0~60 wt%까지 증가함에 따라 60 wt% 첨가 시 0.654 W/mK에 도달하였다. 이는 동일 첨가량 실리카의 0.501 W/mK보다는 높은 열전도도이지만, 동일 함량의 조대한 알루미나 분말을 첨가한 경우에 비해서는 낮은 열전도도로, 미세 플립칩 본딩을 위해 입도가 미세한 분말을 첨가하는 것은 열전도도에 있어서는 불리한 효과로 작용함을 알 수 있었다. NCP의 점도는 40 wt% 이상에서 급격히 증가하는 현상을 나타내었는데, 이는 미세 입도에 따른 필러 간 상호작용의 증가에 기인하는 것으로, 미세피치 플립칩 본딩을 위해 열전도도가 우수한 미세 알루미나 분말을 사용하기 위해서는 낮은 점도를 유지하면서 필러 첨가량을 증가시킬 수 있는 분산방안이 필요한 것으로 판단되었다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제25권12호
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• pp.34-41
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• 2011

In order to understand the thermal performance of each LED chips in multi-chip LED package, a quantitative parametric analysis of the temperature evolution was investigated by thermal transient analysis. TSP (Temperature Sensitive Parameter) value was measured and the junction temperature was predicted. Thermal resistance between the p-n junction and the ambient was obtained from the structure function with the junction temperature evolution during the cooling period of LED. The results showed that, the thermal resistance of the each LED chips in 4 chip-LED package was higher than that of single chip- LED package.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.578-583
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• 2021

본 논문에서는 반도체의 신뢰성을 테스트하기 위한 가속 시험에 대해 설명하고 자동차 반도체의 신뢰성 테스트 국제 표준인 AEC-Q100에 대해 다룬다. 반도체는 수십년 동안 사용할 수 있기 때문에 수명 전주기에서 발생하는 잠재적인 문제점을 테스트하기 위해서는 집중적으로 스트레스를 가하여 테스트 시간을 최소화하는 가속 시험이 필수적이다. 자동차 반도체에서 사용하는 대표적인 가속 시험인 AEC-Q100은 반도체에서 발생하는 각종 불량과 그 원인을 분석할 수 있도록 설계되었기 때문에 반도체의 수명과 신뢰성을 예측할 수 있을 뿐만 아니라 설계상, 제조상의 문제도 쉽게 찾아낼 수 있다. AEC-Q100은 가속 스트레스 시험, 가속 수명 시험, 패키지 적합성 시험, 공정 신뢰성 시험, 전기적 특성 시험, 결함 검출 시험, 기계적 특성 시험의 7개 테스트 그룹으로 구성되며 동작 온도에 따라 Grade 0에서 Grade 3까지 4개의 등급이 존재한다. 반도체 소자, 광전자 반도체, 센서 반도체, 멀티 칩 모듈, 수동 소자 분야에서는 각각 AEC-Q101, Q102, Q103, Q104, Q200이 사용된다.