• Title/Summary/Keyword: 두께 분포

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Abnormal Region Extraction of Brain MR Images Using Mean of White-grey Matter Thickness (회백질 두께 평균치를 이용한 뇌 MR영상의 비정상 영역 추출)

  • 조경은;채정숙;조형제
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2001.10b
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    • pp.466-468
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    • 2001
  • 의료 영상 처리 기술은 질병의 진단 및 치료를 위한 계획이나 방법을 결정하는데 있어 매우 중요한 역할을 하고 있으며 의료 영상 시스템과 같은 활용 분야에서는 질병이 있는 환자의 자동 진단을 위한 연구도 활발하게 이루어지고 있다. 여기서는 뇌 MR영상에서의 질병을 자동 진단할 수 있는 방법에 관한 연구를 한다. 뇌 MR영상에서의 질병 진단을 위한 단계로서 필수적으로 이루어져야 하는 단계가 비정상 영역의 추출 단계이다. 이 논문에서는 뇌의 질병 진단에 사용할 수 있는 자료를 제공하기 위한 전처리 단계로서 질병이 있는 환자의 뇌 영상에서 비정상적인 영역 추출 방법을 제안한다. 일반적으로 비정상적인 영역의 명암간 분포는 회백질 영역의 분포와 유사하나 두께 차이로서 구분이 가능하다. 여기서는 이 정보를 활용하여 정상인의 뇌영상에 대해서 회백질의 평균 두께 분포를 구하여 테스트로 입력되어지는 영상에서 회백질의 평균 두께 이상의 영역만을 남김으로서 질병이 있는 환자의 뇌 영상에서 비정상적인 영역을 추출할 수 있음을 보인다. 또한 추출되어진 비정상 영역에 대해서 진단에 필요한 인자를 자동으로 측정하였고 뇌경색, 뇌종양 환자를 포함한 63명의 뇌 MR 영상 시리즈에 대해서 실험하여 비교적 정확한 추출결과를 유도할 수 있었음을 확인하였다.

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Comparative Study of Reliability Analysis Methods for Discrete Bimodal Information (바이모달 이산정보에 대한 신뢰성해석 기법 비교)

  • Lim, Woochul;Jang, Junyong;Lee, Tae Hee
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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    • v.37 no.7
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    • pp.883-889
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    • 2013
  • The distribution of a response usually depends on the distribution of a variable. When the distribution of a variable has two different modes, the response also follows a distribution with two different modes. In most reliability analysis methods, the number of modes is irrelevant, but not the type of distribution. However, in actual problems, because information is often provided with two or more modes, it is important to estimate the distributions with two or more modes. Recently, some reliability analysis methods have been suggested for bimodal distributions. In this paper, we review some methods such as the Akaike information criterion (AIC) and maximum entropy principle (MEP) and compare them with the Monte Carlo simulation (MCS) using mathematical examples with two different modes.

Analysis on the Relations of Droplet Size Distribution and Optical Depth in Water Curtain (워터커튼에서 액적의 크기 분포와 광학 두께의 상관관계 분석)

  • You, Woo Jun;Ryou, Hong-Sun
    • Fire Science and Engineering
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    • v.30 no.2
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    • pp.62-67
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    • 2016
  • In this study, the optical depth is analyzed with the effects of droplet size distribution of the water curtain nozzle to attenuate the radiative heat transfer. The HELOS/VARIO equipment is used for the measurement of the droplet size distributions. The spray characteristics are quantified by the investigation of Deirmenjian's modified gamma distribution function. The distribution constant of the nozzle can be obtained as ${\alpha}=1$ and ${\gamma}=5.2$. The generalized equation of the optical depth related with the droplet size distribution is introduced. These results will be applicable to the analysis of the design condition of the water curtain nozzle.

Two-sample chi-square test for randomly censored data (임의로 관측중단된 두 표본 자료에 대한 카이제곱 검정방법)

  • 김주한;김정란
    • The Korean Journal of Applied Statistics
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    • v.8 no.2
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    • pp.109-119
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    • 1995
  • A two sample chi-square test is introduced for testing the equality of the distributions of two populations when observations are subject to random censorship. The statistic is appropriate in testing problems where a two-sided alternative is of interest. Under the null hypothesis, the asymptotic distribution of the statistic is a chi-square distribution. We obtain two types of chi-square statistics ; one as a nonnegative definite quadratic form in difference of observed cell probabilities based on the product-limit estimators, the other one as a summation form. Data pertaining to a cancer chemotheray experiment are examined with these statistics.

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Analysis for Potential Distribution of Asymmetric Double Gate MOSFET (비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포 분석)

  • Jung, Hakkee;Lee, Jongin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2013.10a
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    • pp.691-694
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    • 2013
  • This paper has presented the potential distribution for asymmetric double gate(DG) MOSFET, and sloved Poisson equation to obtain the analytical solution of potential distribution. The symmetric DGMOSFET where both the front and the back gates are tied together is three terminal device and has the same current controllability for front and back gates. Meanwhile the asymmetric DGMOSFET is four terminal device and can separately determine current controllability for front and back gates. To approximate with experimental values, we have used the Gaussian function as charge distribution in Poisson equation. The potential distribution has been observed for gate bias voltage and gate oxide thickness and channel doping concentration of the asymmetric DGMOSFET. As a results, we know potential distribution is greatly changed for gate bias voltage and gate oxide thickness, especially for gate to increase gate oxide thickness. Also the potential distribution for source is changed greater than one of drain with increasing of channel doping concentration.

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Drain Induced Barrier Lowering of Asymmetric Double Gate MOSFET for Channel Doping Profile (비대칭 DGMOSFET의 도핑분포함수에 따른 DIBL)

  • Jung, Hakkee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.19 no.11
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    • pp.2643-2648
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    • 2015
  • This paper analyzes the phenomenon of drain induced barrier lowering(DIBL) for doping profiles in channel of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The DIBL, the important short channel effect, is described as lowering of source barrier height by drain voltage. The analytical potential distribution is derived from Poisson's equation to analyze the DIBL, and the DIBL is observed according to the change of doping profile to influence on potential distribution. As a results, the DIBL is significantly influenced by projected range and standard projected deviation, the variables of channel doping profiles. The change of DIBL shows greatly in the range of high doping concentration such as $10^{18}/cm^3$. The DIBL increases with decrease of channel length and increase of channel thickness, and with increase of bottom gate voltage and top/bottom gate oxide film thickness.

Stress Distribution under a Geogrid-Reinforced Soil Pad (지오그리드로 보강한 성토지반의 응력분포)

  • 이규진;신방웅;신은철
    • Journal of the Korean Geotechnical Society
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    • v.17 no.4
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    • pp.87-91
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    • 2001
  • 얕은 기초의 침하는 기초에 가해지는 상재 하중의 지반에 전달될 때 분포되는 응력의 특성과 크기에 관련되어 일어난다. 일반적으로 지반의 보강재로 사용되는 지오그리드로 두께가 작은 토체를 보강하면 지중에 전달되는 응력을 재분포시켜 감소시킨다. 이 논문에서는 현장시험을 통하여 여러 층의 지오그리드로 토체를 보강시 토체 상부에 가해지는 원형 등분포 하중하에서 토체의 응력 분포를 측정하였다. 인천국제 공항 건설 현장의 준설 매립 구간에서 행하여진 이 시험을 통하여, 지오그리드로 보강된 토체의 하중 분포는 기초에 가해지는 하중 강도와, 보강재 포설층수, 토체의 두께의 함수로 나타낼 수 있다.

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An Experimental Study on precision Injection Molding of Center-gated Disks (원반 형상의 정밀사출성형에 관한 실험적 연구)

  • 윤경환
    • The Korean Journal of Rheology
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    • v.7 no.1
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    • pp.19-27
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    • 1995
  • 정밀사출성형품을 생산하기 위해서는 성형조건의 변화가 최종 사출품에 어떠한 영 향을 미치는 가에 대한 연구가 필요하다. 본논문에서는 성형조건을 조직적으로 변화시키며 가장 간단한 원반형상의 사출품에 남는 복굴절의 분포를 측정함으로써 성형조건의 변화가 최종 사출품의 광학적 이방성의 구조에 어떠한 영향을 미치는 가에 초점을 맞추었다. 광탄 성적 성질이 많이 다른 폴리스틸렌과 폴리카보네이트를 재료로 지름이 10.16cm 이고 두께 가 2mm인 금형을 사용하였다. 두께 방향의 복굴절양과 광학 주축각의 분포를 통해 보압크 기가 최종사출품의 광학적 이방성, 특히 내측의 두 개의 정점값에 미치는 영향을 알수 있었 다. 한편 서로 다른 두 물질의 광학적, 물리적 성질의 차이점에 기인한 복굴절 분포의 구조 적 차이점도 발견할수 있었다. 이 실험 데이터는 컴퓨터 모사에의한 최종사출품의 잔류 응 력과 광학적 이방성 예측에도 중요한 자료가 되리라 믿는다.

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Analysis of Subthreshold Current Deviation for Gate Oxide Thickness of Double Gate MOSFET (게이트 산화막 두께에 따른 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류 변화 분석)

  • Jung, Hakkee;Jeong, Dongsoo;Lee, Jong-In;Kwon, Oshin
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2013.05a
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    • pp.762-765
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    • 2013
  • This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for gate oxide thickness, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, we know the subthreshold current was influenced on parameters of Gaussian function and gate oxide thickness for DGMOSFET.

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Gate Oxide Dependent Subthreshold Current of Double Gate MOSFET (이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 전류에 대한 게이트 산화막 의존성)

  • Jung, Hakkee
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.18 no.2
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    • pp.425-430
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    • 2014
  • This paper analyzed the change of subthreshold current for gate oxide thickness of double gate(DG) MOSFET. Poisson's equation had been used to analyze the potential distribution in channel, and Gaussian function had been used as carrier distribution. The potential distribution was obtained as the analytical function of channel dimension, using the boundary condition. The subthreshold current had been analyzed for gate oxide thickness, and projected range and standard projected deviation of Gaussian function. Since this analytical potential model was verified in the previous papers, we used this model to analyze the subthreshold current. Resultly, analytical model showed that subthreshold current was influenced by parameters of Gaussian function and gate oxide thickness of DGMOSFET.