본 논문은 Platen동작제어에 의한 한글델레타이프외 세가지 제어논리회로를 설계검토하였다. 일반적인 논리회로 구성방법에 의한 설계결과, 상태, 상태변이함수 그리고 출력함수외 순서로 설계한 Pulse mode의 제어회로가 가장 간단하였다. 이때 필요한 기억소자는 D Flip-Flop 2회 뿐이었다.
본 논문에서는 전하트랩형 SONOS 메모리에서 프로그래밍 동작 후 변화되는 문턱전압을 시뮬레이션에 의하여 구현하고자 한다. SONOS 소자는 질화막내의 트랩 뿐 만아니라, 질화막-블로킹산화막 계면에 존재하는 트랩에 전하를 저장하는 전하트랩형 비휘발성기억소자로서, 기억상태에 따른 문턱전압을 시뮬레이션으로 구현하기위해서는 질화막내의 트랩을 정의할 수 있어야 된다. 그러나 기존의 시뮬레이터에서는 질화막내의 트랩모델이 개발되어 있지 않은 것이 현실이다. 따라서 본 연구에서는 SONOS 구조의 터널링산화막-질화막 계면과 질화막-블로킹산화막 계면에 두개의 전극을 정의하여 프로그램 전압과 시간에 따라서 전극에 유기되는 전하량으로부터 전하트랩형 기억소자의 문턱전압변화를 시뮬레이션 할 수 있는 새로운 방법을 제안한다.
서론 : 실행증과 관련된 신경학적 손상에 대한 이해는 병변 부위에 따른 증상을 예측하고 적절한 치료와 목표를 구성하는데 기반이 될 수 있다. 따라서 본 연구는 문헌고찰을 통하여 관념운동실행증의 원인과 행동 오류의 기전을 알아보고, 이와 더불어 치료에 이용될 수 있는 근거를 제시하고자 한다. 본론 : 실행의 모델에서 알 수 있듯이 관념운동실행증은 실행 시스템에서 생산적 측면만의 손상으로 발생할 수 있으며 신경학적 부위는 피질하 손상보다는 피질 수준의 손상이 더 흔하다. 제스쳐를 통한 연구에 따르면 팔의 동작과 관련하여서는 왼쪽 두정엽, 손가락 자세에 따른 동작은 전두엽의 기능과 관련이 있다. 실제 물체를 사용함으로써 얻어질 수 있는 시각, 촉각의 자극들은 익숙한 동작에 대한 기억과는 별도로 올바른 동작을 유도시킬 수 있다. 결론 : 실행은 다양한 신경학적 부위의 처리 과정을 통해 일어나며 다양한 외부의 자극들이 실행에 도움을 줄 수 있음으로 관념운동실행증의 치료에는 이러한 자극들을 이용하는 것이 필요할 것이다.
무기물 나노입자를 포함한 유기 박막인 나노 복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자는 공정의 간단함과 낮은 전력구동이 가능하다는 장점 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자로 각광받고 있다. 다양한 나노입자를 포함한 유기 박막을 사용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 연구는 많이 진행되었지만, 코어-쉘 나노입자가 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 유기 박막에 분산되어 있는 나노 복합체를 활성층으로 사용하여 제작한 비휘발성 유기 메모리 소자의 전기적 특성과 메모리 메커니즘에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 코어-쉘 나노 입자가 PMMA 박막 안에 분산되어 있는 나노복합체를 사용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 전기적 특성, 정보 유지력 및 메모리 스위칭 동작에 대하여 관찰 하였다. 소자 제작을 위해 hexane 안에 들어 있는 코어-쉘 나노입자를 Chlorobenzene에 용해되어 있는 PMMA에 넣어 초음파 교반기를 사용하여 나노입자를 고르게 분산하였다. 코어-쉘 나노입자가 PMMA에 고르게 분산 된 용액을 전극으로 사용 할 Indium-tin-oxide가 성장된 glass 위에 스핀코팅을 한 후 열처리를 하여 용매를 제거한 후 코어-쉘 입자가 PMMA에 분산되어 있는 박막을 형성하였다. 코어-쉘 입자가 PMMA에 분산된 나노복합체 위에 Al을 상부전극으로 열 증착하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압 (I-V) 특성을 측정결과는 특정한 두께에서 낮은 전도도 (ON state)와 높은 전도도 (OFF state)가 존재하는 쌍안정성 특성을 확인하였다. 코어-쉘 나노입자가 포함되지 않은 소자에서는 쌍안정성 특성이 보이지 않아 코어-쉘 나노입자가 비휘발성 메모리 소자의 기억 특성을 나타내는 중요한 저장 매체가 됨을 알 수 있었다. 제작된 메모리 소자의 메모리 동작에 대한 메커니즘 설명은 I-V와 에너지 밴드 구조를 사용하여 설명할 것이다.
고속의 동작 주파수를 갖는 메모리 제어기를 설계하여 PCB에서 고속 메모리와 통신을 할 경우 연결선의 길이와 배치에 따라 데이터가 전달되는 시간이 달라진다. 따라서 메모리 제어기를 설계한 뒤 PCB 상에서 메모리와 연결하여 동작시킬 때마다 이러한 지연시간이 달라져 제어기의 입출력 회로를 다시 설계하거나 초기화시 내부 설정을 바꾸어 주어야 한다. 본 논문에서는 이러한 문제를 해결하기 위해 제어기 내부에 초기화 단계에서 메모리에 테스트 패턴을 쓰고 읽으며 지연시간을 측정하고 적응적으로 지연시간을 고려한 입출력 회로를 구성하는 학습 방법을 제안한다. 제안한 학습 방법에서는 테스트 패턴을 쓰고 최소 시간 단위로 데이터를 읽는 타이밍을 바꾸어 가며 차례로 읽기를 시도하여 테스트 패턴이 정확히 읽히는 타이밍을 기억하여 초기화가 끝난 뒤 정상 동작을 시작하였을 때 학습 결과를 반영하여 메모리 접근을 시도한다. 제안한 학습 방법을 이용하면 PCB에 새로운 시스템을 구성하여도 초기화시 지연시간을 새로 설정하므로 제어기와 메모리의 통신 지연 문제를 해결할 수 있다. 제안한 방식은 고속의 SRAM, DRAM, 플래시 메모리 등에 사용 가능하다.
스마트폰과 같은 가상 메모리 환경의 임베디드 시스템은 메인 메모리의 제약과 다양한 응용프로그램들이 동시에 수행되어지기 때문에, 스왑 인/아웃(swap in/out)이 빈번히 일어난다. 스왑 비용은 메인 메모리에서 데이터를 사용하는 것보다 많은 시간이 걸려 이를 줄이기 위해 고속스왑장치를 사용한다. 이 때 기존 페이징에서 고려되지 않았던 코드 페이지를 스왑대상에 포함한다면, 빈번히 재시작이 일어나는 프로그램의 재기동 시간을 단축할 수 있을 것이다. 본 논문에서는 고속스왑장치를 사용하여 스왑비용을 낮추고, 자주 사용하는 코드를 동적으로 확인하여 코드페이지를 스왑대상에 포함시키는 방법을 제시한다. 이 기법의 효과를 확인하기 위해 멀티미디어 프로그램의 재기동 동작 시, 메모리 접근 정보를 트레이스(trace)하여 보조기억장치의 읽기 시간 감소를 확인하였다.
본 논문에서는 점진적 메쉬의 보다 엄밀한 의미에서의 선택적 세분화 방법을 제안한다. 기존의 선택적 세분화 방법은 정점분할 및 에지붕괴 연산이 수행되기 위해서는 현재의 1-고리 이웃 상황이 점진적 메쉬 분석 단계에 기억해 놓은 1-고리 이웃과 같을 때만 올바로 동작하도록 되어 있는 증가적 방법이다. 이러한 증가적 방법은 메쉬의 부분적 해상도 변경을 하게 되면 인접한 부분의 해상도가 그 부분의 해상도를 좇아가게 되는 단점을 가지고 있다. 본 논문에서 제안하는 방법은 점진적 메쉬 표현이 가지는 정점의 계층적 구획화 성질에 기반한 것으로, 원하는 메쉬의 부분에 대해 해상도를 변경할 때, 인접 부분의 정점분할 및 에지붕괴 연산을 초래하지 않아 보다 엄밀한 의미에서의 점진적 메쉬의 선택적 세분화를 수행할 수 있다.
자바카드 기술은 스마트카드나 메모리 제한적인 장치에서 자바 프로그래밍 언어로 작성된 응용프로그램을 동작 가능하게 한다. 자바카드 기술은 높은 안전성, 이식성, 다중의 응용프로그램을 관리하고 저장하는 기능을 제공한다. 그러나 자바카드 플랫폼의 제한적인 메모리 자원은 다양한 용도로 자바카드가 보급되는데 저해 요인으로 작용하고 있다. 따라서 본 논문에서는 자바카드의 효율적인 메모리 사용을 위해서 바이트코드 최적화 알고리즘을 제안한다. 이 알고리즘은 예외처리 구문 try-catch-finally에서 catch절의 매개변수에 대한 기억장소를 공유하게 함으로써 생성되는 바이트코드의 크기를 줄일 수 있다.
사람은 노화가 진행됨에 따라 기억력, 지능, 언어, 운동 기능 등의 인지능력이 저하되므로 대상 노인에 특성에 맞는 적절한 재활치료 방법을 적용해야 한다. 체감형 3D 인지시스템은 가상현실을 기반으로 하고 인지능력 향상을 위한 컨텐츠를 적용하여 환자의 특성에 맞는 의료 활동을 수행할 수 있다. 특히 원예 컨텐츠는 노인들의 참여도를 높일 수 있고 인지능력 향상과 우울증 감소에 도움이 된다. 이러한 가상현실 시스템은 위치인식, 동작인식, 디스플레이 등의 하드웨어 장치들을 이용하여 구현 가능하다. 본 논문에서는 노화에 따른 인지기능 저하와 종류와 특징을 분석하고 관련 재활치료 방법을 조사하였다. 또한 체감형 3D 인지시스템을 구성하는 모듈과 재활치료에 적합한 가상현실 컨텐츠를 제안하였다.
Non-volatile SNOSFET memory devices using CMOS 1Mbit design rule(1.2$\mu\textrm{m}$), whose channel width and length are 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$, 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$, 2.0${\times}$15$\mu\textrm{m}$ and length are 15${\times}$1.7$\mu\textrm{m}$, respectivley, were fabricated. And the transfer, Id-Vd and switching characteristics of the devices were investigated. As a result, the 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$ device was good in the transfer characteristics and the switching characteristics were favourable, which had $\Delta$V$\sub$TH/=6.3V by appling pulse voltage of V$\sub$w/=+34V, Tw=50msec.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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