• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.12 no.4
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• pp.1-6
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• 1975

본 논문은 Platen동작제어에 의한 한글델레타이프외 세가지 제어논리회로를 설계검토하였다. 일반적인 논리회로 구성방법에 의한 설계결과, 상태, 상태변이함수 그리고 출력함수외 순서로 설계한 Pulse mode의 제어회로가 가장 간단하였다. 이때 필요한 기억소자는 D Flip-Flop 2회 뿐이었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• v.9 no.1
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• pp.981-984
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• 2005

This study is to realize its threshold voltage shift after programming operation in charge trap type SONOS memory by simulation. SONOS devices are charge trap type nonvolatile memory devices in which charge storage takes place in traps in the nitride-blocking oxide interface and the nitride layer. For simulation of their threshold voltage as a function of the memory states, traps in the nitride layer have to be defined. However, trap models in the nitride layer are not developed in commercial simulator. So, we propose a new method that can simulate their threshold voltage shift by an amount of charges induced to the electrodes as a function of a programming voltages and times as define two electrodes in the tunnel oxide-nitride interface and the nitride-blocking oxide interface of SONOS structures.

• Therapeutic Science for Rehabilitation
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• v.4 no.1
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• pp.19-28
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• 2015

Introduction : The Understanding of neurological lesion relating to apraxia will help to predict symptoms according to a lesion and to establish a proper treatment and goal. So, This study will explain causes and mechanism of a movement error of ideomotor apraxia through literature review and also will suggest the evidence using in treatment. Body : Ideomotor apraxia may occur a damage of the production part in praxis system, and is common in damage of a cortex rater than damage of a subcortex. According to study with gesture, movement of upper limbs is relate of left parietal lobe but finger movement is relate of frontal lobe. The visual and tactile stimulation through using real objects could guide into proper movement aside from memory of a skilled action. Conclusion : Praxis can occur through diverse neurological processing and various external stimulations can help praxis processing. Therefore, the treatment of ideomotor apraxia need to use this stimulations.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.08a
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• pp.366-366
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• 2012

무기물 나노입자를 포함한 유기 박막인 나노 복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자는 공정의 간단함과 낮은 전력구동이 가능하다는 장점 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자로 각광받고 있다. 다양한 나노입자를 포함한 유기 박막을 사용한 비휘발성 메모리 소자에 대한 연구는 많이 진행되었지만, 코어-쉘 나노입자가 poly (methylmethacrylate) (PMMA) 유기 박막에 분산되어 있는 나노 복합체를 활성층으로 사용하여 제작한 비휘발성 유기 메모리 소자의 전기적 특성과 메모리 메커니즘에 대한 연구는 비교적 미미하다. 본 연구에서는 코어-쉘 나노 입자가 PMMA 박막 안에 분산되어 있는 나노복합체를 사용한 비휘발성 메모리 소자를 제작하여 전기적 특성, 정보 유지력 및 메모리 스위칭 동작에 대하여 관찰 하였다. 소자 제작을 위해 hexane 안에 들어 있는 코어-쉘 나노입자를 Chlorobenzene에 용해되어 있는 PMMA에 넣어 초음파 교반기를 사용하여 나노입자를 고르게 분산하였다. 코어-쉘 나노입자가 PMMA에 고르게 분산 된 용액을 전극으로 사용 할 Indium-tin-oxide가 성장된 glass 위에 스핀코팅을 한 후 열처리를 하여 용매를 제거한 후 코어-쉘 입자가 PMMA에 분산되어 있는 박막을 형성하였다. 코어-쉘 입자가 PMMA에 분산된 나노복합체 위에 Al을 상부전극으로 열 증착하여 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 전류-전압 (I-V) 특성을 측정결과는 특정한 두께에서 낮은 전도도 (ON state)와 높은 전도도 (OFF state)가 존재하는 쌍안정성 특성을 확인하였다. 코어-쉘 나노입자가 포함되지 않은 소자에서는 쌍안정성 특성이 보이지 않아 코어-쉘 나노입자가 비휘발성 메모리 소자의 기억 특성을 나타내는 중요한 저장 매체가 됨을 알 수 있었다. 제작된 메모리 소자의 메모리 동작에 대한 메커니즘 설명은 I-V와 에너지 밴드 구조를 사용하여 설명할 것이다.

• Journal of IKEEE
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• v.17 no.2
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• pp.168-175
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• 2013

The delay times due to the propagating of data on PCB depend on the shape and length of interconnection lines when memory controllers and high speed memories are soldered on the PCB. The dependency on the placement and routing on the PCB requires redesign of I/O logic or reconfiguration of the memory controller after the delay time is measured if the controller is programmable. In this paper, we propose architecture of configuring logic for the delay time estimation by writing and reading test patterns while initializing the memories. The configuration logic writes test patterns to the memory and reads them by changing timing until the correct patterns are read. The timing information is stored and the configuration logic configures the memory controller at the end of initialization. The proposed method enables easy design of systems using PCB by solving the problem of the mismatching caused by the variation of placement and routing of components including memories and memory controllers. The proposed method can be applied to high speed SRAM, DRAM, and flash memory.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2012.06a
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• pp.51-53
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• 2012

스마트폰과 같은 가상 메모리 환경의 임베디드 시스템은 메인 메모리의 제약과 다양한 응용프로그램들이 동시에 수행되어지기 때문에, 스왑 인/아웃(swap in/out)이 빈번히 일어난다. 스왑 비용은 메인 메모리에서 데이터를 사용하는 것보다 많은 시간이 걸려 이를 줄이기 위해 고속스왑장치를 사용한다. 이 때 기존 페이징에서 고려되지 않았던 코드 페이지를 스왑대상에 포함한다면, 빈번히 재시작이 일어나는 프로그램의 재기동 시간을 단축할 수 있을 것이다. 본 논문에서는 고속스왑장치를 사용하여 스왑비용을 낮추고, 자주 사용하는 코드를 동적으로 확인하여 코드페이지를 스왑대상에 포함시키는 방법을 제시한다. 이 기법의 효과를 확인하기 위해 멀티미디어 프로그램의 재기동 동작 시, 메모리 접근 정보를 트레이스(trace)하여 보조기억장치의 읽기 시간 감소를 확인하였다.

• Journal of the Korea Computer Graphics Society
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• v.6 no.3
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• pp.25-34
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• 2000

본 논문에서는 점진적 메쉬의 보다 엄밀한 의미에서의 선택적 세분화 방법을 제안한다. 기존의 선택적 세분화 방법은 정점분할 및 에지붕괴 연산이 수행되기 위해서는 현재의 1-고리 이웃 상황이 점진적 메쉬 분석 단계에 기억해 놓은 1-고리 이웃과 같을 때만 올바로 동작하도록 되어 있는 증가적 방법이다. 이러한 증가적 방법은 메쉬의 부분적 해상도 변경을 하게 되면 인접한 부분의 해상도가 그 부분의 해상도를 좇아가게 되는 단점을 가지고 있다. 본 논문에서 제안하는 방법은 점진적 메쉬 표현이 가지는 정점의 계층적 구획화 성질에 기반한 것으로, 원하는 메쉬의 부분에 대해 해상도를 변경할 때, 인접 부분의 정점분할 및 에지붕괴 연산을 초래하지 않아 보다 엄밀한 의미에서의 점진적 메쉬의 선택적 세분화를 수행할 수 있다.

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.6 no.7
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• pp.1200-1208
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• 2003

Java Card technology allows us to run Java applications on smart cards and other memory-constrained devices. Java Card technology supports high security, portability and ability of storing and managing multiple applications. However, constrained memory resources of the Java Card Platform hinder wide deployment of the Java Card applications. Therefore, in this paper we propose a bytecode optimization algorithm to use the memory of a Java Card efficiently. Our algorithm can reduce the size of the bytecode by sharing the memory of the parameters of the catch clause in the try-catch-finally sentence.

• 기계와재료
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• v.23 no.1
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• pp.44-51
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• 2011

사람은 노화가 진행됨에 따라 기억력, 지능, 언어, 운동 기능 등의 인지능력이 저하되므로 대상 노인에 특성에 맞는 적절한 재활치료 방법을 적용해야 한다. 체감형 3D 인지시스템은 가상현실을 기반으로 하고 인지능력 향상을 위한 컨텐츠를 적용하여 환자의 특성에 맞는 의료 활동을 수행할 수 있다. 특히 원예 컨텐츠는 노인들의 참여도를 높일 수 있고 인지능력 향상과 우울증 감소에 도움이 된다. 이러한 가상현실 시스템은 위치인식, 동작인식, 디스플레이 등의 하드웨어 장치들을 이용하여 구현 가능하다. 본 논문에서는 노화에 따른 인지기능 저하와 종류와 특징을 분석하고 관련 재활치료 방법을 조사하였다. 또한 체감형 3D 인지시스템을 구성하는 모듈과 재활치료에 적합한 가상현실 컨텐츠를 제안하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1991.10a
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• pp.29-32
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• 1991

Non-volatile SNOSFET memory devices using CMOS 1Mbit design rule(1.2$\mu\textrm{m}$), whose channel width and length are 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$, 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$, 2.0${\times}$15$\mu\textrm{m}$ and length are 15${\times}$1.7$\mu\textrm{m}$, respectivley, were fabricated. And the transfer, Id-Vd and switching characteristics of the devices were investigated. As a result, the 15${\times}$1.5$\mu\textrm{m}$ device was good in the transfer characteristics and the switching characteristics were favourable, which had $\Delta$V$\sub$TH/=6.3V by appling pulse voltage of V$\sub$w/=+34V, Tw=50msec.