도핑 되지 않은 반 절연 LEC GaAs내의 EL2와 얕은 준위 분포를 영상화하기 위해 대역단 적외선 영상 기법을 활용했다. 대역단 적외선 투사 매핑에 근거한 본 기법은 분석 속도가 빠르고 비파괴적인 방법이다. EL2 흡수 영상이 콘트라스트 반전되는 대역단 부근에 대한 정량적인 해석은 아직 보고되지 않고 있다. 본 논문은 대역단 부근에서 영상의 특정 부분(cell, wall)에 대한 포토퀀칭 메커니즘의 스펙트럼-, 공간- 및 온도- 종속성을 논하고 있다. 결함 부분별(EL2w, EL2b)로 포토퀀칭 개시점이 다른 것은 불순물 종류의 차이로 인한 서로 다른 전기적 작용에 기인한 것으로 해석할 수 있다. 전위(dislocation) 밀도가 높은 곳에서는 EL2b 밀도는 약간 적은 반면 EL2w 밀도는 보다 많다는 것을 정량적 해석으로부터 확인 했다.
1.55 $\mu\textrm{m}$ 파장 대역에서 동작하는 파장가변 단일 주파수 레이저는 WDM 통신 시스템, 광섬유 센서, 분광학 분야에 유용하게 사용될 수 있다. 특히 어븀첨가 광섬유 레이저로 파장가변 단일 주파수 레이저를 구현하면 선폭이 가늘고, 세기 잡음이 작고, 출력 세기가 크다는 장점이 있기 때문에 많은 연구가 있어 왔다. 본 논문에서는 음향광학 대역투과 필터 (acousto-optic tunable bandpass filter, AOTBF)와 광섬유 흡수 격자를 사용하는 선형공진기 형태의 파장가변 단일 주파수 광섬유 레이저에 대해서 제안하고 구현하였다. (중략)
증기압 제어를 위한 저온부를 없애고, 고온부의 단일 온도영역만으로 GaAs 단결정을 성장 시키는 단일 온도대역 수평 Bridgman(1-T HB: single temperature zone horizontal Bridgman)방식에서는 증기압에 상응할만한 반응관 내부의 압력을 As 초과 유입량의 기화에 의하여 유지해야 하므로 그 양을 정밀하게 결정해 주어야 한다. 이것을 위하여, 우선적으로 Ga-As 계에서의 열화학적 특성을 규명하였고, 이에 근거하여 단일 온도대역 수평 Bridgman 법으로 결정성장할 때의 As 초과 유입량을 GaAs 장입량, 반응관 칫수, 온도구배 등에 의한 일반해로 유도하였다. 따라서 단일 온도대역 수평 Bridgman 법에 의한 GaAs 단결정 성장의 이론적 근거를 마련하였다.
본 논문에서는 단일 FET를 이용하여 900MHz/2.14GHz 이중 대역 고효율 도허티 전력증폭기 설계 구현을 하였다. 이중대역 도허티 전격증폭기의 출력전력은 900MHz 에서 35.91dBm, 2.14GHz에서 35.91 dBm의 출력을 얻었으며, 전력부가효율은 900MHz에서 40.32%, 2.14GHz에서는 40.47%의 효율을 획득 하였다. 또한 본 논문에서 단 하나의 능등소자를 이용하여 최대한의 출력전력을 얻기 위하여 최대 전력정합법을 사용하였으며 그 결과 이중대역 전력증폭기를 구현할 수 있었다.
본 논문에서는 GaN HEMT 소자를 이용한 고출력 고효율 특성을 가지는 광대역 SSPA의 개발을 다루고 있다. 개발한 SSPA는 8W 급과 15W 급의 GaN HEMT 소자를 사용하여 Pre-Drive 증폭단을 구성하였으며, Drive 증폭단은 50W/150W급 GaN HEMT 소자를 직/병렬구조로 사용하였다. Main 증폭단은 4-way 분배기와 결합기를 이용한 Balanced Structure를 적용하여 높은 출력을 구현하였으며, 안정적인 동작을 위하여 음(-)전원 제어 회로와 출력신호 검출 회로를 포함하고 있다. 제작된 SSPA의 사용가능 대역은 2.9GHz~3.3GHz로 단일전원을 사용하고 있으며 100us 펄스 폭, 10% Duty Cycle 조건에서 60dB의 전압이득, 1kW 출력과 약 28% 효율 특성을 가지는 것으로 측정되었다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 S-대역을 사용하는 레이더시스템의 송신단에 적용될 수 있다.
본 논문에서는 유전체 기판형태에서 대역통과 여파기의 크기를 줄이며, 감쇄극을 통과대역 양쪽에 적절하게 위치시키어 감쇄특성을 개선시킬 수 있는 구조를 제안한다. 제시된 구조는 일반적인 헤어핀구조와 접지면에 슬롯라인을 구현해주어 2단 대역통과 여파기를 설계하였다. 설계된 대역 여파기의 등가회로를 제시하였고 시뮬레이션 및 측정 결과를 비교하였다. 구현된 여파기는 일반적인 결합선로 여파기에 비해 크기를 크게 줄 일수 있었고, 감쇄특성은 3단 대역통과 여파기의 감쇄특성에 비교할 수 있다. 제시된 구조는 소형화 및 성능개선에 장점을 가지고 있어 다른 소자에도 많은 적용이 가능할 것으로 생각된다.
본 논문은 전자파 장해 및 복사 내성 측정의 대용 시험 시설로서 활용될 수 있는 전자파 잔향실의 전자기장 특성에 관한 연구이다. 잔향실 내에는 서로 다른 두 주파수 대역에서도 사용 가능한 이중 대역 확산기(diffuser)가 적용되었고, 이중 대역 확산기는 서로 다른 단일 대 역 Schroeder 방식의 QRD(Quadratic Residue Diffuser)로 합성되었다. 잔향실 내부의 전자기장 분포 해석을 위해서는 FDTD(Finite-Difference Time-Domain) 수치 해석 방식이 이용되었다. 잔향실에 사용된 이중 대역 확산기는 단일 대역 확산기에 비해 시험할 수 있는 주파수 대역 확장 뿐 아니라, 잔향실의 전자기장 균일도, 편파 특성, 전력 효율 및 공차 등의 성능을 향상시켰다. 따라서 이중 대역 확산기를 사용한 잔향실이 단일 대역 확산기를 사용한 잔향실보다 효율적인 시험시설로서 활용될 수 있음을 확인하였다.
본 논문에서는 IMT-Advanced 시스템에 적용할 수 있는 0.13-${\mu}m$ CMOS 이중대역 송신단 RF Front-End를 제안한 다. 제안하는 이중대역 송신단 RF Front-End는 3 세대(802.11), 3.5 세대(Mobile WiMAX), 그리고 4 세대(IMT-Advanced) 시스템 주파수 대역을 모두 지원하기 위해서 2300~2700 MHz와 3300~3800 MHz의 이중 주파수 대역을 지원한다. 본 논문에서 제안하는 이중대역 송신단 RF Front-End는 1.2 V의 공급 전원에서 45mA의 전류를 소모한다. 회로의 성능은 레이아웃 후 검증(Post Layout Simulation)을 통해 검증하였으며, 2 GHz 대역에서 +0 dBm의 출력 파워, 3 GHz 대역에서 +1.3 dBm의 출력 파워를 나타낸다.
본 논문에서는 우수한 양산성을 감안한 협대역 도파관형 대역통과 여파기를 제작하기 위하여 미리 제작된 판 재를 도파관 튜브의 내부에 파진 스롯에 끼워넣는 단일 E 평면구조를 제안하고, 이를 변분해석볍을 사용하여 해석하였다. 그리고 통과대역 보정법에 의한 여파기 합성설계방볍을 사용하여 마이크로파대 협대역 도파관형 대역통과 여파기를 설계하는 CAD 프로그램을 개발하였다. 개발된 프로그램으로 중심주파수 3.82GHz 5단 O.002dB equi-ripple Chebyshev형 28MHz의 대역폭을 갖는 대역통과 여파기를 설계하여 튜닝구조로 제작, 여파기 특성을 미세조정과정을 거쳐 실험하였다. 그 결과 이론치와 잘 일치하는 측정결과를 얻었다.
본 논문에서는 통합 안테나 모듈에 사용되는 능동 증폭단을 설계, 제작하였다. 제작한 통합 능동모듈은 AM/FM 대역, T-DMB 대역 및 GPS 대역에서 적절한 이득과 낮은 잡음지수 특성을 나타내었고, 또한 각 회로간의 간섭이 최소화하도록 설계되었다. AM 및 FM 대역에서 7.0dB, 11.0 dB 이득 특성을 나타내고, T-DMB 및 GPS 대역에서 10.0 dB, 17.0 dB의 이득을 갖는다. 제작한 증폭단 모듈은 35mm*35 mm의 크기로 구현할 수 있었고, 이를 적용한 통합 안테나 모듈의 수신감도 또한 기준 안테나와 비교했을 때 동등한 특성을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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