It was found that temperature and humidity did not affect the leakage current since the leakage current was irregularly increased or decreased at a temperature of $22^{\circ}C$ to $32^{\circ}C$ and a humidity of 60.0% to 96.0%. The insulation resistance in the vicinity of $26^{\circ}C$ was $10.70M{\Omega}$ to $4,000.00M{\Omega}$ and was low from $9.10M{\Omega}$ to $1,000.00M{\Omega}$ before and after $26^{\circ}C$. As the humidity was increase in a range of 60%~96%, the insulation resistance was reduced from $4,000.00M{\Omega}$ to $4.80M{\Omega}$, which indicates that the temperature and humidity had an influence on the insulation resistance. The leakage current and the insulation resistance of the branch circuit to the cooking facilities were compliant with less than 1.00 mA and more than $0.20M{\Omega}$. Leakage current of 1.89 mA was non-compliant but the insulation resistance was compliant with the value of $65.00M{\Omega}$.
Choi I. H.;Choi J. H.;Jung Y. H.;Lee D. I.;Jung G. J.;Shin T. W.;Min B. W.
Proceedings of the KIEE Conference
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summer
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pp.530-532
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2004
옥외 장기실증시험 설비를 구축하여 154(kV) 송전 전압으로 1년 동안 자기애자(36,000lbs) 및 폴리머 애자(154 [kV] 용)에 대하여 비 또는 눈이 올 때 각 계절에 대한 누설전류 특성에 관하여 조사하였다. 그 결과 자기애자는 누설전류가 장마철, 한여름, 가을의 경우 잦은 집중호우로 첫날은 급격한 증가가 보였으면 폭우 후에는 자연세정으로 인한 폭우 전보다 더 낮게 나타났다. 그리고 겨울에 눈이 올 경우에는 적은 양의 눈으로도 자기 애자 표면에 눈의 쌓여 누설전류가 넓은 시간 높게 나타났으며, 겨울비가 올 경우에는 겨울 동안 눈으로 인해 염분 및 진애의 누적으로 폭우에 대하여 사계절 중 가장 높은 누설전류를 나타났다. 한편 폴리머 애자의 경우에는 사계절에 관계없이 누설전류 증감은 크지 않았으나 겨울비가 을 경우에는 누설전류가 수 백 $[\muA]$까지 증가하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.345-345
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2007
본 연구는 x선 영상검출기 적용을 위한 $HgI_2$ 필름의 누설전류 특성 향상을 위한 연구로서, $HgI_2$기반의 다양한 물질을 이용하여 다층구조 방식으로 제작된 필름의 누설전류 특성평가 및 제작된 다층구조의 상부전극물질의 변화에 따른 누설전류 특성을 평가하였다. $HgI_2$기반 다층구조의 제작 물질은 Parylene, $PbI_2$, a-Se을 사용하여 시편(parylene/ITO, ITO/$HgI_2/PbI_2$/ITO, ITO/$HgI_2$/a-Se/ITO)을 제작하였으며, 필름 제작공정은 Screen print, PVD공정으로 다층구조 필름을 제작하였다. 또 한, 다층구조로 제작된 필름에 상부 전극물질은 Au, In, ITO를 사용하여 누설전류의 특성을 평가하였다. 측정 장치로 DC Power Supply(556H. EG&G : 50~200V), X 선 발생장치(Toshiba KXO-50N), 차폐체 (Al 및 Cu), Oscilloscope (LeCroy, LC334AM, USA), Electrometer (Keithley, 6517), Ion chamber 2060 (Radical Co.)을 이용하여, 제작된 $HgI_2$기반 다층구조 sample의 누설전류 특성을 실험하였다. 이 결과로 다층구조에 제작된 물질 및 상부전극에 따른 누설전류의 특성을 평가하였다.
The ratios of compliant branch circuit of leakage current and insulation resistance were 68.4% and 90.8%, respectively at the lamp load, 64.6% and 96.5% at the heat load, 86.7% and 88.9% at the power load. Limit of residual current of the zero phase secondary current value at the zero phase primary current was 100 A when rated primary current 400 A more than. The reason why the ratio of branch circuit of the leakage current was less than the ratio of compliant branch circuit of the insulation resistance might be that the leakage current includes the capacitive leakage current and the zero phase current.
태양광 발전시스템에서 발생되는 누설전류에 인하여 누전화재와 인체감전 등의 전기재해를 방지하기 위해서 직류누전차단기를 개발하였다. 직류누설전류를 측정할 수 있는 센서를 개발하여 (+)전선로와 (-)전선로에 흐르는 누설전류를 각각 검출하는 방법을 제안하였다. 제안된 방법과 개발된 센서를 이용하여 시작품을 제작하고 센서에 대한 감도전류 특성시험을 수행하였다. 또한 인버터가 포함되어 있는 태양광 발전시스템에 적용하여 실제 나타나는 직류누설전류를 측정하는 시험을 수행하였다. 그 결과 직류누설전류센서의 정확성을 확인하였으며, 전선로에 흐르는 직류 및 교류성분의 누설전류를 ${\pm}5%$ 범위 내에서 측정함을 확인하였다. 개발된 센서를 적용한 태양광 발전용 직류누전차단기를 제작하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2002.11a
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pp.481-485
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2002
In this study, we fabricated the PBH-LD by meltback method using the LPE. The PBH-LDs are analyzed the leakage current that flows through leakage current path like the p-n diode and p-n-p-n current blocking layer. We observed the variation of threshold current with the leakage width $W_{ι}$. As a consequence, we confirmed that the threshold current became low in the decrease of the leakage width and in the increase of the ratio of specific resistivity of leakage region to active region. We also compared between the calculated threshold current in the absence of leakage region and the measured threshold current in the device. As a result, the ratio of specific resistivity was about 0.5 in the measured LDs, which have the width of a active layer of 1.4${\mu}{\textrm}{m}$ and leakage width of 0.6${\mu}{\textrm}{m}$.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2009.10a
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pp.51-54
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2009
Total monitoring device of leakage current in transformer can detects the flowing leakage current on the ground wire connected with the neutral point, and that is monitored at real-time by the transfer. If the over-flowing current is detected, Total monitoring device of leakage current in transformer will warn the administrator to prevent electrical accident. In this thesis, we are going to explain about Total monitoring device of leakage current in transformer. Also we measure leakage current and judge safety in customer.
최근 전력품질 향상을 위해 계통전류에 대한 THD 규제가 강화되고 있음에 따라 THD와 누설전류의 개선 문제가 대두되고 있다. 단상 계통연계형 ESS에서는 흔히 인버터와 DC-DC컨버터를 사용하여 배터리를 충 방전 하는데, 이때 단상 인버터의 대지누설전류 또한 개선이 필요하다. 단상 인버터의 누설전류는 모듈레이션 방식을 변경함에 따라 차이가 나타난다. 따라서 본 논문에서는 단상 풀-브릿지 인버터의 유니폴라(Unipolar) 모듈레이션과 바이폴라(Bipolar) 모듈레이션 방버에 따른 누설전류의 크기를 PSIM을 통한 시뮬레이션과 실험을 통하여 비교 분석하였다.
KOREA ELECTRIC ASSOCIATION KOREA ELECTRIC ASSOCIATION
JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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s.307
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pp.68-73
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2002
감전보호$\cdot$누전화재보호로서 누전차단기가 일반적으로 사용되고 있는데 이 누전차단기가 누전으로 트립되었을 경우 (1) 누전트립이 재현되지 않는다. (2) 누설전류치가 고조파의 영향 때문에 측정이 곤란하다는 등의 이유로 원인조사가 어려운 경우가 많다. 그래서 누전차단기의 동작원인조사를 지원하는 기기로서 WS시리즈의 노퓨즈차단기 및 누전차단기에 각종 누설전류치의 액정표시유닛을 탑재한 $''$누설전류표시부 노퓨즈차단기$\cdot$누전차단기$''$를 제품화하였다. 이에 의하여 전로에 영상변류기(ZCT)와 계측기 등을 설치하지 않고 전로의 절연열화상태나 누전사고 상황을 간단하게 파악할 수가 있다. 또 액정표시유닛의 제어전원은 차단기 내부에 포함하고 있기 때문에 특별배선작업은 불필요하다. 이 제어전원은 차단기가 오프상태 또는 트립상태에서는 끊어지나 내부에 전기이중충 콘덴서를 내장하고 있기 때문에 각종 누설전류 정보를 표시할 수가 있다(정전보상시간 100시간). 주요특징은 다음과 같다. (1)각종 누설전류의 계측과 표시(현재치, 최대치, 이동평균치, 이동평균의 최대치, 각 최대치의 발생경과시간) (2) 누전경보의 설정 감도를 세분화하여 설정가능 또한 접점경보출력 표준탑재 (3) 누전트립 발생시의 누전사고전류치 및 누전사고 발생으로부터의 경과시간 표시(누전차단기만) (4) 미쓰비시전기 누전차단기의 액티브필터와 같은 특성의 필터를 내장하고 있으며 누전차단기의 동작특성에 맞는 누설전류치 표시가능 (5) 누전경보만으로 누전트립 동작을 하지 않는 누설전류표시부 노퓨즈차단기 라인업
AIGaN/GaN 고전자 이동도 트랜지스터 (High Electron Mobility Transistors, HEMTs)는 와이드 밴드-갭과 높은 항복 전계 및 우수한 채널 특성으로 인해 마이크로파 응용분야와 전력용 반도체에서 각광받고 있다. 최근, 전력 응용분야에서 요구되는 높은 항복 전압과 출력, 우수한 주파수 특성을 획득하기 인해 이중 게이트 AIGaN/GaN HEHTs에 관한 연구가 발표되고 있다. 본 논문에서는 AIGaN/GaN HEMTs에 이중 게이트를 적용하여, 두 개의 게이트와 드레인, 소스의 누설 전류를 각각 측정하여 이중 게이트 AIGaN/GaN HEMTS의 누설 전류 메커니즘을 분석하였다. 또한 제안된 소자의 $SiO_2$ 패시베이션 전 후의 누설 전류 특성을 비교하였다. $SiO_2 $ 패시베이션되지 않은 소자의 누설 전류는 드레인, 소스와 추가 게이트로부터 주 게이트로 흐른 반면, 패시베이션 된 소자 누설 전류는 드레인으로부터 주 게이트 방향의 누설 전류만 존재하였다. $SiO_2$ 패시베이션 된 소자의 누설 전류는 (87.31 nA ) 패시베이션 되지 않은 소자의 누설 전류 ( $8.54{\mu}A$ )에 비해 의게 감소하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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