• 한국정밀공학회지
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• 제19권8호
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• pp.155-160
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• 2002

In this paper, a controller design for brushless linear motor is implemented. The designed controller is mainly composed of current, speed and position controller, which are carried out by the high-speed digital signal processor (DSP). In addition the PWM inverter is controlled by space voltage PWM method. This system is implemented by using 32-bit DSP (TMS320C31), a high-integrated logic device (EPM7192), and IPM (Intelligent Power Module) for compact and powerful system design. The experimental results show the effective performance of controller for the brushless linear motor.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2001년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.167-169
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• 2001

In this paper, a controller design for high speed and stiffness linear motor is implemented. The designed controller is mainly composed of speed and current controller, which are carried out by the high-speed digital signal processor(DSP). In addition the PWM inverter is controlled by space voltage PWM method. This system is implemented by using 32-bit DSP(TMS320C31), a high-integrated logic device(EPM7128), and IPM(Intelligent Power Module) for compact and powerful system design. The experimental results show the effective performance of controller for high speed and stiffness linear motor.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.13-15
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• 2004

고속처리를 위한 나노급의 논리소자의 개발을 위해서는 소스/드레인 영역의 저항을 감소시키는 것이 필수적이다. 반도체소자의 개발 로드맵을 제시하고 있는 ITRS의 보고에 의하면 70㎚급 MOSFET에서는 채널영역의 저항에 대비하여 그 외의 영역이 나타내는 저항성분이 약 15% 이내로 제작되어야 할 것으로 예측하고 있다. 이 기준을 유지하기 위해서는 소스/드레인 영역의 각 전류 흐름에 기인하는 가상적 기생저항에 대한 성분 분리와 이들이 가지는 저항값에 대한 정량적 계산이 이루어져야 한다. 이에 본 논문은 calibration된 TCAD simulation을 통해 나노영역의 Tr.에서 저항성분을 계산, 평가하는 방법을 연구하였다. 특히, 소스/드레인 영역의 실리사이드 접촉 저항성분들을 최소화하여 optimize하기 위한 전략을 제시한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.7-13
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• 1978

쉬프트레지스터 (SR) 모듈을 기억소자로서 사용하여 순서회로를 실현하는 방법을 논하였다. 종래의 방법은 특수한 조건하에서 SR를 선택하는 것으로서 그것을 구동하는 조합논리회로의 복잡도는 고려되지 않았다. 본 논문은 한 정수치함수를 사용하여 단수가 최소인 SR를 선택하였고 각 SR를 구동하는 조합논리회로의 입력선수를 비교하여 논리회로의 복잡도가 낮은 최적 상태할당을 구하였다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2006년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.200-204
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• 2006

본 연구에서는 새로 고안된 NOT-AND 논리에 의한 방전 논리 gate PDP의 입력 DC 방전특성에 대해 고찰하고 동작특성을 해석하였다. 새로 고안된 방전 AND gate는 방전 경로에 따른 전극사이의 전위차의 변화로 AND 출력을 유도한다. 이러한 방전 논리 소자를 가지는 PDP에서는 직류방전이 논리게이트의 역할을 한다. 실험결과 이 DC 입력방전을 위해 priming 방전을 인가한 경우가 인가하지 않은 경우에 비해 방전지연시간이 1/3로 단축되며 방전개시전압은 1/2로 감소하였다. 또한 이 priming 방전은 방전종료후 $30{\mu}s$ 정도까지 영향을 미친다. 그리고 이 직류방전의 시간적, 위치적 방전특성을 측정한 결과, 방전에 따른 시간적 거리의 변화는 상당한 영향을 미치나 인접 전극들의 위치적인 영향은 거의 미미하다는 결론을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.1-6
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• 1975

본 논문은 Platen동작제어에 의한 한글델레타이프외 세가지 제어논리회로를 설계검토하였다. 일반적인 논리회로 구성방법에 의한 설계결과, 상태, 상태변이함수 그리고 출력함수외 순서로 설계한 Pulse mode의 제어회로가 가장 간단하였다. 이때 필요한 기억소자는 D Flip-Flop 2회 뿐이었다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.1.1-11
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• 1974

변경의 Parameter를 제어 함으로써 임의의 조합논리함수를 이차원가변논리회로로 실현하는 일반적이고 조직적인 방법을 개발하였다. n변수-n출력 조합논리회로의 진리치표를 상태할당에 의해서 상태가의 변환으로 포착하여 이를 다치일변수 영리수수의 실현문제로 취급하였다. 이 다위일변수 함수집합이 정규결합연산에 환하여 반군을 이룬다는 사실에 착안하여 3개의 기저함수를 정의하고 이 기저함수에 의하여 임의의 다치일변수함수를 생성하는 기저함수렬의 조직적 구성법을 구하였다. 기저함수를 실현하는 기본회로를 단위회로의 일차원 배열로 구성하고 오직 하나의 기본회로만으로 3개의 기저함수외에도 몇개의 기저함수의 계열과 또 기저함수의 역함수를 실현하도록 하였다. 이 기본회로를 이차원으르 배열하고 변경의 parameter만을 적절히 설정 함으로써 임의의 조합논리회로를 실현하는 알고리즘을 구성하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 춘계종합학술대회
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• pp.420-424
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• 1999

전계효과 트랜지스터와 광 다이오우드 및 다층 양자우물구조 광 변조기로 구성되는 광 스위치 회로와 몇 가지 전광 송/수신기 회로(all-optical transmitter/receiver circuits)에 대하여 시변 천이 동작 특성을 SPICE를 사용 모사한 결과를 기술하였다. 본 모사 실험에서 광 변조기 소자의 수광 창의 크기는 20 $\mu\textrm{m}$ $\times$ 20 $\mu\textrm{m}$으로 고려하였고 사용된 FET 소자의 게이트 폭은 100 $\mu\textrm{m}$이며 전달컨덕턴스 값은 측정된 소자 특성에서 55 mS/mm로 사용되었다. 모사 결과 광 논리소자의 고속 동작을 위해서는 소자의 크기를 줄이며 입력 광 다이오우드의 responsivity가 최대값을 가지는 바이어스점에 동작하도록 설계하고, 짧고 강한 세기의 광선을 입력 광 신호로 사용해야 함을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.556-558
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• 2007

최근에 분자 전자 소자로 사용되기에 적합한 많은 분자들이 많은 주목을 받고 있다. 또한 이러한 소자에 사용되는 초박막 물질들은 의용공학용 전자 소자에도 많이 사용되기도 한다. 분자 수준 스위치의 개발에 기초로 한 현재의 많은 시도들은 논리회로와 메모리 소자 등에 응용 될 수 있다. 본 연구에서는 eicosanoic acid 지질막을 이용하여 초박막 소자를 제작하고, 이의 전기적 특성을 측정하였다. 또한 측정된 결과를 통하여 본 연구에서의 분자 소자가 의용 소자로의 응용 가능을 확인하고자 하였다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2002년도 동계연구발표회 논문개요집
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• pp.172-173
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• 2002

스핀전자소자 연구 분야의 가장 큰 관심은 전하와 스핀의 자유도를 동시에 고려하여 메모리 및 논리용 트랜지스터를 구현하려는데 있다. 스핀 분극 된 전자를 자성금속으로부터 상자성 및 절연체를 이용하여 또 다른 자성체 및 반도체, 초전도체에 주입하는 일 (Spin injection)에 관한 연구가 일부 진행되어 왔다. 두 개의 자성 금속 사이에 Au등의 상자성 금속을 끼워 넣는 구조로 한쪽의 자성금속을 스핀 소스로 사용하여 상자성 금속에 스핀을 주입하고 다른 쪽의 자성금속으로 주입된 스핀을 검출하는 스핀 스위치 저장소자로서의 양극 스핀 트랜지스터 (bipolar spin transistor)를 많은 연구소에서 제조 연구하였다. (중략)