• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.206-206
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• 2004

평판디스플레이의 사이즈 및 그 응용범위가 확대되어 감에 따라, 기존의 근접식 노광장비로는 원하는 성능의 디스플레이소자를 생산하는데 한계에 도달하게 되었다. 최근에는 반도체웨이퍼 생산에 적용되는 투영식분할노광방식 또는 스캔방식의 노광장비가 평판디스플레이소자의 생산에 적용되는 추새인데, 이러한 방식의 노광장비의 핵심기능을 수행하는 모듈 증 마스크스테이지가 있다. 투영식노광 장비의 노광광원(조명광학계)에서 발생된 노광광은 마스크를 통과함으로써 특정패턴을 형성할 수 있는 형태로 변화되고, 투영광학계를 거쳐 피노광재에 조사 된다.(중략)

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.76-77
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• 2001

리소그래피 공정은 반도체 공정에 있어서 그 선폭과 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다 이러한 리소그래피 공정 중 만들고자 하는 패턴을 사진전사에 의해서 형성해주는 도구인 노광장비는 광학계, 스테이지계, 제어계로 구성되는 데, 여기에서는 이 중에서 광학계를 중심으로 노광장비를 설명한다. 노광장비의 기본적인 형태는 그 사용되는 광학계에 파라서 결정되는데, 크게 나누어서 밀착 노광 방식과 투영 노광 방식이 있다. (중략)

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.128-138
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• 1989

광을 이용한 축소투영 노광기술은 고 NA와 단파장화에 의하여 현재 $0.5\mum$의 패턴형성을 가능하게 하고 있으며, 향후 excimer laser를 이용한 stepper는 64M DRAM 제조를 위한 핵심 노광장비가 될 것이다. 본 논문에서는 광을 이용한 노광장비의 성능개선을 위하여 노광방식에 따라 장비를 분류하고 MTF, coherence 등 패턴형성에 있어서의 주요개념을 정리하였다. 그리고 광노광 장비의 성능변수인 해상도, 촛점심도, 노광영역 및 정렬에 영향을 미치는 요소를 분석한 후 그 성능에대한 개선방안을 도출하였다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제40권8호
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• pp.731-736
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• 2016

본 연구에서는 의용생체공학에 널리 사용되는 미소바늘과 같은 3차원 고종횡비 미소구조물을 용이하게 제작할 수 있는 하이브리드 자외선 노광법에 대해 기술한다. 하이브리드 자외선 노광법은 기존에 사용되고 있는 경사노광, 회전노광 및 역노광을 혼합한 방법으로, 경사 및 회전노광은 경사진 축대칭 형상을 가지는 3차원 미소구조물의 제작이 가능하도록 하고 역노광은 자외선 노광공정 중 필연적으로 발생하는 하부기판에서의 자외선 반사를 최소화 시킨다. 자체 개발한 자외선 노광시스템과 SU-8 음성감광제를 이용하여 하이브리드 자외선 노광법의 다양한 공정조건이 최종 제작된 3차원 고종횡비 미소구조물 형상(종횡비, 선단의 곡률반경 등)에 미치는 효과를 확인한다. 또한 SU-8의 소프트 베이킹(soft baking) 조건과 미소구조물 선단 형상 사이의 관계에 대해서도 논의한다.

• ETRI Journal
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• 제10권1호
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• pp.96-108
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• 1988

반도체 소자의 집적도가 증가하고 최소선폭이 감소함에 따라 소자가공시 그것이 중간중첩 정도(overlay accuracy)에 미치는 요인을 파악하였고, 광학적 노광장치에서 오는 한계성을 촛점심도(depth of focus) 측면에서 고찰하였으며, 차세대 노광장치인 전자빔 및 X-선 노광장치에 대해 그 장단점을 파악하여 $0.5\mum$ 이하 선폭 가공시 적당한 노광장치에 대해 기술하였다. 또한 이상적인 패턴 전사를 위한 건식식각시의 여러 문제점을 나열하고 그 해결책을 논하였다.

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.139-149
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• 1989

Excimer laser를 이용한 투영노광기술은 '80년대 초 $0.5\mum$ 이하의 패턴 형성에 시도된 이래 점진적인 발전을 이루어 왔으며 기존 광노광기술의 연장선상에서 64M bit DRAM 제조를위한 핵심 노광기술이 될 것이다. 본 논문에서는 차세대 노광장비로서의 excimer stepper가 갖는 중요성을 고찰하고 대량생산을 위한 노광장비의 개발방향을 제시하였다. 먼저단파장화에 의한 투과도 저하로 인하여 발생하는 투영광학계의 문제점을 살펴보고 이에 따른 광원의 요구조건을 도출하였다. 그리고excimer stepper를 광원, 조명계, 투영계, 정렬계, stage계 및 제어계등 기능별로 분류한 후 각각의 문제점 및 설계조건을 제시하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
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• 한국정밀공학회 2004년도 춘계학술대회 논문요약집
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• pp.223-223
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• 2004

반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)

• 한국광학회지
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• 제20권3호
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• pp.175-181
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• 2009

내부전반사 홀로그래픽 노광 기술은 넓은 면적(6")을 아주 미세하게($0.35{\mu}m$) 노광할 수 있는 차세대 광 노광 기술로서 평가받고 있다. 기존의 광 노광 기술은 $1.5{\mu}m/6}$ 이상이 가능한 (LCD용 노광기)과 $0.2{\mu}m/1.5"$ 이하(반도체용 노광기)의 패턴을 노광할 수 있도록 양분되어 발전하여 왔다. 이에 반하여 내부전반사 홀로그래픽 노광 기술은 일괄 노광 면적은 6"로 유지하면서 $0.35{\mu}m$에서 $1.5{\mu}m$의 사이의 패턴을 구현할 수 있는 특별한 능력을 갖고 있다. 이는 기존 광 노광 방식에서 반드시 필요로 하는 결상 광학계를 사용하지 않고 홀로그램 마스크를 사용하기 때문이다. 본 논문에서는 내부전반사 홀로그래픽 노광 기술의 핵심기술인 홀로그램 마스크를 표면 부조 홀로그램 형태로 구현할 수 있는 핵심 인자가 무엇인지를 분석하여 최적화 하는 방법에 대해 논하고, 이를 이용하여 노광한 미세패턴에 대한 결과를 실험적으로 평가하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권1호
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• pp.47-52
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• 2004

3D microstructures with different side-wall angles and different scales are fabricated by both methods of inclined exposure and rear-side exposure at each of selected areas on a same substrate. Conventional methods of inclined exposure are used to make side-walls with a same inclined angle on one substrate and to get a scale error due to front-side exposure through thick photoresist layer, But, by using the proposed method, we are able to fabricate 3D microstructures on a same substrate with various side-wall angles and accurate dimensions as the original design. In the rear-side exposure, UV exposure light reflects from the chromium mask pattern after passing through the thick photoresist layer, resulting in fabrication of well-defined, inclined 3D structures inside the thick photoresist layer.

• 기계저널
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• 제50권1호
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• pp.32-36
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• 2010

이 글에서는 전형적인 포토리소그래피 공정을 변형 적용하여 다양한 모양의 3차원 감광막 구조물을 형성할 수 있는, 다중노광 단일현상 고정, 다중코팅 단일노광 공정, 디퓨저 리소 그래피 공정, 리플로 공정 등 네 가지 기술을 소개한다.