• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.206-206
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• 2004

평판디스플레이의 사이즈 및 그 응용범위가 확대되어 감에 따라, 기존의 근접식 노광장비로는 원하는 성능의 디스플레이소자를 생산하는데 한계에 도달하게 되었다. 최근에는 반도체웨이퍼 생산에 적용되는 투영식분할노광방식 또는 스캔방식의 노광장비가 평판디스플레이소자의 생산에 적용되는 추새인데, 이러한 방식의 노광장비의 핵심기능을 수행하는 모듈 증 마스크스테이지가 있다. 투영식노광 장비의 노광광원(조명광학계)에서 발생된 노광광은 마스크를 통과함으로써 특정패턴을 형성할 수 있는 형태로 변화되고, 투영광학계를 거쳐 피노광재에 조사 된다.(중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.76-77
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• 2001

리소그래피 공정은 반도체 공정에 있어서 그 선폭과 집적도를 결정짓는 핵심 공정이다 이러한 리소그래피 공정 중 만들고자 하는 패턴을 사진전사에 의해서 형성해주는 도구인 노광장비는 광학계, 스테이지계, 제어계로 구성되는 데, 여기에서는 이 중에서 광학계를 중심으로 노광장비를 설명한다. 노광장비의 기본적인 형태는 그 사용되는 광학계에 파라서 결정되는데, 크게 나누어서 밀착 노광 방식과 투영 노광 방식이 있다. (중략)

• ETRI Journal
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• v.11 no.4
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• pp.128-138
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• 1989

광을 이용한 축소투영 노광기술은 고 NA와 단파장화에 의하여 현재 $0.5\mum$의 패턴형성을 가능하게 하고 있으며, 향후 excimer laser를 이용한 stepper는 64M DRAM 제조를 위한 핵심 노광장비가 될 것이다. 본 논문에서는 광을 이용한 노광장비의 성능개선을 위하여 노광방식에 따라 장비를 분류하고 MTF, coherence 등 패턴형성에 있어서의 주요개념을 정리하였다. 그리고 광노광 장비의 성능변수인 해상도, 촛점심도, 노광영역 및 정렬에 영향을 미치는 요소를 분석한 후 그 성능에대한 개선방안을 도출하였다.

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.40 no.8
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• pp.731-736
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• 2016

Three-dimensional (3D) high-aspect-ratio (HAR) microstructures for biomedical applications (e.g., microneedle, microadhesive, etc.) are microfabricated using the hybrid ultraviolet (UV) lithography in which inclined, rotational, and reverse-side UV exposure processes are combined together. The inclined and rotational UV exposure processes are intended to fabricate tapered axisymmetric HAR microstructures; the reverse-side UV exposure process is designed to sharpen the end tip of the microstructures by suppressing the UV reflection on a bottom substrate which is inevitable in conventional UV lithography. Hybrid UV lithography involves fabricating 3D HAR microstructures with an epoxy-based negative photoresist, SU-8, using our customized UV exposure system. The effects of hybrid UV lithography parameters on the geometry of the 3D HAR microstructures (aspect ratio, radius of curvature of the end tip, etc.) are measured. The dependence of the end-tip shape on SU-8 soft-baking condition is also discussed.

• ETRI Journal
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• v.10 no.1
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• pp.96-108
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• 1988

반도체 소자의 집적도가 증가하고 최소선폭이 감소함에 따라 소자가공시 그것이 중간중첩 정도(overlay accuracy)에 미치는 요인을 파악하였고, 광학적 노광장치에서 오는 한계성을 촛점심도(depth of focus) 측면에서 고찰하였으며, 차세대 노광장치인 전자빔 및 X-선 노광장치에 대해 그 장단점을 파악하여 $0.5\mum$ 이하 선폭 가공시 적당한 노광장치에 대해 기술하였다. 또한 이상적인 패턴 전사를 위한 건식식각시의 여러 문제점을 나열하고 그 해결책을 논하였다.

• ETRI Journal
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• v.11 no.4
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• pp.139-149
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• 1989

Excimer laser를 이용한 투영노광기술은 '80년대 초 $0.5\mum$ 이하의 패턴 형성에 시도된 이래 점진적인 발전을 이루어 왔으며 기존 광노광기술의 연장선상에서 64M bit DRAM 제조를위한 핵심 노광기술이 될 것이다. 본 논문에서는 차세대 노광장비로서의 excimer stepper가 갖는 중요성을 고찰하고 대량생산을 위한 노광장비의 개발방향을 제시하였다. 먼저단파장화에 의한 투과도 저하로 인하여 발생하는 투영광학계의 문제점을 살펴보고 이에 따른 광원의 요구조건을 도출하였다. 그리고excimer stepper를 광원, 조명계, 투영계, 정렬계, stage계 및 제어계등 기능별로 분류한 후 각각의 문제점 및 설계조건을 제시하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.223-223
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• 2004

반도체 및 TFT LCD 제조 공정에서 핵심 공정인 Photo 공정은 PR(Photo Resist, 감광액) Coating -) Exposure(노광) -. Develop(현상)으로 이루어져 있다. 이중 Exposure 공정에 사용되는 장치가 노광장비이다. 노광장비는 Mask Aligner 라고도 불리는데, 그만큼 정렬기술이 노광장비에서는 중요하다. 반도체 및 TFT LCD 는 여러 충의 회로를 쌓아감으로써 층과 층간의 전기적 작용으로 생성되는 Tr.(Transistor) 또는 Diode 등의 수동소자를 집적하는 기술로 제조되는 것으로, 층과 층간의 전기적 작용이 설계한 바와 같이 이루어지기 위해선, 층과 층 사이의 정렬이 정확히 이루어져야 한다.(중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.20 no.3
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• pp.175-181
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• 2009

Holographic lithography is one of the potential technologies for next generation lithography which can print large areas (6") as well as very fine patterns ($0.35{\mu}m$). Usually, photolithography has been developed with two target purposes. One was for LCD applications which require large areas (over 6") and micro pattern (over $1.5{\mu}m$) exposure. The other was for semiconductor applications which require small areas (1.5") and nano pattern (under $0.2{\mu}m$) exposure. However, holographic lithography can print fine patterns from $0.35{\mu}m$ to $1.5{\mu}m$ keeping the exposure area inside 6". This is one of the great advantages in order to realize high speed fine pattern photolithography. How? It is because holographic lithography is taking holographic optics instead of projection optics. A hologram mask is the key component of holographic optics, which can perform the same function as projection optics. In this paper, Surface-Relief TIR Hologram Mask technology is introduced, and enables more robust hologram masks than those previously reported that were formed in photopolymer recording materials. We describe the important parameters in the fabrication process and their optimization, and we evaluate the patterns printed from the surface-relief TIR hologram masks.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.53 no.1
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• pp.47-52
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• 2004

3D microstructures with different side-wall angles and different scales are fabricated by both methods of inclined exposure and rear-side exposure at each of selected areas on a same substrate. Conventional methods of inclined exposure are used to make side-walls with a same inclined angle on one substrate and to get a scale error due to front-side exposure through thick photoresist layer, But, by using the proposed method, we are able to fabricate 3D microstructures on a same substrate with various side-wall angles and accurate dimensions as the original design. In the rear-side exposure, UV exposure light reflects from the chromium mask pattern after passing through the thick photoresist layer, resulting in fabrication of well-defined, inclined 3D structures inside the thick photoresist layer.

• Journal of the KSME
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• v.50 no.1
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• pp.32-36
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• 2010

이 글에서는 전형적인 포토리소그래피 공정을 변형 적용하여 다양한 모양의 3차원 감광막 구조물을 형성할 수 있는, 다중노광 단일현상 고정, 다중코팅 단일노광 공정, 디퓨저 리소 그래피 공정, 리플로 공정 등 네 가지 기술을 소개한다.