에톡시히드로퀴논과 브로모 테레프탈산을 사용하여 용액 중합법으로 네마틱 액정 상을 가지는 열방성 액정 고분자를 합성하였다. 합성된 헥사데실-몬모릴로나이트 (C$_{16}$-MMT)를 액정고분자의 용융 전이온도 이상에서 매트릭스 고분자에 대해 여러 wt%로 조성을 변화시키면서 나노복합재료를 만들었다. $C_{16}$-MMT가 액정 고분자에 대해 2 wt%만 첨가되어도 열적 성질이 크게 증가하였으며 이후로 $C_{16}$-MMT가 증가함에 따라 일정하게 증가하였다. 유기화 점토가 2에서 6 wt%까지 증가되어도 액정 상은 파괴되지 않고 그대로 유지되었다. X-ray 회절도의 결과, 첨가된 $C_{16}$-MMT의 일부는 TLCP에 잘 분산되었으나, 일부는 뭉쳐진 형태로 존재하였으며 첨가된 $C_{16}$-MMT의 상이 증가할수록 뭉침이 증가되었다. 합성된 나노복합재료의 열적 성질과 몰폴로지는 시차주사 열분석기(DSC), 열중량 분석기(TGA), 편광 현미경, 그리고 전자 현미경(SEM, TEM) 등을 이용하여 분석하였다.다.
본 논문에서는 스위칭 가능한 브래그 반사판의 한 종류인 콜레스테릭 액정 셀에 염료를 주입함으로써 입사각에 따라 단파장대로 이동된 반사광을 제거하는 셀을 구현하였다. 액정과 카이랄 도펀트를 일정 비율로 혼합하여 원하는 파장대역을 반사하는 콜레스테릭 액정 셀을 제작하였고, 이에 특정한 파장대역을 흡수하는 성질을 가지는 이색성 염료를 혼합함으로써, 빛의 입사각이 증가할 때 단파장으로 이동된 빛을 흡수하여 초기에 설계된 색을 유지할 수 있다. 염료를 혼합하지 않은 콜레스테릭 액정 셀에서는 입사각에 따라서 반사 된 빛이 눈에 띄게 단파장대로 이동되는데 반해, 제안된 방법에서는 염료의 혼합 비율이 1, 2 wt%로 증가할수록 단파장대로 이동된 빛을 더 잘 흡수하는 것을 확인하였다.
비페닐 티오에스터 계열 강유전성 액정물질에 대한 새로운 합성방법이 논의되었다. 합성된 많은 액정물질들은 강유전성 스메틱 C상 뿐만 아니라 키랄네마틱과 스메틱 A상을 나타내었으며, $10^{-8}$C/c$m^2$ 이상의 큰 자발분극을 나타내었다. 이 계열들로써 우리는 비대칭 탄소에 붙은 치환체의 크기와 분극도가 자발분극에 미치는 영향을 조사하였으며 치환체의 크기에 대한 Sc*상의 안정도를 결정할 수 있었다.
4-(4-Alkyloxybenzoyloxy)-4'-(S)-$\alpha$-halo-alkanoyloxybipeny1계열 액정화합물이 합성되고, 그들의 액정성질이 조사되었다. 합성된 바이페닐 에스터계열 화합물들은 키랄 스메틱 C상 뿐 아니라 키랄 네마틱 및 스메틱 A상을 나타내고, $10^{-7}\textrm{cm}^2$ 이상의 큰 자발분극을 나타내었다.
정보전자 기기의 디스플레이용 재료로 사용되는 액정/고분자 복합재료의 매트릭스로 사용하기 위한 새로운 선형 및 가교형 측쇄 액정고분자를 제조하기 위하여 필요한 저분자 액정 중간체들을 합성하고 이들의 액정 특성을 살펴보았다. Alkyl spacer의 길이가 다르고 연결기로서 azo기를 그리고 말단기로서 cyano를 공통적으로 가지고 다른 한 말단기로서 bromoalkyl(AZO(n)), azidoalkyl(AZI(n)) 및 amonoalkyl(ALC(n))기를 가지는 저분자 액정 들의 합성을 하였으며 IR, NMR 및 원소분석을 통하여 이를 확인할 수 있었다. 또한 DSC thermogram 및 편광현미경 관찰로부터 이들 저분자 액정들은 모두 일정한 온도 영역에서 네마틱 상의 액정성을 발현하는 것을 알았다. 또한, 저분자 액정 분자들이 spacer 길이, 즉 $-(CH_2)n-$의 n이 짝수 및 홀수로 변화함에 따라 분자 내의 conformation 변화에 따른 $T_{KN}$과 $T_{NI}$의 값이 전형적인 even-odd 변화 현상을 나타내었다.
러빙에 의해 유도된 네마틱 액정의 배향 특성과 그 안정성이 액정-폴리이미드 계면 특성과 어떠한 관계가 있는지를 조사하였다. 합성된 5 종류의 폴리이미드 특성을 분석하고 폴리이미드 배향막에서의 액정 배향의 균일성, 선경사각, 정착 에너지, 그리고 열 안정성을 측정 조사하였다. 러빙된 폴리이미드는 강한 정착의 액정 배향을 유도하고 액정 배향의 특성과 안정성은 배향막 표면에서의 액정과 폴리이미드 간의 분자 차원의 상호작용에 의해 결정된다는 것을 확인하였다. 폴리이미드의 유연성의 증가는 이미드화를 촉진시키며 액정의 선경사각과 배향 안정성을 증대시킨다. 반면에, 폴리이미드의 플루오르화는 액정의 배향성 및 배향 안정성을 감소시키는 것으로 나타났다. 폴리이미드의 방향족과 지방족 고리 이무수물 구조에 따른 액정 배향의 특성과 안정성에는 뚜렷한 차이가 나타나지 않았다.
테레프탈산, 비페닐 디카르복시산과 히드로퀴논을 용액중합하여 전방향족 액정 폴리에스테르를 합성하고 테레프탈산과 비페닐 디카복시산의 몰비가 액정중합체의 열적성질, 열안정성 및 메소상의 구조에 미치는 영향을 DSC, TGA, 편광현미경 및 X선회절기로 조사하였다. 본 연구에서 합성한 중합체는 모두 열방성 액정중합체였고 네마틱 액정상을 나타내었으며, 용융온도 및 등방화온도는 중합체중의 비페닐렌구조가 증가함에 따라 약간씩 증가하였다. 또한 중합체의 열안정성은 중합체중의 비페닐렌구조가 증가함에 따라 개선되었으며, 비페닐렌구조를 가지는 중합체의 결정도는 상당히 높아서 약 33%정도로 나타났다.
본 연구에서는 콜레스테릭 액정상 유도를 위하여 아이소소바이드기를 가지고 있으며, 액정상 전이온도의 조절을 위하여 메틸렌기를 포함하고 있는 액정고분자들을 합성하였고, 합성된 액정고분자 내의 아이소소바이드기의 함량과 메틸렌기의 위치가 액정고분자의 물성에 미치는 영향이 조사되었다. 합성된 모든 고분자들 중, 주사슬에 메틸렌 유연격자를 가진 고분자(MnHI-x)가 곁사슬에 메틸렌 유연격자를 가진 고분자(SnBI-x)들보다 더 높은 용융전이온도와 열안정성을 나타내었다. 합성된 모든 고분자들은 양방성 액정상을 나타냈으며, 콜레스테릭 액정상 유도체로써 아이소소바이드 함량이 10몰%인 고분자는 네마틱상을, 20몰% 이상의 고분자들은 콜레스테릭 액정상 또는 카이랄 스멕틱상을 형성하였다. 이로써, 아이소소바이드기가 콜레스테릭 액정상 유도체로써의 역할을 하였음을 알 수 있다.
페놀과 피리딘 간의 단일 수소결합을 이용하여 새로운 형태의 자기 집합된 원반형 액정을 제조하고 그 액정 특성을 조사하였다. 원반형 구조 설계를 위해 phloroglucinol을 중심부 분자로, 체계적으로 알킬사슬 길이를 변화시킨 trans-4-alkoxy-4'-stilbazole을 주변 물질로 사용하였다. 적외선 분광 분석을 통해 중심부 분자와 주변 물질 사이의 분자간 수소결합이 성공적으로 형성됨을 확인하였고, 또한 수소결합의 안정성이 분자 정렬에 의해 크게 영향을 받음을 확인하였다. 자기 집합된 원반형 액정 복합체는 원반형 메소겐 주위의 알킬 사슬 길이에 따라 다른 액정상들을 나타내었다. 긴 알킬사슬을 함유하는 액정 복합체의 경우 육방형 컬럼상이 나타났으며, 상대적으로 짧은 사슬을 갖는 다른 액정 복합체에서는 네마틱 컬럼상이 형성되었다. 이는 자기 집합된 원반형 액정 복합체의 액정상 구조가 원반형 핵 단위 주변의 알킬사슬 길이에 의해 크게 영향을 받음을 의미하였다.
We investigated the transcription of liquid crystal (LC) alignment method by using memory effect of nematic (N) LC on polyimide (PI) surface with side chain as for non-rubbing alignment techniques. That the monodomain alignment of aligned NLC is observed by polarizing microscope textures in the cells on PI surface with side chain, We obtained that the pretilt angle of NLC are generated about 3.7 degree on PI surface. We suggest that the LC alignment by using transcription aligngnment method is attributed to memory effect of NLC on PI surface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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