• Proceedings of the KWS Conference
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• 2006.05a
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• pp.230-232
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• 2006

Eutectic Au-20Sn solder has been widely used for optoelectronic packages because of fluxless soldering process and thus are particularly valuable for many applications such as biomedical, photonic, and MEMS devices that can not use any flux. Also when good joint strength, superior resistance to corrosion, whisker-free, and good thermal conductivity are demanded, eutectic Au-20Sn solder can be satisfied with above-mentions best. In this study, we tried to know the interfacial reactions between Au-20Sn solder and Cu substrate with or without ENIG plating layer In the results, Au-Cu-Sn ternary phases were formed at the Au-20Sn/Cu substrate, and Au-Ni-Sn, Au-Ni-Cu-Sn phases were formed at the Au-20Sn/ENIG substrate.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.11a
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• pp.71-71
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• 2012

Memory 반도체 Test공정에서 사용되는 Probe Card의 Probing Area가 넓어지면서 종래에 사용되던 Cantilever제품의 사용이 불가능하게 되고, MEMS공정을 사용한 새로운 형태의 Advanced제품이 시장에 출현을 하였다. MEMS형의 제품은 다수의 Micro Spring을 MLC(Multi Layer Ceramic)위에 MEMS 공정을 사용하여 생성하는 방식으로서 MLC는 좁은 지역에 다수의 Pin을 생성 할 수 있는 공간을 만들어 주며, 또 다른 이유는 전기적 특성인 임피던스를 맞추고 다수의 Pin의 압력에 의하여 생기는 하중을 Ceramic기판으로 지탱하기 위한 목적도 있다. 이에 MLC와 같은 전기적 특성을 임피던스를 맞춘 RF-CPCB를 사용하여 작은 면적에 다수의 Pin접합이 가능한 방법을 마련한 후, 이 RF-PCB를 부착하여 Pin의 하중을 받는 Wafer와 유사한 열팽창을 갖는 Substrate를 사용하여 MLC를 대체하여 다양한 온도 조건에서 사용이 가능하며, 복잡하고 공정비가 많이 드는 MEMS 공정에 의한 일괄 Micro Spring 생성 공정을 전주 도금 또는 2D방식의 도금 Pin으로 대체하였으며, Probe Card의 중요한 물리적 특성인 Pin들의 정렬도를 마련하기 위해 Photo Process를 사용한 Wafer로 만든 Wafer Pin Array Frame을 사용하여 2D 제작 Pin을 일괄 또는 부분 접합이 가능한 방법으로 Probe Array Head를 제작하여 이들을 부착하여 Probe Array Head를 이전의 MEMS공정 방법에 비해 쉽고 빠르게 만들어 probe Card를 제작 할 수 있게 되었다.

• Journal of Welding and Joining
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• v.29 no.5
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• pp.90-94
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• 2011

Ag metallic particles from nano-scale to submicron-scale are combined with organic solvent to provide fine circuits and interconnection. Ink-jet printing with Ag nano particle inks demonstrated the potentials of the new printed electronics technology. The bonding at the interface between the Ag wiring layer and the various substrates is very important. In this study, the details of interfaces in Ag wiring are investigated primarily by microstructure observation. By adjusting the materials and sintering conditions, nicely formed interfaces between Ag wiring and Cu, Au or organic substrates are achieved. In contrast, transmission electron microscope (TEM) image clearly shows interface debonding between Ag wiring and Sn substrate. Sn oxides are formed on the surface of the Sn plating. The formation of these is a root cause of the interface debonding.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1941-1943
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• 2003

본 논문은 광 검출을 이용한 전기화학발광 (Electrochemiluminescence : ECL)을 마이크로시스템에 적용하여 소형화하였으며, 기존 광 검출 시스템과 결과를 비교하여 그 특성을 분석하였다. ECL은 전기에너지를 촉매로 사용하기 때문에 화학발광 보다 마이크로채널 내에서 발생하는 층류문제를 해결할 수 있는 적합한 방법이다. 유리기판에 Au를 박막으로 증착하여 전극으로 사용하였으며, SU-8 구조물을 이용한 PDMS mold를 사용하여 마이크로채널을 제작하였다. 전극과 PDMS는 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 접합하였다. luminol과 과산화수소는 Syringe pump로 구동하였으며, 발생된 빛은 반도체 공정기술로 제작한 P-N접합 포토다이오드를 이용하여 전류신호로 측정하였다. 새로 구성된 시스템을 이용하여 마이크로채널 내에서의 luminol과 과산화수소의 유속, 농도변화에 따른 광전류 변화를 측정하여 기존시스템과 비교하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1993.07b
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• pp.1057-1059
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• 1993

Some interested phenomena, which were appeared near the bonding interface, were investigated by angle lapping and delineation method, SEM, and TEM observations. Voids, defects, material continuity, and interfacial oxide stability were observed and discussed in the fusion-bonded Bi-Si or Si-$SiO_2$/Si wafer pairs.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.158-159
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• 2000

본 논문에서는 BK7 유리 기판에 Ag$^{+}$-$Na^{+}$ 이온교환법을 이용하여 1.31/1.55$mu extrm{m}$ 방향성 광결합기형 역다중화기를 제작하여 특성을 평가하였다. BK7에 이온교환법을 이용하여 도파로를 제작할 경우 0.2dB/cm 이하의 전파손실을 유지할 수 있으며 또한 도파로의 굴절율 분포가 단일모드 광섬유와 매우 유사하여 광섬유와 광소자 사이의 접합면에서 발생하는 접합손실을 줄일 수 있다 또한 BK7을 이용하면 도파로를 제작하였을 때 복굴절 현상이나 편광 의존성이 적어서 수동 소자 제작에 유용하다는 장점이 있다$^{(1 3)}$ . (중략)

• Journal of Welding and Joining
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• v.17 no.2
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• pp.61-65
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• 1999

Because of the need for packages which accommodate high pin count, high density and high speed device, PBGA(plastic ball grid array) package gets more spotlight. But the substrate material which is used for PBGA package is in nature susceptible to moisture penetration. The objective of the study is to find out the path of delamination in the stacked structure of substrate. To increase the adhesion between the cooper laminate and PSR(photo solder resist) which is the weakest part, experiments were performed by changing parameters of printing pre-treatment and post-treatment process. As a result of experiments, the factor effects on the adhesion between the cooper laminate and PSR is caused by all of the pre-treatment and post-treatment condition. A considerable change was observed depending on the amount of UV irradiation after thermal cure which is typical of printing post-treatment condition rather than pre-treatment condition.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.303-303
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• 2012

Diamond-like carbon (DLC)은 낮은 마찰력과 높은 내마모성 및 내식성등과 같은 우수한 물성을 가지고 있다. 따라서, DLC 박막은 다양한 응용분야에 적용이 가능한 코팅이다. 특히, DLC 박막의 낮은 마찰력과 고경도 특성은 자동차 산업 및 금형과 같은 저마찰 및 내마모성 향상에 기여할 수 있는 매력적인 박막 코팅으로 각광받고 있다. 그러나 DLC 박막의 높은 잔류응력과 다른 기판의 화학적 친화력을 감소시키는 탄소-탄소 결합의 불안정성 때문에 금속소재와의 낮은 접합력으로 인하여 그 응용에 어려움을 격고 있다. DLC 박막의 접합력 향상을 위하여 모재에 활성 스크린 플라즈마 질화 장비를 사용하여 금속 시편에 질화처리를 하였다. 질화처리후 CVD법으로 DLC 박막을 증착하였으며, 박막의 특성은 나노 인덴테이션, 마이크로 라만 스펙트로스코피 그리고 주사전자현미경에 의해 측정되었다. 활성 스크린 질화 장비에 의해 처리된 시편의 특성변화는 GDS, XRD 및 마이크로 비커스 경도계를 이용하여 관찰하였다. 박막과 모재와의 밀착력은 스크래치 테스트에 의해 측정 하였으며, 질화층이 형성됨으로 인해 모재의 상구조와 경도의 변화가 생겼고, 이로 인해 DLC박막과 모재의 밀착력이 상승하였음을 알 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2018.10a
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• pp.381-382
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• 2018

Subthreshold swings (SSs) and on-currents of four types of junctionless nanowire tunnel field-effect transistor(JLNW-TFET) are observed. Ge-Si structure for the source-channel junction has the highest drive current among Si-Si, Si-Ge, and Ge-Ge junction, and the drive current increases up to 1000 times compared to others. Minimum SS of Si-Si junction is reduced by up to 5 times more than others.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.105-108
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• 2002

환경에 관한 관심이 증대되면서 Sn37Pb 솔더를 대체하기 위한 새로운 무연솔더의 개발이 진행되고 있다1). 또한 연구의 초점이 되고 있는 것이 플럭스의 사용에 관한 것이다. 플럭스는 솔더의 산화막을 제거하는데 필수적이지만, 플럭스 세정제의 독성 문제로 무플럭스 솔더링에 대한 관심이 크게 증대되고 있다2),3). 무플럭스 솔더링의 방법에는 여러 가지가 있으며, 그 중 한가지가 플라즈마를 이용한 방법이다4). 본 연구에서는 솔더표면의 이물질과 산화막을 제거하기 위한 플라즈마 처리가 접합 후, 접합부에 미치는 영향에 대해서 알아보았다. 기판은 Evaporator를 이용하여 Au/Cu/Ni/Al UBM을 증착한 Si-wafer를 사용하였다. 사용된 솔더는 Sn37Pb, Sn3.5Ag와 Sn3.5Ag0.7Cu 솔더볼이며, 열중 및 적외선 겸용 리플로 머신과 Ar＋H$_2$를 이용한 플라즈마 에쳐를 사용하여 범프를 형성하였다. 플라즈마 처리가 계면의 미세조직과 기계적 강도에 끼치는 영향을 알아보기 위하여 플라즈마 처리된 시편과 리플로 한 후의 시편을 비교 분석하였다. 전단시험기로 계면의 강도를 측정하였으며, 주사전자현미경으로 범프의 표면과 계면 및 전단파면을 관찰하고 이에 대하여 고찰하였다. 산화막제거를 위한 플라즈마 처리가 저음점인 솔더의 미세조직을 기존의 솔더링 접합부와는 다르게 변화시킴으로써 솔더부의 전체적인 특성에 영향을 끼치는 것을 알 수 있었다.