• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.206-206
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• 2004

평판디스플레이의 사이즈 및 그 응용범위가 확대되어 감에 따라, 기존의 근접식 노광장비로는 원하는 성능의 디스플레이소자를 생산하는데 한계에 도달하게 되었다. 최근에는 반도체웨이퍼 생산에 적용되는 투영식분할노광방식 또는 스캔방식의 노광장비가 평판디스플레이소자의 생산에 적용되는 추새인데, 이러한 방식의 노광장비의 핵심기능을 수행하는 모듈 증 마스크스테이지가 있다. 투영식노광 장비의 노광광원(조명광학계)에서 발생된 노광광은 마스크를 통과함으로써 특정패턴을 형성할 수 있는 형태로 변화되고, 투영광학계를 거쳐 피노광재에 조사 된다.(중략)

• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.24 no.9 s.180
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• pp.2371-2380
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• 2000

In this paper, we developed the proximity exposure system with the vertical structure of glass and mask stage to minimize the mask's warp caused by the pull of gravity. This system, which canirradiate the ultra violet through 1440 H 850 $\textrm{mm}^2$ and 1330X 1015 $\textrm{mm}^2$ exposure area, has the followingcharacteristics. The glass stage can be inclined by 80 degrees at vertical structure to load substrate withsafety on it. When the glass stage is the vertical state, the gap control, alignment control and exposureof ultra violet are executed. So, it enhances the pattern uniformity by minimizing the mask's warp. Theglass stage can also control the gap between the mask and the substrate by the coarse and fine motioncontrol. The mask stage can adjust the posture of photomask to the position of substrate by imageprecessing method. The galss stage for the gap control and the mask stage for the alignment aredesigned independently for each function.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.22 no.5
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• pp.87-92
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• 1985

A simple method to derive EID function which is necessary to compensate for the pro-ximity effect in electron-beam lithography is presented. Using optimization techniques, parameters of EID function is derived and well agreed with experimental valuta.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.3 no.1
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• pp.27-30
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• 2004

In this work, the variation of the sidewall profile of a thick photoresist on the wavelength and proximity gap was investigated. PMER P-LA900PM, DNQ (DiazoNaphthoQuinone) novolac type photoresist, is used for experiments. The calculated results agreed well with the experimental results.

• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2002.11a
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• pp.185-189
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• 2002

Mignetron sputter 장비를 이용하여 극자외선 노광공정용 Mo/Si 다층박막을 증착하였다. 증착 시편과 동일한 조건에서 수행된 시뮬레이션과 측정된 반사도 값을 비교하였고, d-spacing, 밀도, interface layer, 입사각 둥이 반사도에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 고찰하였다. 또한 측정된 반사도 그래프에 근접한 조건을 조사하였다. 이를 통하여 Mo/Si 다층박막의 반사도에 영향을 미치는 인자들과 그 영향에 대하여 알 수 있었다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.5
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• pp.417-422
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• 1997

본 연구에서는 LPCVD, PECVD, ECR plasma CVD방법을 이용하여 x선 노광 공정용 마스크의 투과막재료로써의 실리콘질화막의 증착과 그의 물성에 관하여 실험하였다. X선 노광 마스크용 투과막의 재질로써 요구되는 적정인장응력에 가지는 증착조건으로 실리콘질화막을 1$\mu\textrm{m}$정도의 두께로 증착하였으며 이 조건에서의 물성을 SIMS, XPS, ESR, AFM, spectrophoto-metry를 이용하여 비교 분석하였다. ECR plasma CVD방법으로 얻은 실리콘 질화막은 화학양론적 조성(Si/N=0.75)에 근접하는 막을 얻을 수 있었으며 표면 평활도와 가시광투과도가 가장 우수한 결과를 얻었다. 저온 증착법인 PECVD로 얻은 막은 Si/N비가 약 0.86정도이고 산소와 수소의 불순물함량이 가장 높게 나타났다. SiH$_{2}$CI$_{2}$를 이용한 LPCVD막의 경우는 Si-rich조성을 가지지만 수소 불순물의 함량이 가장 작게 나타났고 표면거칠기는 가장 나쁘게 나타났다. 그러나 위의 방법으로 얻은 실리콘 질화막의 최대 가시광투과도는 633nm파장에서 모두 90%이상의 값을 나타내었고, 또한 표면 평활도도 0.64-2.6nm(rms)로 현재 연구되고 있는 다른 X선 투과막재료보다 월등히 우수한 결과를 보였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.2
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• pp.117-122
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• 2002

Some 10$\times$10 micro-lens arrays of a period of 300 ${\mu}{\textrm}{m}$, a thickness of 17 ${\mu}{\textrm}{m}$, and a focal length of 2.2 mm are fabricated by exposing a thick layer of photoresist through a grayscale mask via UV proximity printing. The grayscale mask is fabricated in a holographic film by reducing (6.6X) a high-resolution black-and-white film where a grayscale patters of a micro-lens array designed by a computer has been written using a film recorder. The proposed method has the advantage of a low fabrication cost, a fill-factor of almost 100% and the ease of realizing an aspheric lens.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.30 no.4
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• pp.146-153
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• 2019

The exposure system is a device that transfers a circuit pattern to a desired location. To display patterns on a substrate without deforming the optical characteristics, the characteristics of the optical exposure system are very important. Therefore, to form a microcircuit pattern, a small divergence angle should impinge on the irradiation area. Also, since the light from the source must react uniformly with the photosensitizer, it must have high luminance efficiency and uniformity of illumination. In this paper a parabolic reflector and an aspherical lens were designed to solve the problem of narrow-angle implementation, and it was confirmed by simulation analysis after their arrangement that the beam angle, uniformity, and maximum illuminance satisfied the target performance.