• Journal of IKEEE
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• v.23 no.3
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• pp.1077-1081
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• 2019

Lights that enter the surface of a solar cell cannot be absorbed inside all of the solar cells, and some of it is reflected off the surface of the substrate, resulting in loss. Because of this, many studies are underway to reduce reflective losses on the surface of substrates or to steam the generated charge inside the solar cell. In this paper, surface treatment for forming a rough surface by wet etching the surface of a glass substrate is advanced, and structural characteristics of the rough surface are analyzed. Then, spectral characteristics by changing the angle of the glass substrate to which light enters the company are analyzed. When the light entering the company is investigated on a etched surface, it is confirmed that the probability of re-absorbing the light inside the glass substrate by multiple reflection is increased. When entering the light while changing the angle of the glass substrate, the transmission and reflection performance of the light are not changed.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.14 no.6
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• pp.479-486
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• 2021

In this paper, an ultra small phase locked loop (PLL) with a single capacitor loop filter has been proposed by adding a signal sensing circuit (SSC). In order to extremely reduce the size of the PLL, the passive element loop filter, which occupies the largest area, is designed with a very small single capacitor (2pF). The proposed PLL is designed to operate stably by the output of the internal negative feedback loop including the SSC acting as a negative feedback to the output of the single capacitor loop filter of the external negative feedback loop. The SSC that detects the PLL output signal change reduces the excess phase shift of the PLL output frequency by adjusting the capacitance charge of the loop filter. Although the proposed structure has a capacitor that is 1/78 smaller than that of the existing structure, the jitter size differs by about 10%. The PLL is designed using a 1.8V 180nm CMOS process and the Spice simulation results show that it works stably.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.151-151
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• 1999

금속-산화막-반도체(MOS) 소자를 이용하는 집적회로의 발전은 게이트 금속의 규격 감소를 필요로 한다. 규격감소에 따른 저항 증가가 중요한 문제점으로 대두되었으며, 그동안 여러 연구자들에 의하여 금속 게이트에 관련된 연구가 진행되어 왔다. 특히 저항이 낮으며 녹는점이 매우 높은 내화성금속(refractory metal)인 텅스텐(tungsten, W)이 차세대 MOS 소자의 유력한 대체 게이트 금속으로 제안되었다. 텅스텐은 스퍼터링(sputtering)과 화학기상 증착(CVD) 방식을 이용하여 성장시킬 수 있다. 스퍼터링에 의한 텅스텐 증착은 산화막과의 접착성은 우수한 반면에 증착과정 동안에 게이트 산화막(SiO2)에 손상을 주어 게이트 산화막의 특성을 열화시킬 수 있다. 반면, 화학기상 증차에 의한 텅스텐 성장은 스퍼터링보다 증착막의 저항이 상대적으로 낮으나 산화막과의 접착성이 좋지 않은 문제를 해결하여야 한다. 본 연구에서는 감압 화학기상 증착(LPCVD)방식을 이용하여 텅스텐 게이트 금속을 100~150$\AA$ 두께의 게이트 산화막(SiO2 또는 N2O 질화막)위에 증착하여 물리 및 전기적 특성을 분석하였다. 물리적 분석을 위하여 XRD, SEM 및 저항등이 증착 조건에 따라서 측정되었으며, 텅스텐 게이트로 구성된 MOS 캐패시터를 제작하여 절연 파괴 강도, 전하 포획 메커니즘 등과 같은 전기적 특성 분석을 실시하였다. 특히 텅스텐의 접착성을 증착조건의 변화에 따라서 분석하였다. 텅스텐 박막의 SiO2와의 접착성은 스카치 테이프 테스트를 실시하여 조사되었고, 증착시의 기판의 온도에 민감하게 반응하는 것을 알 수 있었다. 또한, 40$0^{\circ}C$ 이상에서 안정한 것을 볼 수 있었다. 텅스텐 박막은 $\alpha$ 및 $\beta$-W 구조를 가질 수 있으나 본 연구에서 성장된 텅스텐은 $\alpha$-W 구조를 가지는 것을 XRD 측정으로 확인하였다. 성장된 텅스텐 박막의 저항은 구조에 따라서 변화되는 것으로 알려져 있다. 증착조건에 따른 저항의 변화는 SiH4 대 WF6의 가스비, 증착온도에 따라서 변화하였다. 특히 온도가 40$0^{\circ}C$ 이상, SiH4/WF6의 비가 0.2일 경우 텅스텐을 증착시킨 후에 열처리를 거치지 않은 경우에도 기존에 발표된 저항률인 10$\mu$$\Omega$.cm 대의 값을 얻을 수 있었다. 본 연구를 통하여 산화막과의 접착성 문제를 해결하고 낮은 저항을 얻을 수 있었으나, 텅스텐 박막의 성장과정에 의한 게이트 산화막의 열화는 심각학 문제를 야기하였다. 즉, LPCVD 과정에서 발생한 불소 또는 불소 화합물이 게이트의 산화막에 결함을 발생시킴을 확인하였다. 향후, 불소에 의한 게이트 산화막의 열화를 최소화시킬 수 있는 공정 조건의 최저고하 또는 대체게이트 산화막이 적용될 경우, 개발된 연구 결과를 산업체로 이전할 수 있는 가능성이 높을 것을 기대된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.10 no.1
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• pp.44-50
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• 2001

Metal oxide semiconductor (MOS) structures containing nanocrystals are fabricated by using rapid thermal oxidations of amorphous silicon films. The amorphous films are deposited either by electron beam deposition method or by electron beam deposition assisted by Ar ion beam during deposition. Post oxidation of e-beam deposited film results in relatively small hysteresis of capacitance-voltage (C-V) and the flat band voltage shift, $\DeltaV_{FB}$ is less than 1V indicative of the formation of low density nanocrystals in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface. By contrast, we observe very large hysteresis in C-V characteristics for oxidized ion-beam assisted e-beam deposited sample. The flat band voltage shift is larger than 22V and the hysteresis becomes even broader as increasing injection times of holes at accumulation condition and electrons at inversion condition. The result indicates the formation of slow traps in $SiO_2$ near $SiO_2$/Si interface which might be related to large density nanocrystals. Roughly estimated trap density is $1{\times}10^{13}cm^{-2}$. Such a large hysteresis may be explained in terms of the activation of adatom migration by Ar ion during deposition. The activated migration may increase nucleation rate of Si nuclei in amorphous Si matrix. During post oxidation process, nuclei grow into nanocrystals. Therefore, ion beam assistance during deposition may be very feasible for MOS structure containing nanocrystals with large density which is a basic building block for single electron memory device.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.4 no.2
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• pp.63-73
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• 1993

Ag+ 이온이 부분적으로 치환된 3가지 제올라이트 A(Ag4Na8-A, Ag6Na6-A 및 Ag8Na4-A)를 완전히 탈수한 후 280℃에서 24시간동안 약 0.1 Torr의 Cs중기로 처리하 였다. 이들의 결정구조는 22(1)℃ 노에서 입방공간군 Pm3m (단위세포상수 a가 각각 12.321(3) A, 12.295(1) A 및 12.380(7) A임)을 사용하여 단결정 X-선회절법으로 해석 하였다. 이들 세가지 구조에서 Cs+이온은 각각 서로 다른 4개의 결정학적 위치에서 발견되었다. 단위세포당 3개의 Cs+이온은 8-링 중심에 위치하고, 약 6.9-7.3개의 Cs+이온 은 큰 동공의 6-링과 마주보는 위치에 있는 3회 회전축상에서 발견되었다. 그리고 약 2.17-2.74개의 Cs+이온은 소다 라이트 동공내에서 발견되며 약 0.5-1.0개의 Cs+'이온은 4링과 마주보는 곳에 위치한다. 또한 이들 구조에서 단위세포당 각각 1.88(5),2.30(3) 및 5.28(10)개의 Ag종이 존재하며 이들은 큰동공의 중심에서 헥사실버 클러스트를 형성한다. 8-링위치가 Cs+이온으로 모두 차있어서 Ag0가 골조밖으로 이동하는 것을 막을 수 있다. 각각의 헥사실버 클러스터는 서로 다른 좌표에 위치하는 14개의 Cs+이온에 의해 안정화된다. 이들 구조에서 발견되는 약 12.35-13.49개의 Cs+이온들은 Cso의 흡착이 일어나 제올라이트 기본 골 격에 있는 음이온 전하와 균형을 맞출 수 있는 12개의 Cs+ 이온 이상의 이온 또는 원자로 존재하고 있다. Cs+의 배열 은 다음과 같은 두 가지 배열로 쉽게 설명할 수 있다. 일부는 2개의 Cs+이온이 소다이트 동공내에 있는 6-링과 마주보는 곳에 위치하고 큰동공내에는 6개의 Cs+이온이 6링 근처에 위치하며 1개는 4-링 근처에 위치한다. 그 나머지는 소다라이트 동공내에 위치하는 3개의 Cs+이온과 한변의 길이를 3.52 A로 갖는 삼각형을 형성한 후 6-링을 통 하여 큰 동공 내에 위치한 3개의 Cs원자와 결합하게 되므로 3m (C3v)의 대칭구조를 갖는 (CS6)4+클러스터를 형성한다. 그 밖의 5개 Cs+이온은 비어있는 큰동공의 6-링에 위치한다.

• Journal of The Korean Association For Science Education
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• v.36 no.5
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• pp.791-800
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• 2016

This research aimed to identify core words used as associative words and definitions for expressing 'electricity' terminology and to find how core ones are activated to form a cognitive structure, using network analysis. The participants targeted 83 university freshmen students in the University of Education located in suburbs. Depending on their gender, whether or not they completed physics in high school, the associative words and definitions were analyzed using the network method, classifying two sections: before-lesson and after-lesson. The result is as follows: At before-lesson associative words for 'electricity' terminology, a slightly different network construction was revealed based on their two properties. However, after the class, they showed similar network structure irrespective of their distinctive characteristics. When it comes to other 'electricity' definitions, before taking the course, they had similar network connection across the gender but based on physics education status, there appeared subtle differences. Ultimately, after the class they demonstrated similar network structure regardless of their features. In conclusion, this paper suggests educational implications on network analysis, which covers 'electricity' terminology of university students.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.5
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• pp.527-533
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• 2006

Spinel $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ thin films were synthesized up to x = 0.9 by a sol-gel method employing spin-coating. The Ni-substituted films were found to maintain cubic structure at low x but to exhibit tetragonal structure for $x{\geq}0.6$. Such cubic-tetragonal phase transition indicates that $Ni^{3+}(d7)$ ions with low-spin $(t_{2g}^6,e_g^1)$ state occupy the octahedral sites of the compound, thus being subject to the Jahn-Teller distortion. By x-ray photoelectron spectroscopy both $Ni^{2+}$ and $Ni^{3+}$ ions were detected. Optical properties of the $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ films were investigated by spectroscopic ellipsometry (SE) in the visible?ultraviolet range. The measured dielectric function spectra by SE mainly consist of broad absorption structures attributed to charge-transfer (CT) transitions, $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{4+}(3d)$ for 1.9 $(t_{2g})$ and $2.8{\sim}3.0$ eV $(e_g)$ structures and $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{3+}(3d)$ for 2.3 $(t_{2g})$ and $3.4{\sim}3.6$ eV $(e_g)$ structures. Also, sharp absorption structures were observed at about 1.6, 1.7, and 1.9 eV, interpreted as due to d-d crystal-field transitions within the octahedral $Mn^{3+}$ ion. The strengths of these absorption structures are reduced by the Ni substitution. Rapid reduction of the CT transition strength involving the eg states for x = 0.6 is attributed to the reduced wavefunction overlap between the $e_g$ and the $O^{2-}(2p)$ states due to the tetragonal extension of the lattice constant by the Jahn-Teller effect.

• 한국HCI학회:학술대회논문집
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• 2006.02a
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• pp.1305-1312
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• 2006

최근 들어 휴대성을 강조한 휴대폰이나 PDA 같은 다양한 모바일 기기의 등장으로 언제 어디서나 원하는 정보를 탐색할 수 있게 되었으나 기기는 점점 작아지는 반면, 기능은 증가하고, 많은 기기들이 데스크톱 인터페이스를 그대로 차용하여 작은 모바일 기기에는 적합하지 않은 결과를 낳고 있다. 따라서 본 연구는 청각 피드백을 이용한 공간정보 단서를 제공하여 작은 기기의 사용성을 높이는데 초점을 두고 있다. 이를 위하여, 실험 1에서는 두 가지 메뉴 구조에서 세 가지 청각 피드백의 영향을 조사하였는데, 격자메뉴와 한 줄 메뉴에서 각 청각피드백이 미치는 영향과 사용자의 선호도를 조사하였다. 실험 결과, 격자메뉴에서 수행이 좋았으나, 청각 피드백 유형별 수행 차이는 나타나지 않았고, 각 피드백에 대한 선호도에서도 차이가 나타나지 않았다. 실험 2에서는 실험 1에서 사용된 정보를 제공하는 청각적 피드백을 음 높이와 음의 개수 속성으로 세분화하여 PDA에서 메뉴 탐색 수행을 4블록으로 나누어 조사하도록 설계하였다. 실험 결과, 음 높이 속성만 갖는 피드백은 블록이 진행되면서 반응 시간에 있어서 피로도가 나타난 반면, 음 개수 속성만 갖는 피드백은 블록이 진행되어도 피로도가 나타나지 않았다. 한편, 두 속성을 모두 갖는 피드백은 블록이 진행되면서 보행 속도가 유의미하게 줄어드는 것을 발견하였다. 본 연구의 결과는 앞으로 유비쿼터스 환경에서 사용자에게 효율적인 청각 피드백을 통해 공간 정보를 제공함으로써 휴대기기의 사용성을 높일 수 있는 한 가지 가능성을 제시한다는 데 의의가 있다.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.40 no.1
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• pp.11-19
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• 1996

The cationic polymerization of energetic substituted oxetanes which have pendant energetic group such as azido and nitrato are investigated theoretically, using semiempirical HF/3-21G, MINDO/3, MNDO and AM1 method. The stereo- and electronic structure of binary molecular complex composed of energetic substituted oxetane and boron trifluoride can be explain by molecular orbital theory. The reactivity of propagation in the copolymerization of oxetanes can be presented by the positive charge on carbon(C2) atom of oxetane and energy level of the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) of propagating species of oxetanes. The reactivity ratios for copolymerization of oxetanes are a random copolymer-zation which is agree with MO calculated and experimental results. The relative equlibrium concentration of cyclic oxonium and open carbenium ions is found to be a major determinant of mechanism, owing to the rapid equilibrium of these cation forms and the expectation based on calculation that in the prepolymer propagation step, SN1 mechanism will be at least as fast as that for SN2 mechanism.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.1 no.2
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• pp.1-8
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• 1991

The electronic and magnetic structure of Fe overlayers on W(110) is determined by means of the all-electron local spin density full potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method with a single slab approach. Charge and spin densities, magnetic moments, contact hyperfine fields, and layer projected density of states (LDOS) are presented. For bilayer Fe coverage, we find magnetic moments to be 2.90 and 2.30 ${\mu}_B$ for the surface and subsurface Fe layers, respectively, corresponding to a 18% enhancement of the total magnetization compared with the calculated bulk value (2.22${\mu}_B$);For monolayer coverage the moment is 2.56 ${\mu}_B$ which is enhanced by 16% compared to bulk. Unusual changes in the magnetic hyperfine interaction are found in going from a monolayer to a bilayer coverage. Comparison of the results to the theoretical ones of the clean Fe(110) to discuss the hybridization and the negative pressure effects. We discuss our results by comparing them to experimental results.