• Title/Summary/Keyword: 광 이동도

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Design and implementation of a small broadband dipole antenna using the symmetric double-ring structure (대칭형 이중 링 구조를 이용한 소형 광대역 다이폴형 안테나의 설계 및 구현)

  • Ju, Young-Rim;Kim, Woo-Su;Oh, Soon-Su;Park, Hyo-Dal
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.14 no.8
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    • pp.1745-1751
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    • 2010
  • In this paper, a small broadband dipole antenna that simultaneously satisfies DCS1800/PCS/WCDMA/WLAN is designed and fabricated. To reduce the size and to improve the bandwidth of planar microstrip dipole antenna, a new symmetric double-ring radiator structure is used. An antenna can be reduced with increasing effective current length of dipole, and can be obtained a wide band impedance characteristic with decreasing reactance component by using a novel symmetrical double-ring structure. The proposed antenna shows broadband characteristic of 1.07GHz(52%) from 1.5GHz to 2.57GHz with VSWR < 2 (${\leq}-10dB$).

Synthesis of Al-Doped ZnO by Microwave Assisted Hydrothermal Method and its Optical Property (마이크로파 수열합성법을 이용한 알루미늄이 도핑된 산화아연 합성 및 그 광학적 특성)

  • Hyun, Mi-Ho;Kang, Kuk-Hyoun;Lee, Dong-Kyu
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.16 no.2
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    • pp.1555-1562
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    • 2015
  • Metal oxide semiconductors have been applied in several areas, such as solar cells, sensor, optical elements and displays, due to the high surface area, unique electrical and optical characteristics. Zinc oxide among the metal oxide has excellent physicochemical properties. Zinc oxide is a n-type semiconductor with a wide direct transition band gap of 3.37 eV at room temperature and large exciton binding energy of 60 meV. Cation-doped zinc oxide studies were conducted to complement the electrical and optical characteristics. In this paper, Al-doped ZnO was synthesized by hydrothermal synthesis using microwaves. ZnO was synthesized by adjusting the precursor ratio and using different dopants. The optimal ZnO synthesis conditions for crystal shape and optical properties were determined. The optical properties of aluminum doped zinc oxide were then examined by SEM, XRD, PL, UV-vis absorbance spectrum, and EDS.

A Study on Ultra Precision Grinding of Aspheric SIC Molding Core for Camera Phone Module (카메라폰 모듈용 비구면 Glass렌즈 성형용 Silicon Carbide(SiC) 코어 초정밀 연삭가공에 관한 연구)

  • Kim, Hyun-Uk;Cha, Du-Hwan;Lee, Dong-Kil;Kim, Sang-Suk;Kim, Hye-Jeong;Kim, Jeong-Ho
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2007.11a
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    • pp.428-428
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    • 2007
  • 최근 고화질 카메라폰이 경박단소화 되는 경향에 따라 Plastic렌즈 또는 구면 Glass렌즈만으로는 요구되는 광학적 성능 구현이 힘들기 때문에 비구면 Glass렌즈에 대한 요구가 증가하고 있다. 이러한 비구면 Glass렌즈는 일반적으로 초경합금 성형용 코어를 이용한 고온압축 성형방식으로 제작되어지기 때문에 코어면의 초정밀 연삭가공 및 코어면 코팅기술 개발이 시급한 상황이다. 한편, 대표적인 난삭재 Silicon Carbide(SiC)는 광학적 특성 및 기계적 특성, 전기적 특성 등 우수한 특성을 가진 재료로서 우주망원경, 레이저 광 및 X선 반사용 미러 등 다종, 다양한 용도로 이용되고 있으며 전기, 전자, 정보, 정밀기기의 급격한 발전으로 SiC의 수요가 급격히 증가하고 있다. 비구면 Glass렌즈 성형용 코어를 SiC소재로 제작할 경우 성형용 코어의 수명향상, 렌즈 생산원가의 절감 및 코팅 과정의 간소화 등의 다양한 장점을 가지므로 SiC를 이용한 성형용 코어의 나노 정밀도급 초정밀 연삭가공기술의 개발이 필요하다. 본 논문에서는 3 메가픽셀, 2.5배 광학 줌 카메라폰 모듈용 비구면 Glass렌즈 개발을 목적으로 실험계획법을 적용하여 초경합금 성형용 코어의 연삭조건을 규명하였다. 초경합금 비구면 성형용 코어의 초정밀 연삭가공조건 및 결과를 바탕으로 난삭재인 Silicon Cabide(SiC)의 연삭가공조건을 구하고 이를 이용하여 비구면 Glass렌즈 성형용 코어를 초정밀 연삭가공하였다.

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RF magnetron sputtering에 의해 제작된 $SnO_2$ 투명전극의 구조적 및 광학적 특성

  • Im, Jeong-U;Lee, Dong-Hun;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.205-205
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    • 2010
  • 투명 전극(transparent conducting oxide, TCO)은 높은 전기전도도 및 낮은 비저항 ($10^{-4}{\sim}10^{-3}\;{\Omega}cm$)과 가시광영역에서의 우수한 광투과도(> 80%) 특성을 가지며, 주로 디스플레이, 태양전지, 가스 센서 소자 등에 쓰인다. 투명전극으로 쓰이는 대표적인 물질로서는 ITO, ZnO, $SnO_2$ 등이 있으며, ITO는 전기적 특성이 우수하여 널리 사용되고 있으나 가격이 비싸고 화학적으로 불안정하고, ZnO는 ITO에 비해 가격이 저렴하지만 고온에서 불안정한 특성을 가지고 있다. 반면, $SnO_2$는 ITO와 ZnO에 비해 전기적 특성은 떨어지지만, 우수한 열적, 화학적 안정성 및 높은 내마모성을 가지고 제조단가가 저렴하여 TCO 재료로 많은 연구가 진행되고 있다. TCO 박막을 증착시키는 방법으로 CVD, ion plating, sputtering, spray pyrolysis 등이 있으며, 이 중 sputtering 방법은 균일한 입자로 균질의 박막을 입힐 수 있고 우수한 재현성과 낮은 온도에서도 증착이 가능하여 박막 제조 방법으로 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 $SnO_2$ 박막을 실리콘 (100) 및 글라스 (Eagle 2000) 기판 위에 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 제작하였다. 박막 증착을 위해 99.99%의 2 인치 un-doped $SnO_2$ 타겟을 사용하였고, 기판은 20 rpm 으로 회전시켜 균일한 박막이 형성될 수 있도록 하였으며, 초기 진공도는 $1{\times}10^{-6}\;Torr$가 되도록 하였다. 증착 변수로 기판-타겟간 거리, RF 파워, $O_2/(Ar+O_2)$ 비, 공정압력, 기판 온도 등을 각각 변화 시키며 $SnO_2$ 박막을 증착하였다. 증착된 박막의 구조적 및 광학적 특성을 분석하기위해 FE-SEM, AFM, XRD, UV/VIS spectrophotometer, Photoluminescence 등을 사용하였다.

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높은 In 조성을 갖는 InGaN 구조의 열처리 변수에 따른 구조 및 광학적 특성

  • Lee, Gwan-Jae;Jo, Byeong-Gu;Lee, Hyeon-Jung;Kim, Jin-Su;Lee, Jin-Hong;Im, Jae-Yeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.228.2-228.2
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    • 2013
  • 본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법(Alternate Growth Method)을 이용해 형성한 높은 인듐(Indium) 조성을 갖는 InGaN (HI-InGaN) 구조의 열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 온도 및 시간에 대한 구조와 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Transmission Electron Microscopy와 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. DCXRD 스펙트럼에서 HI-InGaN 박막은 GaN(0002)로부터 $2.98^{\circ}$ 분리된 위치에서 회절 신호를 관찰 할 수 있다. 그리고 GaN와 HI-InGaN 신호 사이의 넓은 범위에서 미약하지만 신호가 관찰 되는데, 이는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률의 차이에 기인한 In 조성이 다른 InGaN 신호로 해석할 수 있다. 열처리 온도를 $775^{\circ}C$로 고정하고 시간을 10, 20, 30초로 각각 변화시켜 RTA를 진행한 DCXRD 스펙트럼에서 GaN(0002)로부터 $0.7{\sim}1.1^{\circ}$ 떨어진 위치에서 InGaN 피크를 확인 할 수 있다. RTA 시간이 증가 할수록 HI-InGaN 신호의 위치가 GaN 피크 방향으로 이동하며, 세기가 증가하는 것을 확인 할 수 있다. HI-InGaN의 PL 스펙트럼에서 상온 발광파장은 1369 nm 이며, 반치폭(Line-width)은 51.02 nm을 보였다. RTA 수행 후 발광파장에 따른 광세기가 각각 달라졌으며, 특히 900 nm 부근의 신호가 상대적으로 크게 증가하는 것을 확인할 수 있었다. RTA에 따른 HI-InGaN의 구조 및 광학적 특성 변화를 InN와 GaN 계면에서 In, Ga 원자의 상호확산 효과현상으로 논의할 예정이다.

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InGaZnO 박막 트랜지스터에 대한 광조사 및 게이트 바이어스 스트레스에 대한 열화 현상 분석

  • Kim, Byeong-Jun;Jeon, Jae-Hong;Choe, Hui-Hwan;Seo, Jong-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.177-177
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    • 2013
  • 디스플레이 화소 스위치 소자로 수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)로 대체하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 금속 산화물 중에서 박막 트랜지스터의 활성층으로 응용이 가능한 가장 대표적인 물질은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O) 화합물인 InGaZnO이다. InGaZnO TFT의 전기적 특성은 비정질 실리콘보다 우수한 것으로 확인이 되었지만, 소자의 신뢰성은 아직까지 해결해야 할 문제로 남아있다. 본 연구에서는 InGaZnO TFT를 제작하여 게이트 바이어스와 빛을 소자에 동시에 인가했을 때 발생하는 소자의 열화현상을 분석하였다. 다양한 채널 폭과 길이를 갖는 InGaZnO TFT를 제작하고 동시에 활성층의 구조를 두가지로 제작하였다. 첫번째는 활성층의 폭이 소오스/드레인 전극 폭보다 넓은 구조(active wide, AW)이고 두번째는 활성층의 폭이 소오스/드레인 전극 폭보다 좁은 구조(active narrow, AN) 구조이다. 이들 소자에 대해 +20 V의 게이트 바이어스와 빛을 동시에 인가하여 10000초 후의 소자 특성을 초기 특성과 비교하였을 때는 열화가 거의 발생하지 않았다. 반면 -20 V의 게이트 바이어스와 빛을 동시에 인가하여 10000초 후의 소자 특성을 초기 특성과 비교하면 전달특성 곡선이 음의 게이트 전압 방향으로 이동함과 동시에 문턱전압이하의 동작 영역에서 전달특성 곡선의 hump가 발생하였다. 이 hump 특성은 AW 구조의 소자와 AN 구조의 소자에서 나타나는 정도가 다름을 확인하였다. 이러한 열화 현상의 원인으로 음의 게이트 바이어스와 빛이 동시에 인가될 경우 InGaZnO 박막 내에는 활성층 내에 캐리어 밀도를 증가시키는 donor type의 defect가 발생하는 것으로 추정할 수 있었다. 추가적으로 활성층의 테두리 영역에서는 이러한 defect의 발생이 더 많이 발생함을 알 수 있었다. 따라서, 활성층의 테두리 영역이 소오스/드레인 전극과 직접 연결이 되는 AN 구조에서는 hump의 발생정도가 AW 구조보다 더 심하게 발생한 것으로 분석되었다.

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Development of Hybrid Device for Photovoltaic Power Generation and Heating (복합식 태양광 발전 및 난방장치 개발)

  • Lee, Dong Il;Baek, Seung Wook
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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    • v.38 no.11
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    • pp.907-914
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    • 2014
  • The objective of this study was to increase the generating efficiency of concentrated photovoltaics (CPV) by using hybrid solar tracking. Further, the proposed system was demonstrated to have the ability to extract thermal energy from a concentrated photovoltaic system by using thermal absorbers containing heat pipe, which could then be used for a heating system or hot-water supply. The average electrical efficiency was 16 during the day, and the average thermal efficiency was 62. Therefore, this system demonstrated a total efficiency (electrical thermal) of 78. All the processes, i.e., tracking of the sun, calculation of the sun's position, reinstatement of the heating device toward the east for tracking on the next day, and system shutdown, were programmed using Simulink. A parametric analysis of the heat pipe, concentration ratio, and inlet velocity was also performed in terms of the operating temperature of the CPV and the outlet temperature. The simulation and experimental results for the thermal absorber were found to be in good agreement.

Development of Texture Neutralization System for the Invisible e-Performance (투명 e-퍼포먼스를 위한 텍스쳐 중화 시스템 개발)

  • Lee, Dong-Hoon;Yun, Tae-Soo
    • Journal of Korea Multimedia Society
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    • v.14 no.4
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    • pp.585-594
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    • 2011
  • On live performance such as play and musical, various stage effects are utilized to attract a diverse audience. These stage effects include traditional direction techniques, striking display effects and all kinds of ways of being immersed in the scene. In this paper, we propose a novel digital visual effects(digilog) for controlling the surface texture of objects based on spatial augmented reality. For this purpose, we present a method of neutralizing the appearance of an arbitrary object using a projector-camera system. To make the object appear as if it is a transparent object by projecting a carefully determined compensation image onto the surface of objects, we use the homography method for a simple and effective off-line projector-camera calibration. The successful uses of the basic algorithm of Smart Projector for measuring radiometric parameters led us believe that this method may be used for temporal variation of plays and musicals.

A Study on the development of ECU for Adaptive Front-lighting System (Adaptive Front-lighting System용 ECU 개발에 관한 연구)

  • Kim, Gwan-Hyung;Kang, Sung-In
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.11 no.11
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    • pp.2078-2082
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    • 2007
  • Recently, according to traffic accident statistics, traffic accidents occurring at night are as frequent as those during daytime, but their death rate is 1.5 times higher than that of daytime traffic accidents. This problem originates that the insufficient range of vision security of a driver causes the inappropriate accident confrontation. Therefore, in this paper, a microcontroller-based digital control method for the superior performance in headlight system is presented for optimal control that can adapt complex transient state, steady state and various environments. Specially in vehicles# headlight, its fundamental purpose is to implement the artificial headlight system which automatically controls the lighting patterns most adaptive to driving, road and weather conditions. Therefore we aimed at the development of headlight system, focused on the implementation of an artificial vehicle, of more advanced convenience and safety for drivers.

Effect of Shading Level on the Induction of Inflorescence and Growth of Phalaenopsis Hybrid (차광 수준이 팔레놉시스의 화경 발생과 생육에 미치는 영향)

  • Lee, Dong Soo;Yae, Byeong Woo;Lee, Yong Beom;Lee, Young Ran
    • FLOWER RESEARCH JOURNAL
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    • v.19 no.1
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    • pp.37-41
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    • 2011
  • This experiment was carried out to find an optimum shading level for the growth of root and shoot, and to find the effect of shading level after August on the induction and growth of inflorescence of Phalaenopsis hybrid. The shading levels were 50%, 60%, 70%, 80% and 90% of natural light($1200{\mu}molm^{-2}s^{-1})$. The $CO_2$ uptake, transpiration rate, carbohydrate content, fresh weight and dry weight of Phalaenopsis hybrid were higher at 50-60% level than the others. But, it was diminished when the shading level was increased from 70% to 90%. Inflorescence length, the number of inflorescence and flower per plant all increased under 50-60% shading level and the day needed for the flowering after treatment decreased. Especially, the induction of inflorescence was depressed and flowering is not occurred under 90% during experiment period. These results suggest that the optimal shading level for the growth of Phalaenopsis including inflorescence was founded to be 50-60% in the season of light intensity and amount of sunshine decrease after august.