• Photonics industry news
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• s.20
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• pp.62-69
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• 2004

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.192-193
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• 2002

지금까지 측면이 코어 가까이 연마된 잔일모드 광섬유와 평면 도파로 사이의 광결합을 이용한 소자들이 많이 연구되고 있다. 이를 이용한 소자들로는 광필터, 광변조기, 광스위치, 굴절계, 편광기 등이 있으며 최근에는 파장분할다중화(WDM)에서 인접채널간의 채널분리를 위한 소자로서 빗살필터의 연구 또한 활발히 이루어지고 있다. 이에 본 논문에서는 측면이 코어 가까이 연마된 단일모드 광섬유와 평면도파로 사이의 광결합을 이용한 빗살필터를 제작하였으며 열광학 효과를 이용하여 파장 가변 빗살 필터를 구현해 보았다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.308-309
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• 2003

최근 광통신의 발전은 광 통신 소자의 제작시 집적화, 소형화, 경량화 그리고 저가격화를 원하게 되었다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 기판 위에 광소자를 집적하는 미세 광학 벤치 (Micro Optical Bench)에 대한 많은 연구가 진행되고 있는 중이다. MEMS(Micro Electro Mechanical System) 공정기술인 벌크(bulk) 마이크로 머시닝 기술을 이용함으로서 하나의 기판 위에 광소자들을 조립하는 미세 광학 벤치를 구현 할 수 있다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2001.02a
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• pp.38-39
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• 2001

반도체에서 소자의 크기를 작게 하고 집적도를 높임으로서 성능과 효율을 증가시키는 노력이 계속되듯이 광소자의 경우에도 고효율을 갖는 아주 작은 크기의 발광소자를 만들어서 광 정보처리에 이용하려는 노력이 진행중이다. 특히 마이크론 크기의 공진기와 이득물질간의 광결합 효율이 높으면 레이저 발진 문턱이 낮아진다는 원리를 이용한 마이크로 레이저 연구가 활발하다. 이러한 마이크로 레이저의 연구는 크게 두 가지 방향으로 진행된다. (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.292-293
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• 2003

반도체 공정에서 위상 소자를 적용하는데 있어, 그 위상항을 ITFA 방법을 적용하여 계산하였고 계산된 위상 소자에 따른 광출력 회절효율을 계산하였다. 이러한 회절 효율의 계산은 출력 평면 내에만 해당되는 것이고, 이외의 영역으로 출력이 소실되는 경우를 고려하지 않았다. 또한, 위상항의 양자화 깊이의 변화에 대하여 입력광이 위상소자를 지난 후의 광출력 효율에 대하여 계산하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.18 no.1
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• pp.50-55
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• 2007

Using the Selective Area Growth (SAG) technology of Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), we successfully integrated an active device and passive devices on the same substrate. In other words, we integrated a Semiconductor Optical Amplifier (SOA) as an active device and an S-bend waveguide and a Multi Mode Interference (MMI) waveguide as passive devices. The SOA is successfully integrated with passive devices on the same substrate. The Cross-Gain Modulation (XGM) characteristic of the integrated SOA and the loss of an MMI and an S-bend waveguide were measured. Measured XGM characteristics of the SOA showed an extinction ratio of 8.82 dB. The total loss of the MMI and S-bend waveguide was 18 dB.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.122-122
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• 2010

백색 유기발광소자를 제작하기 위한 여러 가지 유기물층을 사용할 때 제작공정이 어려워지고 유기발광소자의 발광 효율이 저하되고 색안정성이 나빠지는 문제점이 있다. 본 논문에서는 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유무기 혼성 유기발광소자를 제작하고 발광 메카니즘을 조사하였다. 색변환층으로 사용되는 Zn2SiO4:Mn 형광체는 졸겔 방법을 사용하여 형성하고 비이클용액 및 열처리 공정을 사용하여 유리기판 위에 도포하였다. 형성된 Zn2SiO4:Mn 형광체 층에 대하여 X선 회절측정한 결과는 형광체내의 Zn 이온이 도핑된 Mn 이온에 대체되었음을 보여준다. 제작된 진청색 OLED의 전계발광 스펙트럼은 461 nm 에서 peak 을 나타내고 Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체는 470 nm에서 여기 되어 Mn 이온의 4T1-6A1 전이에 의하여 527 nm에서 발광을 한다. Zn2SiO4:Mn 무기물 형광체를 사용한 유기발광소자의 전계발광스펙트럼에서 나타나는 527nm peak 은 Zn2SiO4:Mn 무기물의 색변환에 의해 나타난 결과로서 제작된 유기발광소자에서 발광된 빛을 청색에서 녹색으로 변환한 결과이다. Zn2SiO4:Mn 무기물 색변환층을 사용하여 제작된 무기물/유기물 유기발광소자의 발광 메카니즘은 전계발광스펙트럼 및 광루미네센스 스펙트럼 결과를 기초로 설명하였다. 이 결과는 녹색 무기물 형광체를 진청색 유기발광소자와 결합하여 제작된 유기발광소자의 발광색을 조절할 수 있음을 보여주었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.9 no.7
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• pp.733-744
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• 1996

본 논문에서는 최근 LCD소자에 있어서 큰 이슈로 등장한 표면 액정배향기술 및 광시야각 기술에 관하여 설명하였다. 표면 액정배향기술에 있어서는 종래의 러빙법에 대신하여 편광된 자외선을 조사하여 액정분자를 배열시키는 광배향제어법이 큰 기대를 모으고 있으며, 이 기술은 프리틸트 각 발생제어기술과 신뢰성이 과제로 남아있다. 광시야각 기술에 있어서는 최근까지 여러 방식이 제안되어왔으며 그 중에서도 현재로는 광학보상법, IPS방식 등이 실용화가 진행되고 있다. 그러나 향후 다른 방식의 기술발전 여부에 따라 상황이 변화될 것으로 예상된다. 각각의 방식에 따라 서로 장단점을 지니고 있어 향후 이용분야에 따라 용도를 나누어서 응용될 것으로 기대되어진다. LCD소자는 이러한 기술개발의 결과로 평판디스플레이 소자 중에서 더욱 확고한 위치를 확보할 것이며 더 많은 시장성을 점유할 것으로 전망된다. 이상으로 본 논문에서는 LCD소자의 표면액정 배향기술 및 광시야각 기술에 관하여 해설하였으며 표면액정 배향기술에 관하여는 간단히 소개하였으나 이 내용에 관하여는 다음 기회에 상세히 소개하기로 한다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.9 no.5
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• pp.333-341
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• 1998

The novel integrated device, 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$ DR-LD(distrbuted reflector laser diode) integrated EA-MOD (electro-absorption modulator) as light source, is proposed to improve the device yield and its operational performances. This device can be easily fabricated by the selective MOVPE technique and its fabrication processes are almost the same as the reported 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$ DFB-LD(distributed feedback laser diode) integrated EA-MOD except the asymmetric gratings. The static and dynamic properties are investigated simultaneously by solving the transfer matrix method for light propagation, the time-dependent rate equation for carrier change and schr$\"{o}$dinger equation for QCSE (Quantum-Confined Stark Effect). The performances of the proposed device such as output power, chirp, and extinction ratio are compared with those of DFB-LD integrated EA-MOD. Under 10Gb/s NRZ modulation, we obtain that DR-LD integrated EA-MOD. is 30% higher in output power on the on-state, about 50% lower in chirp, and slightly larger in extinction ratio than DFB-LD integrated EA-MOD.-MOD.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.20 no.3
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• pp.19-22
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• 2013

Recently, high speed transmission and large information demand have been increased. Also, researches of integrated optical device for large production and high-efficient planar lightwave circuit (PLC) have been increased. In this paper, integrated optical alignment is proposed which makes passive alignment between optical device and optical fiber possible. The integrated optical device consists of splitter structures which have one input and two outputs. The proposed integrated structure was fabricated by roll-to-roll (RTR) processing method. This method enables to manufacture continuously and the processing time can be shortened. Optical property of the fabricated optical device showed 3.9 dB insertion loss and 0.2 dB optical uniformity using the light source with 1550 nm wavelength.