국내의 다음세대 컴퓨터 개발을 위한 VLSI 설계와 CAD 분야에 대한 연구 방향을 제시한다. 연구의 목표는 국제적으로 경쟁할 수 있는 VLSI 설계능력과 백만개 정도의 트랜지스터로 자성된 회로를 경제적으로 설계하기 위한 CAD 기술과 System의 확립이다. ·새로운 회로 구조와 알고리즘에 대한 연구 · CAD 도구와 언어의 개발에 관한 첨단 CAD 기술개발연구 · VLSI 설계에 필요한 CAD 도구 이용과 개발에 필요한 표준 인터페이스, 네트워킹, 컴퓨팅 하드웨어. 시스템 소프트웨어에 대한 연구등의 부분으로 크게 나눌 수 있다. 이용 가능한 CAD system을 평가하고 개선하며 첨단 CAD에 대한 소프트웨어와 하드웨어에 대해 · 컴퓨팅 하드웨어 · 프로그램 분위기 · 네트워킹 능력 ·자료 교환을 위한 표준인터페이스 등에 관해 조사분석도 병행한다. CAD에 관한 세부적인 연구 과제는 · 시스템 사양언어 · 설계 검증 ·시스템시뮬레이션· 설계 합성 · 설계 해석· 설계 방법론·디바이스와 공정 모델링 프로그램 등이다. 고속 계산용 VLSI에 관한 구조와 알고리즘은 행렬 계산을 위한 ·분산 배열 처리 회로 ·시스토릭 (Systolic) 배열 회로 ·셀률라(Cellular) 논리 회로 · 3차원 배열 회로 와 · 비규칙적 계산 알고리즘을 갖는 VLSI가 있다. VLSI설계훈련과 CAD 기술 축적을 위해 CAD enter를 설립하여 전국적인 CAD 네트워킹을 관계 연구소와 여러 대학에 가설하며, MPC 계획을 추진한다. VLSI설계 가능성이 입증되면 VLSI 설계능력을 더욱 향상 시키기 위해 0.5∼1.0mm기술의 silicon faundary를 설립한다. 연구 개발 조직은 대학, 산업체. 연구소가 삼위일체가 되어 수행될 수 있도록 연구 개발 위원회를 설치 운영하며 경쟁적이며 경제적으로 연구 업무를 집행하는 것이 바람직하다.았다.형질에 관여하는 귀전자에 미치는 기구에 대하여 검토할 여타가 있다고 보여진다. 분해능의 특징으로 미루어 앞으로는 레이저를 이용한 계측 방법이 그 주류를 이룰 것으로 사료된다. 우선 본 해설은 기체의 온도 및 농도의 광학적 측정방법중 Raman산란광 검출법에 대하여 실제로 측정하는 입장에서 간단히 소개한다.lity)이, 높은 $GA_3$함량에 기인된다'는 주장은 본실험(本實驗)으로 부인(否認)되었다. 따라서, 응용학적(應用學的) 측면에서 고려해 볼 때, 리베스식물(植物)의 육종기간 단축을 위한 모든 화아분화(花芽分化) 촉진 조치는 P.J.-식물(植物)이 20. node이상 생육하였을 때 취하는 것이 효율적인 것으로 결론 지어진다.앞당겨진 7月 셋째 週였다. 8. Culex (Culex) tritaeniorhynchus summoro년의 最大發生 peak는 1981年, 1982年 모두 8月 둘째 週였다. 9. Anopheles (Anopheles) sinensis의 最大發生 peak는 1981年에 7月 다섯째 週, 1982年은 2週 앞당겨진 7月 셋째 週였다. 10. 重要 3種의 最大 peak를 比城하면 Culex (Culex) pipiens pallens와 Anopheles (Anopheles) sinensis는 1981年과 1982年 모두 最大 peak時期가 同一하였으며, Culex (Culex) tritaeniorhynchus summoro년는 2年間 모두 8月둘째 週에 나타났다.osterior to manubrium and anterior to aortic arch) replacing the normal mediastinal fat. (2) In benign thymoma, the marging of the mass was smooth and the normal fat
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.8
no.6
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pp.1107-1114
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2004
System Packet Interface Level 4 Phase 2(SPI-4.2) is an interface for packet and cell transfer between a physical layer(PHY) device and a link layer device, for aggregate bandwidths of OC-192 ATM and Packet Over Sonet/SDH(POS), as well as 10Gbps Ethernet applications. SPI-4.2 core consists of Tx and Rx modules and supports full duplex communication. Tx module of SPI-4.2 core writes 64-bit data word and 14-bit header information from the user interface into asynchronous FIFO and transmits DDR(Double Data Rate) data over PL4 interface. Rx module of SPI-4.2 core operates in vice versa. Tx and Rx modules of SPI-4.2 core are designed to support maximum 256-channel and control the bandwidth allocation by configuring the calendar memory. Automatic DIP4 and DIP-2 parity generation and checking are implemented within the designed core. The designed core uses Xilinx ISE 5.li tool and is described in VHDL Language and is simulated by Model_SIM 5.6a. The designed core operates at 720Mbps data rate per line, which provides an aggregate bandwidth of 11.52Gbps. SPI-4.2 interface core is suited for line cards in gigabit/terabit routers, and optical cross-connect switches, and SONET/SDH-based transmission systems.
Proceedings of the Computational Structural Engineering Institute Conference
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2010.04a
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pp.618-619
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2010
LED는 기존의 발광원에 비해 훨씬 높은 파워와 효율성으로 인해 최근 들어 각종 조명이나 교통신호 등에서 사용이 급증하고 있다. LED 재료를 위해 지금까지 여러가지가 연구되어 왔는데, 갈륨 질화물 (Gallium Nitride, GaN)에 기반한 시스템이 최근들어 가장 큰 관심을 받고 있다. GaN 방식은 열적으로 매우 안정성이 있고, 1.9 ~ 6.2 eV 범위의 넓은 밴드의 Gap, 그리고 인듐이나 알루미늄과 결합하여 청, 녹, 백색등의 다양한 빛을 발생할 수 있는 장점을 가지고 있다. 예를 들어 청색 LED는 광학 방식의 기록매체에, 백색 LED는 기존의 조명램프의 대체용으로 활용이 가능하다. 이러한 장점 덕분에 GaN기반 LED 시장은 1994년에 최초로 상용화 된 이래 최근 급격한 성장을 보여 왔다. 그러나 GaN은 다른 III~V 타입의 반도체 재료와는 달리 재료가 성장하기 위해 사파이어와 같은 별도의 기판을 필요로 하는 문제가 있다. 이것은 결국 전위발생과 같은 격자의 부조화 같은 문제를 야기하여 결국 LED의 성능을 떨어뜨리는 요인이 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 방법이 개발되었는데, 이 방법은 시간당 100 미크론의 매우 빠른 성장속도로 높은 두께의 레이어를 만드는 장점이 있다. 이렇게 성장된 GaN 레이어는 베이스 기판에서 쉽게 분리되어 활용이 가능하다. 그러나 HVPE 기술은 성장 공정에서 두께를 균일하게 만들도록 제어하는 것이 매우 어렵다는 문제가 있다. 따라서 HVPE 방식에서는 이러한 조건을 만족시키기 위해 반응현상에 대한 물리적 해석을 토대로 공정조건을 정밀하게 설계해야 한다. 이를 위해 최근에 실험 또는 시뮬레이션을 활용하여 이러한 공정조건을 향상시키기 위한 여러 연구가 진행되었다. 본 연구에서는 이러한 연구의 일환으로 반응로에 투입되는 여러 기체의 유량과 존별 주변온도 조건을 입력변수로 하고, 이들이 GaN 성장에 미치는 영향을 분석하였다. HVPE 시스템에서 가장 이상적인 목표는 반응기체가 층류유동을 유지하면서 대부분의 반응이 기판위에서 이뤄지며, 기판위에서 성장되는 재료의 두께가 균일하게 되는 것이다. 입력변수들이 이러한 결과에 어떠한 영향을 미치는 지 분석하기 위해 전산유체역학(CFD, Computational Fluid Dynamics)을 수행하는 상용코드 FLUENT를 사용하였다. 보다 실제에 가까운 해석을 위해서는 기체간의 화학반응을 포함해야 하나, 해석의 편의와 효율을 위해 본 연구에서는 열 및 유동해석만을 수행하였다. 한편 실제 반응로의 우수성은 성장속도와 두께분포의 균일도를 통해 평가된다. CFD 해석을 통해 이들을 분석하기 위해 기존에 수행한 실험조건을 해석하고 해석결과의 유동패턴/압력분포를 실험결과의 성장속도/두께분포와 비교하고, 이중에서 관련성이 높은 해석결과변수를 우수성 평가에 활용하였다. 기존의 실험결과를 토대로 이러한 중요 결과변수와 함께 이들에 대한 목표값이 도출되고 나면, 입력 공정조건 - 사용기체의 유량과 주변온도 조건 - 에 대해 실험계획(DOE,Design of Experiment)을 수립하고 목표성능을 구현하기 위한 최적설계를 수행할 수 있다. 일반적으로 CFD를 통해 최적의 설계나 공정조건을 탐색하는 작업은 1회의 CFD 계산시간이 매우 오래 소요되기 때문에 쉽지 않다. 그러나 본 연구에서는 CFD와 DOE의 적절한 조합을 통해 적은 수의 해석을 가지고도 원하는 결과를 효율적으로 얻는 것이 가능함을 입증하고자 한다. 본 발표에서는 아직 이러한 연구가 완성되지 않은 시점에서 제반 연구개요를 소개하고 현 시점까지의 연구 결과 및 향후 계획을 소개하고자 한다.
The $n^+/p/p^+$ junction PERL solar cell of $0.1{\sim}2{\Omega}{\cdot}cm$ (100) p type silicon wafer was fabricated through the following steps; that is, wafer cutting, inverted pyramidally textured surfaces etching by KOH, phosphorus and boron diffusion, anti-reflection coating, grid formation and contact annealing. At this time, the optical characteristics of device surface and the efficiency of doping concentration for resistivity were investigated. And diffusion depth and doping concentration for n+ doping were simulated by silvaco program. Then their results were compared with measured results. Under the illumination of AM (air mass)1.5, $100\;mW/cm^2$$I_{sc}$, $V_{oc}$, fill factor and the conversion efficiency were 43mA, 0.6 V, 0.62. and 16% respectively.
Journal of the Korea Society of Computer and Information
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v.18
no.12
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pp.55-64
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2013
In this paper, the HILS (Hardware In-the-Loop Simulation) system to analyze and to verify the performance of the targeting pod is addressed. The main functions of the targeting pod is acquiring and tracking targets to guide a LGB (Laser Guided Bomb) to the targets. For the analysis of targeting pod, the real time simulate images generation of IR and daylight cameras, sever control technology, and the analysis of laser transfer characteristics are necessary. For the real time image generation and the laser transfer characteristics analysis, off-the-shelf SDK(Software Development Kit) OKTAL-SE is used. For the servo controller, well-proven mechanism in the previous program is applied to increase servo control accuracy. To analyze the performance of a targeting pod in a realistic environment, 1553B, ARINK818 interface and etc. which are actually implemented in real combat aircrafts are applied in the system. By using the developed HILS system, the performance of currently operating targeting pods in real combat aircrafts can be analyzed and predicted. Additionally, the relationship between overall system performance and each module performance can be analyzed, the currently developed HILS system is expected to be a very useful tool to generate system development requirements of targeting pods and to reduce any possible future development risks.
Dong-eun Kim;Geonwoo Kim;Kyung-Mun Kang;Akendra Singh Chabungbam;Hyung-Ho Park
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.30
no.3
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pp.94-101
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2023
Zinc oxide(ZnO) is a semiconductor material with a bandgap of 3.37 eV and an exciton binding energy of 60 meV for various applications. Recently ZnO has been proven to enhance its electrical properties for utilization as an alternative for transparent conducting oxide (TCO) materials. In this study, cation(Al, Ga)-anion(F) single and double doped ZnO thin films were grown by atomic layer deposition (ALD) to enhance the electrical properties. The structural and optical properties of doped ZnO thin films were analyzed, and doping effects were confirmed to electrical characteristics. In single doped ZnO, it was observed that the carrier concentration was increased after doping, acting as a donor to ZnO. Among the single doping elements, F doped ZnO(FZO) showed the highest mobility and conductivity due to the passivation effect of oxygen vacancies. In the case of double doping, higher electrical characteristics were observed compared to single doping. Among the samples, Al-F doped ZnO(AFZO) exhibited the lowest resistance value. This results can be attributed to an increase in delocalized electron states and a decrease in lattice distortion resulting from the differences in ionic radius. The partial density of states(PDOS) was also analyzed and observed to be consistent with the experimental results.
With the increasing use of drone technology, the Unmanned Aerial Vehicle (UAV) is now being utilized in various fields. However, this increased use of drones has resulted in various issues. Due to its small size, the drone is difficult to detect with radar or optical equipment, so acoustical tracking methods have been recently applied. In this paper, a method of localization of multiple drones using the acoustic characteristics of the quadcopter drone is suggested. Because the acoustic characteristics induced by each rotor are differentiated depending on the type of drone and its movement state, the sound source of the drone can be reconstructed by spatially clustering the results of the estimated positions of the blade passing frequency and its harmonic sound source. The reconstructed sound sources are utilized to finally determine the location of multiple-drone sound sources by applying the source localization algorithm. An experiment is conducted to analyze the acoustic characteristics of the test quadcopter drones, and the simulations for three different types of drones are conducted to localize the multiple drones based on the measured acoustic signals. The test result shows that the location of multiple drones can be estimated by utilizing the acoustic characteristics of the drone. Also, one can see that the clarity of the separated drone sound source and the source localization algorithm affect the accuracy of the localization for multiple-drone sound sources.
So, Sunghyun;Park, Daegeun;Park, Jiyeon;Song, Aran;Jeong, Nakwon;Yoo, Miyeon;Hwang, Jungho;Lee, Changyeop
Clean Technology
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v.25
no.4
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pp.316-323
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2019
In order to enhance combustion efficiency and reduce atmosphere pollutants, it is essential to measure carbon monoxide (CO) concentration precisely in combustion exhaust. CO is the important gas species regarding pollutant emission and incomplete combustion because it can trade off with NOx and increase rapidly when incomplete combustion occurs. In the case of a steel annealing system, CO is generated intentionally to maintain the deoxidation atmosphere. However, it is difficult to measure the CO concentration in a combustion environment in real-time, because of unsteady combustion reactions and harsh environment. Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy (TDLAS), which is an optical measurement method, is highly attractive for measuring the concentration of certain gas species, temperature, velocity, and pressure in a combustion environment. TDLAS has several advantages such as sensitive, non-invasive, and fast response, and in-situ measurement capability. In this study, a combustion system is designed to control the equivalence ratio. Also, the combustion exhaust gases are produced in a Liquefied Petroleum Gas (LPG)/air flame. Measurement of CO concentration according to the change of equivalence ratio is confirmed through TDLAS method and compared with the simulation based on Voigt function. In order to measure the CO concentration without interference from other combustion products, a near-infrared laser at 4300.6 cm-1 was selected.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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