• Journal of IKEEE
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• v.21 no.4
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• pp.404-407
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• 2017

We investigated the microstructure, electrical and optical characteristics of ZnO, AZO and ITO films using aerosol deposition process. As gas consumption increased, the electrical and optical characteristics of ZnO, AZO and ITO films were improved, and electrical and optical characteristics of ZnO, AZO and ITO films with a thickness of 400 nm were successfully fabricated on PET substrates at room temperature. The mechanical flexibility durability test shows that the ZnO films can withstand 5,000 cycles and AZO and ITO films occurs to crack in films with degradation of resistance and transmittance. Even though the AZO and ITO films shows slightly lower durability than the ZnO films, this is expected to improve performance of films through optimized processing condition and particle size control.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.5
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• pp.450-456
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• 1998

후막 GaN성장에 있어서 uniformity와 controllability를 향상시키기 위해 $GaCI_{3}$를 이용한 수직형 HVPE(Hyderide Vapor Phase Epitaxy)를 자체 제작하여 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도를 $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$까지 변화시키면서 성장된 GaN의 특성을 분석한 결과 온도가 증가할수록 표면특성과 광학적 특성은 향상되었으나 DCXRD( Double Crystal X-Ray diffractometer)의 FWHM(Full width of Half Maximum)은 온도와 무관하게 500-1000arcsec을 나타내었다. GaN의 성장이 1x1cm의 시편에 걸쳐 균일하게 이루어 졌으며, 또한 반응기 내부의 기하학적 특성이 시편의 표면특성과 성장속도에 많은 영향을 끼침을 알 수 있었다. 성장속도는 $GaCI_{3}$의 유량에 비례하였으나, $1000^{\circ}C$에서 $1075^{\circ}C$로 온도를 증가조건하에서 최대 28$\mu\textrm{m}$/hr의 GaN성장을 얻을 수 있었다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.28 no.1
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• pp.9-13
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• 2018

In this work, we investigated the variation of optical characteristics with the thickness of bulk GaN grown by hydride vapor phase epitaxy(HVPE) to evaluate applicability as GaN substrates in fabrication of high-brightness optical devices and high-power devices. We fabricated 2-inch GaN substrates by using HVPE method of various thickness (0.4, 0.9, 1.5 mm) and characterized the optical property with the variation of defect density and the residual stress using chemical wet etching, Raman spectroscopy and photoluminescence. As a result, we confirmed the correlation of optical properties with GaN crystal thickness and applicability of high performance optical devices via fabrication of homoepitaxial substrate.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.192-192
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• 2010

Transparent Conductive Oxides (TCO) 박막은 지금 까지 산업 전반에 걸쳐 많이 응용되어 사용되어지는 박막 중에 하나이다. 그대표적인 산업은 디스플레이 산업 중 평면디스플레이 산업에서 투명 전극으로 사용하는 LCD 및 터치패널에 사용되는 전극으로 사용되어져 왔다. 현재에는 솔라 셀의 전극 및 기판으로서의 응용이 많이 연구되어지고 있다. 이와 같은, 산업에서 사용되는 투명전극 재료는 낮은 전기적 특성 및 애칭특성이 우수하고 높은 광 투과도를 필요로 하고 있으며, 이러한 특성을 모두 만족하며 가장 우수한 물성을 나타내는 물질이 (Indium Tin Oxide) film이다. 하지만 Indium의 고갈과 희소성에 따른 고가라는 점의 문제로 인해 대체재료로써 부상되고 있는 ZnO의 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 투명 전도성 산화물인 ZnO박막과 Al이 도핑된 AZO박막을 저온공정이 가능한 대향 타겟식 스퍼터링 방법(FTS)을 이용하여 산소가스 분압과 Al타겟에 인가되는 Current에 따른 박막의 전기적, 광학적 특성을 파악하여 적용여부에 대해 조사하였다. ZnO박막의 결정성은 유입되는 산소가스의 유량에 따라 증가하며 일정 영역이상에서는 감소하였다. 산소가스 유량이 1.2 sccm일 때 가장 높은 결정성을 얻었다. 또한 산소가스 유량을 1.2 sccm으로 고정시킨 후 Al타겟에 인가되는 Current에 변화를 주었을 때 0.5A에서 가장 낮은 비저항을 얻었다. ZnO박막의 미세구조는 Xray-diffraction method를 이용하여 측정하였고, 산소 분압에 따른 표면조도 분석을 위해 AFM을 사용하였고 Zn와 Oxide bonding의 화학적 분석을 위해 XPS를 이용하여 분석하였다. 또한 전기적 특성은 Hall measurement, 광 투과도는 UV-VIS Spectrometer를 이용하였다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.11 no.6
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• pp.385-389
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• 2000

A phase-retardation function which was derived from Wigner distribution function (WDF) is used to increase a focal depth of a radially symmetric optical system. The WDF for one-dimensional signal is represented as a two-dimensional function of phasespace ($\chi,\zeta$), and a normalized irradiance is described as a form of the Strehl ratio (SR). The increase in the focal depth is accomplished by delivering a shearing tilt a that represents a characteristic of free space propagation with simple manipulation in the WDF space. In this paper we propose a method for evaluating the focal depth quantitatively by representing the phaseretardation function in terms of the focal depth term. In order to verify the validity of the proposed method, we compared the numerically analyzed result with that of J. Sochki's study. study.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.10 no.1
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• pp.47-52
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• 1999

This study describes a simple and effective experimental determination of pump-power dependence of refractive indices and dispersions of erbium-doped fibers (EDFs) of various doping concentrations. Systermatical analysis on light-induced change of the refractive indices and dispersion for a signal wavelength range of 1510 nm-1560 nm with a pump of 980 nm wavelength has been made by measuring the pump-induced phase changes of the signal beam in Mach-Zehnder type interferometer, which has an optically pumped EDF and a reference EDF in each of the two arms, respectively. The measured pump-induced refractive indices match well with the theoritically predicted ones. The results show that pump-induced refractivity and dispersion changes of the EDF increase with the increasing pump power and $Er^{3+}$-doping concentration as expected from theory.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.234-234
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• 2011

IGZO 투명 전도 박막은 TFT-LCD에 사용되는 투명 전도성 산화물 박막으로서 다양한 광전자 소자의 투명 전극으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 RF magnetron sputtering법으로 corning 1737 유리기판 위에 RF 파워의 변화에 따라 증착한 IGZO박막의 광학적 전기적 특성 변화를 연구하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $2.0{\times}10^{-6}$ Torr, 증착 압력 $2.0{\times}10^{-2}$ Torr, 반응가스 Ar 50 sccm, 증착 온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 RF 파워를 25 w, 50 w, 75 w, 100 w로 변화시키며, IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1 : 1 : 2 mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. 표면분석(AFM)결과 RF 파워가 증가함에 따라 거칠기가 증가하였으며, XRD 분석결과 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광 영역에서 (450 nm~700 nm) 25 w일 때 85% 이상을 확인하였고, RF 파워가 증가할수록 밴드갭이 감소하는 것을 확인하였다. RF 파워가 100 w인 경우 carrier 밀도는 $7.0{\times}10^{19}\;cm^{-3}$, Mobility 13.4 $cm^2$/V-s, Resistivity $6.0{\times}10^{-3}\;{\Omega}-cm$로 투명전도막의 특성을 보였다.

• Polymer(Korea)
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• v.34 no.5
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• pp.391-397
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• 2010

Poly(amic acid)(PAA) was prepared by reaction of bicyclo(2,2,2)oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylicdianhydride(BTDA) containing double bond for crosslinking and bis[4-(3-aminophenoxy) phenyl] sulfone(BAPS) in N,N-dimethylacetamide(DMAc). The cast film of PAA was heat-treated at different temperatures to create polyimide(PI) films. With increasing thermal crosslinking temperatures from 250 to $350^{\circ}C$, the thermo-mechanical properties, degree of crosslinking, and optical transparency of the cross-linked PI were investigated. The maximum enhancement in the thermo-mechanical properties was observed at a heat treatment condition of $350^{\circ}C$. However, the optical transparency was found to be optimal for $250^{\circ}C$ heat treatment. The degree of crosslinking in NMR was determined to be 85% to 93% with increasing annealing temperature conditions from 250 to $350^{\circ}C$.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.23 no.12
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• pp.23-30
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• 2009

LEDs are increasingly used for many applications including automotive, aviation, display, transportation and special lighting applications. Generally, the RGB multichip LED luminaire applied to signboard, emotional lighting system and display device and the white LED luminaire applied to general lighting system. white LED spectra for general lighting should be designed for high luminous efficacy as well as good color rendering. This paper describes characteristics of LED luminaire white LED and RGB multichip LED. Two type of LED luminaire prototype used experiment physical, electrical and optic test and performance analyzed. RGB multi-chip and phosphor-type white LED luminaire were analyzed by experiment on their color characteristics and luminous efficacy of radiation, distribution curve, and electrical characteristics. Research work is in progress to develop an improved performance for optic and electrical works well for two type of LED luminaires.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.333.2-333.2
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• 2014

RF 스퍼터링 방법을 이용하여 제작된 IGZO 박막 트랜지스터 및 단막을 제조하여 UV처리 유무에 따른 전기적 특성을 평가하였다. IGZO 박막 트랜지스터는 Bottom gate 구조로 제조되었으며 UV처리 이후 전계효과 이동도, 문턱전압 이하 기울기 값등 모든 전기적 특성이 개선된 것을 확인 하였다. 이후 UV처리에 따른 소자의 전기적 특성 개선에 대한 원인을 분석하기위해 물리적, 전기적, 광학적 분석을 실시하였다. XRD분석을 통해 UV처리 유무에 따른 IGZO박막의 물리적 구조 변화를 관찰했지만 IGZO박막은 UV처리 유무에 상관없이 물리적 구조를 갖지 않는 비정질 상태를 보였다. IGZO 박막 트랜지스터의 문턱전압 이하의 기울기 값과을 통하여 반도체 내부에 존재하는 결함의 양을 계산한 결과 UV를 조사하였을 때 결함의 양이 감소하는 결과를 얻었으며 이 결과는 SE를 통해 밴드갭 이하 결함부분을 측정하였을 때와 같은 결과였다. 또한 UV처리 전에는 shallow level defect, deep level defect등의 넓은 준위에서 결함이 발견된 반면 UV처리 이후에는 deep level defect준위는 없어지고 shallow level defect준위 역시 급격하게 감소한 것을 볼 수 있었다. 결과적으로 IGZO 박막의 경우 UV처리를 함에 따라 결함의 양이 감소하여 IGZO박막 트랜지스터의 전계 효과 이동도를 증가 시킬 뿐 아니라 문턱전압 이하 기울기 값을 감소시키는 원인으로 작용하게 된다는 결과를 도출하였다.