• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.02a
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• pp.276-277
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• 2003

전체 반도체 소자 제조 공정의 40 ％를 차지하고 있는 리소그래피 기술은 기억 소자뿐만 아니라 마이크로 프로세서, ASIC 등의 실리콘 소자와 군사 및 통신에 많이 사용되고 있는 화합물 반도체를 만드는 데도 쓰이고 있고, 요즈음은 DRAM 의 리소그래피 기술들을 LCD 등의 평판 표시 장치, 디스크 헤드, 프린터 헤드 및 MEMS(Micro-Electro-Mechanical System), 나노 바이오 칩 등의 제작에 응용하여 쓰고 있다. 리소그래피 기술은 생산 원가 면에서 제일 큰 비중을 차지하고 있을 뿐만 아니라 집적소자의 초고집적화 및 초미세화를 선도하는 기술이다. (중략)

• Optical Science and Technology
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• v.9 no.4
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• pp.32-39
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• 2005

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.53 no.11
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• pp.48-55
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• 2016

Ambient-light sensor system, which changes the brightness of a display as ambient light change, was studied to reduce the power consumption of the mobile applications such as note PC, tablet PC and smart phone. The ambient-light sensor system should be integrated on a display panel to improve the complexity and cost of mobile applications, so the ambient-light sensor and readout circuit was integrated on a display panel using low-temperature poly-silicon thin film transistors (LTPS-TFT). We proposed the new compensation method to correct the panel-to-panel variation of the ambient-light sensors, without additional equipment. We designed and investigated the new readout circuit with the proposed compensation method and the analog-to-digital converter for the final digital output of ambient light. The readout circuit has very simple structure and control timing to be integrated with LTPS-TFT, and the input luminance ranges from 10 to 10,000 lux. The readout rate is 100 Hz, and maximum differential non-uniformity with 20 levels of the final output below 0.5 LSB.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.90-91
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• 2003

정사각형 (sqaure) 구조 미소공진기는 Q값이 큰 4-bounce whispering gallery mode (WGM)가 존재 할 수 있고, 외부 도파로와 표면감쇠파 결합을 통해 상호작용할 때, 결합 길이가 매우 길어질 수 있어, 광통신용 Add／Drop Filter, 광집적회로 등의 저문턱 미소공진기 레이저 등의 광소자 분야에 적용하려는 연구가 최근 진행되고 있다. 그러나 단일 경계면을 갖는 사각 공진기는 공간 모드가 매우 많은 multimode 특성을 띄기 때문에 응용에 있어 단점이 된다. (중략)

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.18 no.1
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• pp.50-55
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• 2007

Using the Selective Area Growth (SAG) technology of Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), we successfully integrated an active device and passive devices on the same substrate. In other words, we integrated a Semiconductor Optical Amplifier (SOA) as an active device and an S-bend waveguide and a Multi Mode Interference (MMI) waveguide as passive devices. The SOA is successfully integrated with passive devices on the same substrate. The Cross-Gain Modulation (XGM) characteristic of the integrated SOA and the loss of an MMI and an S-bend waveguide were measured. Measured XGM characteristics of the SOA showed an extinction ratio of 8.82 dB. The total loss of the MMI and S-bend waveguide was 18 dB.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.02a
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• pp.140-141
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• 2000

집적광학 회로의 구성요소 중 광 결합기는 파장에 따른 채널간 결합기로써 WDM은 물론 광 스위칭 소자로서 매우 중요한 위치에 있다. 더우기 수직형의 구조를 갖는 광결합기가 새로이 제안되면서 결합 길이를 줄여 전체 소자길이를 감소시킴으로써 고집적화는 물론, 도파로를 진행하는 동안 겪게되는 도파 손실을 최소화하려는 움직임 또한 활발하다. 그러나 이들 수직형 광결합기는 결합효율을 높이기 위하여 대부분 상 하부 도파로의 구조가 동일한 대칭형으로 제작됨에 따라, 이들은 매우 까다롭고 복잡한 공정을 갖게된다. 또한 이러한 공정의 복잡성과 두 도파로의 대칭성을 위한 반복작업은 오히려 제작공정의 불완전함으로 인하여 이론상의 이상적 결합에 비하여 효율이나 성능 면에서 상당한 저하를 가져오게 된다. 최근 연구되고있는 대부분의 폴리머를 이용한 광 결합기 역시 대칭형 구조를 가지며 $O_2$ RIE(Reactive ion etching) 건식 식각법으로 제작된다.$^{[1]}$ (중략)

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2000.08a
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• pp.156-157
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• 2000

낮은 도핑의 silicon은 광통신에서 사용하는 1.3 및 1.55 um의 광파장 영역에서 0.01dB/cm 이하의 낮은 흡수 손실을 가짐으로 인해, core 층으로 silicon을 사용하며 상부 및 하부 cladding 층으로 SiO$_2$와 같은 유전체 박막 구조를 갖는 SOI (Silicon on Insulator)를 사용한 수동광소자에 대한 연구가 1990년대부터 진행되고 있다. 또한 silicon의 특성상 SOI는strain에 의한 영향이 낮고, 광학적 비등방성이 적어서 polymer 및 silica를 이용한 광소자에 비해 편광의존도가 낮은 광소자를 구현할 수 있는 장점이 있다. 현재까지 연구되어온 SOI 수동광소자의 연구결과는 TE/TM 편광차에 따른 채널분리도가 약 0.04nm, 누화특성이 23dB 인 8채널 AWG의 연구결과가 있었으며, 스위칭시간 < 1msec, 소광비 17 dB의 광결합기와 마하젠더가 혼합된 광변조기 및 Bookham사에서 개발한 RX/TX 양방향 송수신 광모듈에 적용된 1.3/l.55 um 파장선택적 분리기, Silicon-CMOS 증폭기와 집적화된 4channel 광다중 수신기등에 대한 연구결과가 있었다. (중략)

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.27 no.4
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• pp.47-54
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• 2020

Integration of active and passive waveguides is an essential component of the photonic integrated circuit and its elements. Butt joint is one of the important technologies to accomplish it with significant advantages. However, it suffers from high optical loss at the butt joint junction and need of accurate process control to align both waveguides. In this study, we used beam propagation method to simulate an integrated device composed of a laser diode and spot size converter (SSC). Two SSCs with different mode properties were combined with laser waveguide and optical coupling efficiency was simulated. The SSC with larger near field mode showed lower coupling efficiency, however its far field pattern was narrower and more symmetric. Tapered passive waveguide was utilized for enhancing the coupling efficiency and tolerance of waveguide offset at the butt joint without degrading the far field pattern. With this technique, high optical coupling efficiency of 89.6% with narrow far field divergence angle of 16°×16° was obtained.

• Photonics industry news
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• s.33
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• pp.20-21
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• 2006

최고의 성능과 품질을 가진 제품과 서비스로 고객에게 봉사한다는 신념으로 지난 2002년 3월에 설립된 옵토스타(대표 심재기 http://www.optosta.com)는 ETRI Spin-off 기업으로 광도파로 소자 공정, 측정, 패키징 및 신뢰성 시험 등 광집적회로 소자분야의 전문기업이다.

• Photonics industry news
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• s.18
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• pp.6-9
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• 2003

정부는 1단계 광산업 집적화 프로젝트를 2003년까지 추진하여 국내 광산업도약의 기틀을 마련하고, 2010년까지는 2단계 프로젝트로서 산업경쟁력 강화시책을 본격 추진해 명실 공히 광산업을 선진국 수준으로 끌러올린다는 단계별 발전전략을 추진하고 있다. 우선 1단계에서는 광주지역을 광산업 집적화 단지로 삼아 한국광산업진흥회, 한국광기술원 설립 등 물리적인 인프라 구축, 요서기술 개발, 인적자원 개발, 정보화 및 시장정보 데티어베이스화, 광관련 중소ㆍ벤처기업지원을 중점 추진하며, 이를 위해 국비, 지방비 및 민자를 포함해 총 4천 20억원을 추입해오고 있다. 이러한 투자는 국내 광산업의 세계시장 점유율을 현재 5%에서 2010년에는 15%까지 끌어올리는 동시에 9만명 이상의 고용효과를 창출을 목표로 하고 있다.