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김병훈;원용협
- 전자통신동향분석
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- 제10권1호통권35호
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- pp.113-122
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- 1995
현재 발표된 공간 광스위치 구조들은 전자 스위치 및 전자 통신 분야에서 많이 이용된 Clos, Benes, Banyan, omega, shuffle network 등을 directional coupler switch, TIR(total internal reflection) switch, cross X switch 등 여러가지 단위 광스위치를 이용하여 고안한 것으로 서로 다른 장단점을 갖고 있다. 따라서 4 X 4나 8 X 8, 또는 그 이상의 확장된 광스위치를 제작하기 위해서는 이러한 기존 구조에 대한 조사 및 분석이 선행되어야 한다. 본 논문은 현재 개발되어 발표된 광스위치의 구조들을 조사하여 특성을 비교하였다.
https://doi.org/10.22648/ETRI.1995.J.100111 인용 PDF

김인태;유연석
- 한국광학회:학술대회논문집
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- 한국광학회 2002년도 하계학술발표회
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- pp.262-263
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- 2002
오늘날 정보화 사회가 세계적으로 구축됨에 따라 초고속 광네트워크 사이의 통신용량의 급격한 증가로 인하여 대용량의 정보를 초고속으로 처리할 광스위치의 필요성이 심각하게 대두되고 있다.[1] 현재 연구되고 있는 광스위치 중에는 광도파로 형테와 MEMS형, 기계식 형태가 있다.[2] 그러나 이들 형태의 광스위치는 대용량과 초고속이라는 두 개의 기능을 동시에 수행하기에는 기술적 어려움이 있다. (중략)
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오광룡;안주헌;김홍만;편광의
- 한국광학회:학술대회논문집
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- 한국광학회 1995년도 광학 및 양자전자학 워크샵 논문집
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- pp.18-23
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- 1995
광도파로와 반도체 광증폭기를 직접하여 1.3$\mu$m 과장대에서 동작하는 2x2 InGaAsP/InP LD-gate형 광스위치를 제작하였다. 광스위치의 특성으로 광섬유 입출력간의 총삽입 손실이 6~10dB 이었고, 소광비가 40dB 이상으로서 세계적인 수준의 양호한 결과를 얻었다. 제작된 광스위치는 광도파로와 반도체 광증폭기 간의 높은 광 결합 효율을 얻기 위하여 RIE(Reactive Ion Etching) 에 의한 건식 식긱과 4회에 걸친 OMVPE(Organo Metallic Vapor Phase Epitaxy) 결정 성장을 이용하였으녀, 수동 도파로와 LD 사이의 광 결합 효율이 '90% 이상이 됨을 확인하였다. d;라힌 결과는 광집적화의 연구에 상당한 기에를 할 것으로 기대된다.
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이상신;신상영
- 한국광학회지
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- 제7권4호
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- pp.414-418
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- 1996
광표백 광도파로 자기정렬 전극을 이용하여 전기광학 폴리머 디지탈 광스위치를 제작하였다. 이 광스위치는 파장에 무관하게 동작하고 제작조건에 민감하지 않고 설계가 다양하다는 특성을 갖는다. 또한 광섬유와의 결합 손실이 작고 넓은 대역폭을 갖는 장점이 있다. 스위칭 성능을 향상시킬 목적으로 광표백 시간을 이용하여 광표백 광도파로의 도파모드 분포를 적절하게 조절함으로써 브랜치 영역에서의 모드 결합을 최적화 하였다. 또한 광과 인가 전계의 효과적인 겹침과 점진적으로 테이퍼된 전극을 형성하기 위해 자기정렬전극을 이용하였다. 측정된 누화는 1.32.mu.m와 1.55.mu.m에서 모두 -21dB 이하였고 각 출력포트의 소멸비도 모두 20dB 이상이었다.
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박종대;서동수;박재만
- 대한전자공학회논문지SD
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- 제41권10호
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- pp.51-56
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- 2004
광소자의 재료물질로서 특성이 우수하며 열광학계수가 큰 silicon을 기반으로 한 SOI (Silicon-on-insulator)를 사용하여 열광학 1×2 광스위치를 제안, 제작하였다. SOI wafer는 도파로가 형성될 상위 Si 층(n=3.5)과 클래딩 영역이 될 산화막 매립층(n=1.5) 그리고 기판인 Si인 3층으로 이루어진다. BPM(Beam propagation method) 전산모의를 통해 20dB 이상의 누화특성을 갖는 단일모드의 1×2 비대칭 y-분기 광도파로를 형성하고, 열확산 전산모의를 통해 금속열선을 설계 제작하였다. 제작된 광스위치는 약 3.5 watts의 구동 전력에서 20dB 이상의 채널간 누화가 측정되었다.
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