2$\times$2 InGaAsP/InP LD-gate 광스위치 연구

광도파로와 반도체 광증폭기를 직접하여 1.3$\mu$m 과장대에서 동작하는 2x2 InGaAsP/InP LD-gate형 광스위치를 제작하였다. 광스위치의 특성으로 광섬유 입출력간의 총삽입 손실이 6~10dB 이었고, 소광비가 40dB 이상으로서 세계적인 수준의 양호한 결과를 얻었다. 제작된 광스위치는 광도파로와 반도체 광증폭기 간의 높은 광 결합 효율을 얻기 위하여 RIE(Reactive Ion Etching) 에 의한 건식 식긱과 4회에 걸친 OMVPE(Organo Metallic Vapor Phase Epitaxy) 결정 성장을 이용하였으녀, 수동 도파로와 LD 사이의 광 결합 효율이 '90% 이상이 됨을 확인하였다. d;라힌 결과는 광집적화의 연구에 상당한 기에를 할 것으로 기대된다.