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Kim, B.H.;Won, Y.H.
- Electronics and Telecommunications Trends
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- v.10 no.1 s.35
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- pp.113-122
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- 1995
현재 발표된 공간 광스위치 구조들은 전자 스위치 및 전자 통신 분야에서 많이 이용된 Clos, Benes, Banyan, omega, shuffle network 등을 directional coupler switch, TIR(total internal reflection) switch, cross X switch 등 여러가지 단위 광스위치를 이용하여 고안한 것으로 서로 다른 장단점을 갖고 있다. 따라서 4 X 4나 8 X 8, 또는 그 이상의 확장된 광스위치를 제작하기 위해서는 이러한 기존 구조에 대한 조사 및 분석이 선행되어야 한다. 본 논문은 현재 개발되어 발표된 광스위치의 구조들을 조사하여 특성을 비교하였다.
https://doi.org/10.22648/ETRI.1995.J.100111 인용 PDF

김인태;유연석
- Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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- 2002.07a
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- pp.262-263
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- 2002
오늘날 정보화 사회가 세계적으로 구축됨에 따라 초고속 광네트워크 사이의 통신용량의 급격한 증가로 인하여 대용량의 정보를 초고속으로 처리할 광스위치의 필요성이 심각하게 대두되고 있다.[1] 현재 연구되고 있는 광스위치 중에는 광도파로 형테와 MEMS형, 기계식 형태가 있다.[2] 그러나 이들 형태의 광스위치는 대용량과 초고속이라는 두 개의 기능을 동시에 수행하기에는 기술적 어려움이 있다. (중략)
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오광룡;안주헌;김홍만;편광의
- Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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- 1995.06a
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- pp.18-23
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- 1995
광도파로와 반도체 광증폭기를 직접하여 1.3$\mu$m 과장대에서 동작하는 2x2 InGaAsP/InP LD-gate형 광스위치를 제작하였다. 광스위치의 특성으로 광섬유 입출력간의 총삽입 손실이 6~10dB 이었고, 소광비가 40dB 이상으로서 세계적인 수준의 양호한 결과를 얻었다. 제작된 광스위치는 광도파로와 반도체 광증폭기 간의 높은 광 결합 효율을 얻기 위하여 RIE(Reactive Ion Etching) 에 의한 건식 식긱과 4회에 걸친 OMVPE(Organo Metallic Vapor Phase Epitaxy) 결정 성장을 이용하였으녀, 수동 도파로와 LD 사이의 광 결합 효율이 '90% 이상이 됨을 확인하였다. d;라힌 결과는 광집적화의 연구에 상당한 기에를 할 것으로 기대된다.
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이상신;신상영
- Korean Journal of Optics and Photonics
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- v.7 no.4
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- pp.414-418
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- 1996
An electro-optic polymer digital optical switch was fabricated by using a photobleached waveguide and a self-aligned electrode. It features wavelength insensitive operation, fabrication tolerance and flexible design. And its possible advantages include low coupling losses to the fibers and wide bandwidths. For improving its switching performance, the guided mode profiles of the photobleached waveguides were controlled by photobleaching times to achieve optimized coupling in the branch. And the self-aligned electrode was employed to achieve both efficient overlap of the optical and electric fields and easy introduction of the adiabatically tapered electrodes. The measured crosstalks were better than -21dB at 1.32 ${\mu}{\textrm}{m}$ and 1.55 ${\mu}{\textrm}{m}$, and the extinction ratios of each output port were also more than 20 dB.
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박종대;서동수;박재만
- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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- v.41 no.10
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- pp.51-56
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- 2004
We propose and fabricate an 1${\times}$2 asymmetric optical switch by TOE using SOI wafer based on silicon which has very large TOE figure and it is a good material for optical devices. SOI wafer consists of 3 layers; upper Si layer for device(waveguide;core, n=3.5), buried oxide layer for insulator(clad, n=1.5) and Si substrate layer. We designed 1${\times}$2 asymmetric y-branched single mode optical waveguide switch by BPM simulation and metal heater by heat transfer simulation. Fabricated switch shows about 3.5 watts of power consumption and over 20dB of crosstalk between output channels.
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