Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.8
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pp.216-223
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2019
Fault detection during production processes is one of the required operational tasks to run production processes both safely and consistently. Unexpected operational events or undetected process faults can have a serious impact on the production systems and subsequently on the final products' quality. In addition, such situations may lead to malfunctions or breakdowns of production processes. To reliably detect such abnormalities, a new one-class classification-based detection scheme has recently been developed The proposed method consists of four steps:1) noise filtering, 2) feature selection, 3) nonlinear representation and 4) outlier detection. The performance of the proposed scheme was demonstrated using the multivariate data obtained from a simulation process. The results have shown that the proposed method produced reliable monitoring results and outperforms any existing methods with an average improvement of 25.4%. The use of proper feature selection in the proposed framework yielded better detection performance.
본 논문에서는 짧은 결합 길이를 갖는 평면형 초소형 발룬 및 평형 필터를 설계한다. 구조상 물리적인 접지를 사용하지 않기 때문에, 설계한 평형 필터의 잡음을 최소화할 수 있다. 설계한 발룬은 0.05dB의 크기 평형성과 $0.7^{\circ}$의 위상 평형성을 갖는다. 평형 필터의 측정 결과, 500MHz의 중심 주파수를 기준으로 10%의 대역폭을 가지며, 반사 손실 7dB, 삽입 손실 8dB의 특성을 보인다. 또한 통과 대역에서 크기 평형성이 0.2dB, 위상 평형성이 $1.2^{\circ}$ 의 평형성을 갖는다. 설계한 발룬과 평형 필터는 MMIC나 LTCC공정을 이용하여 구현가능하고, 그럴 경우 손실을 더 줄일 수 있고, 잡음 성능을 개선시킬 수 있다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2012.05a
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pp.713-715
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2012
본 논문은 24GHz 차량 추돌 예방 레이더 시스템-온-칩을 위한 입력 임피던스, 전압이득 및 잡음지수를 자동으로 측정할 수 있는 새로운 형태의 고주파 자체 내부검사(BIST, Built-In Self-Test) 회로를 제안한다. 이러한 BIST 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}$=140/120GHz)으로 설계되어 있다. 알고리즘은 LabVIEW로 구현되어 있다. BIST 알고리즘은 입력 임피던스 정합과 출력 직류 전압 측정원리를 이용한다. 본 논문에서 제안하는 방법은 자동으로 쉽게 고주파 회로의 성능변수를 측정할 수 있기 때문에 시스템-온-칩의 저가 성능 검사의 대안이 될 것으로 기대한다.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.14
no.2
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pp.43-45
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2000
In this study, present a method for extracting the BJT 1/f noise model parameters fabricated by BICMOS process. From the geometric analysis of the Kf, we show that Kf is in inverse proportion to emitter area. And it is extracting that $K=0.8\times10_{-20}, A_f=2, \alpha=1$ values.
용접과 관련되는 분야에서, 재료평가와 비파괴 검사법으로서의 Acoustic Emission의 응용을 살펴 보았다. 재료 평가법으로서의 AE는 다른 시험방법들이 검출해 내지 못하는 재료 내부에서의 미시적인 현상들을 정량적으로 평가할 수 있는 장점을 가지고 있다. 앞으로 새로운 용접재료의 개발이라든지, 고도의 신뢰성이 요구되는 용접부위의 정량적인 평가를 위해서 AE의 응용은 중요한 정보들을 제공하게 될 것이다. 한편 용접구조물의 비파괴적 평가법으로서의 AE는 균열의 동적인 거동 및 균열의 위치를 검지할 수 있다는 장점 때문에 응용범위는 더욱 넓어질 것이다. 여기서 유의하여야 할 점은, 목적으로 하는 AE신호를 수만배 까지 증폭시키는 과정에서 환경잡음의 영향을 무시할 수 없는 경우에는 우선적으로 잡음을 적극적으로 제거하는 고도의 연구도 함께 병행되어야 한다는 것이다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.37
no.2
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pp.1-4
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2000
We presented a method for extracting the base resistance r/sun bb/ based on analysis of the equivalent noise circuit for common collector. Measurements were conducted on devices with poly-emitter structure fabricated by BiCMOS process. Base resistance measurements have been performed for different base currents and structure. For low base current it is shown that the experimental data agree with theoretical expectations.
Journal of the Korean Data and Information Science Society
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v.12
no.1
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pp.11-18
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2001
Taguchi parameter design is an approach to reducing performance variation of quality characteristic value in products and processes. Taguchi has used signal-to-noise(SN) ratio to achieve the appropriate set of operating conditions where variability around target is low in the Taguchi parameter design. Many statisticians criticize the Taguchi techniques of analysis, particularly those based on SN ratio. In this paper we propose a substantially simpler optimization procedure for parameter design without resorting to SN ratio.
효율적이고 체계적인 퍼지제어를 위해 조작자의 제어동작을 모델링하거나 공정을 모델링하는 기법이 필요하고, 또한 퍼지 추론시에 조건부의 기여도(contribution factor)의 결정과 동작부의 제어량의 결정이 추론의 결과에 중요하다. 본 논문에서는 추론시 조건부의 기여도와 동작부의 세어량이 퍼지 엔트로피의 개념하에서 수행되는 적응 퍼지 추론시스템을 제시한다. 제시된 시스템은 전방향 신경회로망의 토대위에서 구현되며 주건부의 기여도가 퍼지 엔트로피에 의하여 구해지고, 동작부의 제어량은 확장된 퍼지 엔트로피에 의하여 구해진다. 이를 위한 학습 알고리즘으로는 역전파 알고리즘을 이용하여 조건부의 파라미터의 동정을 하고 동작부 파라미터의 동정에는 국부해에 보다 강인한 유전자 알고리즘을 이용하다. 이러한 모델링 기법을 임펄스 잡음과 가우시안 잡음이 첨가된 영상에 적용하여 본 결과, 영상복원시에 발생되는 여러 가지의 경우에 대한 적응성이 보다 양호하게 유지되었고, 전체영상의 20%의 데이터만으로도 객관적 화질에 있어서 기존의 추론 방법에 비해 향상을 보였다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.11
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pp.21-27
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2004
In this paper, millimeter-wave monolithic integrated circuit(MIMIC) low noise amplifier(LNA) for V-band, which is applicable to 60 GHz wireless local area network(WLAN), was fabricated using the high performance 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$$\Gamma$-gate pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT). The DC characteristics of PHEMT are drain saturation current density(Idss) of 450 mA/mm and maximum transconductance(gm, max) of 363.6 mS/mm. The RF characteristics were obtained the current gain cut-off frequency(fT) of 113 GHz and the maximum oscillation frequency(fmax) of 180 GHz. V-band MIMIC LNA was designed using active and passive device library, which is composed of 0.1 ${\mu}{\textrm}{m}$$\Gamma$-gate PHEMT and coplanar waveguide(CPW) technology. The designed V-band MIMIC LNA was fabricated using integrated unit processes of active and passive device. The measured results of V-band MIMIC LNA are shown S21 gain of 21.3 dB, S11 of -10.6 dB at 60 GHz and S22 of -29.7 dB at 62.5 GHz. The measured result of V-band MIMIC LNA was shown noise figure (NF) of 4.23 dB at 60 GHz.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.51
no.12
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pp.90-95
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2014
This paper presents a VHF/UHF-band variable gain low noise amplifier for multi-standard mobile TV tuners. A proposed VHF-band variable gain amplifier is composed of a resistive shunt-feedback low noise amplifier to remove external matching components, a single-to-differential amplifier with input PMOS transcoductors to improve low frequency noise performance, a variable shunt-feedback resistor and an attenuator to control variable gain range. A proposed UHF-band variable gain amplifier consists of a narrowband low noise amplifier with capacitive tuning to improve noise performance and interference rejection performance, a single-to-differential with gm gain control and an attenuator to adjust gain control range. The proposed VHF-band and UHF-band variable gain amplifier were designed in a $0.18{\mu}m$ RF CMOS technology and draws 22 mA and 17 mA from a 1.8 V supply voltage, respectively. The designed VHF-band and UHF-band variable gain amplifier show a voltage gain of 27 dB and 27 dB, a noise figure of 1.6-1.7 dB and 1.3-1.7 dB, OIP3 of 13.5 dBm and 16 dBm, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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