• Title/Summary/Keyword: 고집적회로

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Structure Parameters for High Speed and High efficiency Waveguide Photodetectors integrated with passive optical waveguides (수동 광도파로를 집적한 고효율 도파로 광 검출기 구조에 대한 해석)

  • Cho, Won;Hyun, Kyung-Sook
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 2003.02a
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    • pp.176-177
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    • 2003
  • 초고속,대용량,유-무선 통합 등의 광 통신 시스템 발전 요구에 따라 광 검출기는 점점 더 초고속,고출력의 사양을 요구 받고 있다. 기존 광소자의 일반적인 광 검출기구조에서는 속도와 효율이 서로 상반되어,40GHz이상의 속도와 고효율을 모두 얻기가 매우 어려우므로, 이를 해결하기 위하여 수동 광도파로가 집적된 광 검출기가 필요하다. 도파로형 광 검출기는 일반적으로 잘 알려져 있는 구조이지만 입사광을 수용하고, 광의 크기를 조절하여 광 흡수층에 제대로 전달하기 위해서는 광 도파로 및 구조에 대한 연구가 필요하다. (중략)

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Gate Array Design Flow using Compass Tool (콤파스툴을 이용한 게이트어레이 설계과정)

  • Lee, C.D.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.8 no.4
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    • pp.186-204
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    • 1993
  • 주문형 집적 회로를 설계하기 위한 툴은 여러 종류가 상용화되어 있다. 반도체 연구단 주문형반도체개발센터는 이의 설계를 위하여 최근 콤파스 툴을 설치했다. 콤파스툴은 게이트 어레이와 셀 방식의 주문형 집적 회로를 설계하기 위한 툴로서 가장 보편적인 툴 중의 하나이다. 본 고는 게이트 어레이 방식 주문형 집적회로의 설계 과정을 상세하게 보임으로써 시스템 설계자 (주문형 집적회로 사용자) 에게는 시스템 설계시 고려할 사항을, 주문형 집적회로 설계자에게는 주문형 집적회로 설계를 위한 지침을 제공하고자 작성하였다. 그리고 주문형 집적회로의 설계 과정을 보다 명확하고 실질적으로 파악하기 위하여 각 설계 과정을 콤파스 툴과 연관하여 설명한다. 그러나, 콤파스 툴은 설계과정을 설명하기 위한 도구로만 사용했으므로 툴 자체에 대한 설명은 생략했다.

Reliability Evaluation of COTS Integrated Circuits for Military and Space Applications (우주, 군 응용을 위한 상업용 집적회로부품의 신뢰성 평가)

  • Chan, Sung-Il;Han, Chang-Woon
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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    • v.40 no.12
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    • pp.1093-1098
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    • 2012
  • Commercial Off the Shelf(COTS) Integrated circuits(ICs) are being increasingly considered for use in space and military applications. Therefore, There is a need to implement standard tests and requirements to ensure reliability of COTS ICs. This paper presents an overview of the ICs screen procedure and methods under the European Cooperation for Space Standardization (ECSS) and Tests Method Standard Microcircuits (MIL-STD-883). We describes the COTS ICs screen test guidelines that are mainly focused after encapsulating. In addition, COTS linear bipolar IC is investigated to evaluate the reliability requirements. The experiment results showed that COTS IC is satisfied with high reliability requirements.

Characteristics of 3-Dimensional Integration Circuit Device (3차원 집적 회로 소자 특성)

  • Park, Yong-Wook
    • The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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    • v.8 no.1
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    • pp.99-104
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    • 2013
  • As a demand for the portable device requiring smaller size and better performance is in hike, reducing the size of conventionally used planar 2 dimensional integration circuit(IC) cannot be a solution for the enhancement of the semiconductor integration circuit technology due to an increase in RC delay among interconnects. To address this problem, a new technology of 3 dimensional integration circuit (3D-IC) has been developing. In this study, three-dimensional integrated device was investigated due to improve of reducing the size, interconnection problem, high system performance and functionality.

On-Chip Full CMOS Current and Voltage References for High-Speed Mixed-Mode Circuits (고속 혼성모드 집적회로를 위한 온-칩 CMOS 전류 및 전압 레퍼런스 회로)

  • Cho, Young-Jae;Bae, Hyun-Hee;Jee, Yong;Lee, Seung-Hoon
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
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    • v.40 no.3
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    • pp.135-144
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    • 2003
  • This work proposes on-chip full CMOS current and voltage references for high-speed mixed-mode circuits. The proposed current reference circuit uses a digital-domain calibration method instead of a conventional analog calibration to obtain accurate current values. The proposed voltage reference employs internal reference voltage drivers to minimize the high-frequency noise from the output stages of high-speed mixed-mode circuits. The reference voltage drivers adopt low power op amps and small- sized on-chip capacitors for low power consumption and small chip area. The proposed references are designed, laid out, and fabricated in a 0.18 um n-well CMOS process and the active chip area is 250 um x 200 um. The measured results show the reference circuits have the power supply variation of 2.59 %/V and the temperature coefficient of 48 ppm/$^{\circ}C$ E.

기술 특집을 게재하며

  • 임한조
    • Optical Science and Technology
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    • v.6 no.3
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    • pp.5-6
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    • 2002
  • 광기술이 발전됨에 따라 광집적회로(photonic integrated circuit) 구성에 요구되는 고기능성소자 등 나노포토닉스(nano-photonics) 기술에대한 요구가 급격히 증대되고 있습니다. 나노포토닉스는 그 어휘가 의미하는데로 나노구조의 재료나 소자를 활용하는 광자기술을 통칭한다고 보면 될 것입니다.(중략)

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High-Quality Bondwire Integrated Transformer (고품질 본드와이어 집적형 트랜스포머)

  • Song, Byeong-Uk;Lee, Hae-Yeong
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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    • v.39 no.2
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    • pp.81-91
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    • 2002
  • In this paper, a high-quality integrated transformer using bondwires is proposed and fabricated. The bondwire transformer inherently has low conductor loss due to wide cross-section and small parasitic capacitance because the vertical placement of the bondwire loop separates from substrate and effectively reduces the substrate effects. It can be fabricated easily by used of the modern automatic wirebonding technology. The electrical characteristics of the fabricated transformers are compared with those of the spiral transformer It is expected that the bondwire transformer can improve the performance for RFIC and MMIC applied to a variety of application, for example, Mixer, Balanced Amplifier, VCO, and LNA.

A SPICE SIMULATION FOR A ZVS CMOS DC/DC CONVERTER (ZVS를 사용한 저전압 CMOS 고집적회로 DC/DC 컨버터의 SPICE 시뮬레이션)

  • 전재훈;김종태
    • Proceedings of the IEEK Conference
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    • 1999.11a
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    • pp.259-262
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    • 1999
  • This paper presents the design of highly efficient one-chip CMOS DC/DC converter. The converter operates at the switching frequency of 1MHz for reducing the size of passive elements. And use the zero voltage switching(ZVS) for minimizing switching loss at high frequency. The simulation shows that the circuit can achieve a 95% efficiency while delivering a load of 1W at 2V output.

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미래사회를 지탱하는 파워디바이스 기술의 진전

  • 대한전기협회
    • JOURNAL OF ELECTRICAL WORLD
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    • s.323
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    • pp.69-75
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    • 2003
  • 불투명한 경제정세의 와중에서도 전기에너지를 지탱하는 근간이 되는 파워 일렉트로닉스 분야는 확실히 그 기술개발을 향상시켜 오고 있다. 특히 파워디바이스는, 지구환경과 생활환경을 보다 쾌적하게 하기 위하여 인버터 장치 등의 각종 전력절약기기와 풍력$\cdot$태양광$\cdot$연료전지 등 클린에너지의 전력제어장치에 없어서는 안되는 반도체디바이스로 성장했다. 파워디바이스 중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 기술혁신은 요 20년 사이에 비약적인 성과를 거두었다. 1980년대에 제품화된 IGBT는, 반도체메모리의 초미세가공기술을 도입하면서 $5{\mu}m$에서 서브미크론의 디자인툴로 발전하여, 2000년대에 들어 칩의 전류밀도는 약 2배, 포화전압은 약 $65\%$까지 개량되었다. 이와 같은 IGBT의 변천은, 전력손실을 대폭적으로 저감시켜 에너지절약기기의 전력변환효율 향상에 공헌하고 있다. 파워디바이스의 기술진보에서 또 한 가지 잊지 말아야 할 것은 주변회로의 집적화(集積化)에 의한 고성능$\cdot$고기능화이다. 최근의 인버터용 파워디바이스로 가장 많이 사용되고 있는 파워모듈은, IGBT등의 파워칩과 그 주변회로와의 컬래버레이션에 의한 제품이다. 다시 말하면 구동회로, 전류$\cdot$전압$\cdot$온도센서 및 그것들의 보호회로가 IC(집적회로)에 편입되어 고기능$\cdot$소형화를 촉진시키고 있다. 구동회로는 LVIC (저전압집적회로)에서 HVIC(고전압집적회로)로 발전하여 전류$\cdot$온도 등의 각종 센서도 동일 칩에 설계할 수 있게 되었다. 또 센싱이나 보호기능뿐만이 아니라 출력전류의 제어를 위한 연산기능과 di/dt의 제어기능이 내장되도록 되어 있어 보다. 고성능의 인텔리전트 파워모듈(IPM)이라고 불리우는 새로운 개념의 파워디바이스가 실현되었다. 또한 패키지 기술도 내부배선 인덕턴스의 저감과 트랜스퍼 몰드패키지의 개발로, 소형화뿐만이 아니라 파워칩의 성능$\cdot$기능을 충분히 발휘할 수 있도록 개발이 적극적으로 추진되고 있다.

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