• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.37-37
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• 2008

고온에서 안정적인 DLC막을 성막하기 위해 PECVD공정에서 실리콘을 첨가하여 제조하였다. 기존의 실리콘첨가 DLC막과는 다르게 고온에서 생성됨으로 마이크로 클러스터 형태의 DLC구조로서 disordered 영역이 넓게 존재하고 있어 I(D)/I(G)비에서의 변화가 있는 것이 관찰되었다. 실리콘 양이 증가할수록 값이 낮아지는 것이 관찰되는데 이는 실리콘량이 증가하면서 수소의 위치에 실리콘이 결합하면서 sp3 단일구조형태의 코팅 막을 만드는 것이 관찰된다. 고온 어닐링효과로 내부구조에서 다량의 sp2구조가 관찰되는 것으로서 DLC막이 어느 정도 흑연화되지만, 실리콘이 SiC에서 SiOx로 $SiO_2$와 SiOH막으로 바뀌는 면서 마찰계수가 낮은 DLC막을 유지할 것으로 기대되며, XPS와 FT-IR분석에 의해 이러한 상들의 존재를 관찰할 수 있었다. 특히 공정상 TMS이 증가하면 첨가된 Si에 의해 형성되는 막이 초기부터 OH기를 다량 포함하고 있는 것을 알 수 있었고, 온도 상승에 의해서 실리콘표층에 더욱 많은 SiOx계열의 물질이 생성되는 것이 명확하게 발견되었다.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.21 no.3
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• pp.63-66
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• 2014

In this study, we investigated the effects of Cu TSV on the thermal management of 3D stacked IC. Combination of backside point-heating and IR microscopic measurement of the front-side temperature showed evolution of hot spots in thin Si wafers, implying 3D stacked IC is vulnerable to thermal interference between stacked layers. Cu TSV was found to be an effective heat path, resulting in larger high temperature area in TSV wafer than bare Si wafer, and could be used as an efficient thermal via in the thermal management of 3D stacked IC.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.31 no.6
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• pp.498-502
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• 1987

Electrical conductivities of $(ZrO_2)_x-(Tm_2O_3)_y$ systems containing 1, 3 and 5mol% of $ZrO_2$ have been measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure at temperatures from 600 to 1,100$^{\circ}$C and oxygen partial pressures from $10^{-5}$ to $2{\times}10^{-1}atm$. Plots of log conductivity vs. 1/T are found to be linear and average activation energy is 1.51 eV. The electrical conductivity dependences on PO$_2$ are different at two temperature regions, indicating ${\sigma}{\alpha}PO_2^{1/5.3}$ and ${\sigma}{\alpha}PO_2^{1/10.7}$ at high-and low-temperature regions, respectively. The defect of $(ZrO_2)_x-(Tm_2O_3)_y$ system is $V_{Tm}^{'''}$ and an electron hole is suggested as a carrier at high temperature region. At low temperature region, a mixed ionic and hole conduction is reasonable.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2003.05b
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• pp.397-398
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• 2003

대기 중 분진을 제거하는 방식으로 여과 이론을 적용할 수 있는 경우는 섬유 여과기, 입자상 여과기, 액적에 의한 습식 세정기 그리고 기포를 이용한 분진 제거 방법 등을 들 수 있다. 이러한 여과 원리를 이용한 집진 설비를 설계하는데 있어, 액적 또는 기포 주위의 유동장을 정확히 파악하는 것은 매우 중요하다. 특히, 포집구의 크기가 작아지고 화학적으로 반응성을 갖는 고온의 함진가스가 유입되는 경우 및 저압에서 운영되는 경우에 누드센수(Knudsen number)의 영향을 무시할 수 없는데 이러한 영역을 저 누드센 영역(low Kundsen number regime)이라고 한다(Lee et al., 1978). (중략)

• Bulletin of the Korean Space Science Society
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• 2004.04a
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• pp.87-87
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• 2004

FIMS(Far-Ultraviolet Imaging Spectrograph)는 2003년에 발사된 과학 위성 1호의 주탑재체이다. FIMS는 우주의 고온 플라즈마에서 방출되는 원적외선(900-1750$\AA$) 영역을 2$\AA$의 분해능을 갖고 관측하는 기기로써 관측 영역의 범위는 선택된 천문학 target과 지구 북반구의 aurora에서 지구 대기의 glow까지 포함하고 있다. 본 연구에서는 위성발사 후 과학 위성 1호의 FIMS로부터 관측되어 내려온 data 중에서 aurora 관측 자료를 이용하여 aurora의 특성 spectrum에 대하여 분석해 보고자 한다. (중략)

• Journal of Power System Engineering
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• v.15 no.3
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• pp.5-11
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• 2011

디젤기관의 경우는 종래부터 직분식이 주류를 이루었고, 근래에는 분사압력의 고압화가 진행중이다. 분사압력의 고압화에 의해 연소효율의 향상 및 배출가스중의 입자상물질(PM:Particulate Matter)의 저감을 유도하고 있으나, 연소가스의 고온화로 인해 질소산화물(NOx:Nitrogen Oxides)은 증가한다. 따라서, 분사기간의 지연(Retard)이나 파일럿분사(Pilot injection)등의 혼합기제어에 의해 질소산화물의 저감을 꾀하고 있다. 이와 같이 디젤기관에 있어서도 혼합기 형성의 최적화에 의한 연소제어를 시도하는 수법이 중시되고 있고, 이를 위해서는 디젤분무 구조에 기초한 혼합기의 형성기구에 대한 규명이 매우 중요하다. 그러므로 본 연구에서는 보다 고도의 혼합기형성 제어를 위한 기초연구로서 고온 고압장에서의 증발디젤자유분무구조를 해석하였으며, 계측영역은 연료와 주위기체와의 혼합이 활발히 진행되는 분무의 하류영역으로 설정하고, 입자화상속도측정법(particle Image Velocimetry:PIV)을 이용한 분무의 유동해석을 기초로 증발 디젤분무의 구조 해석을 행하였다. 실험조건으로서 분사압력을 72MPa, 112MPa로 각각 변화시켰다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.4
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• pp.366-373
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• 1993

고체구조와 절연파괴의 관계를 확실하게 알아보기 위하여 온도 100[.deg.C]의 실리콘유 내에서 1시간 열처리한 시료에 대해서 직류(DC)와 임펄스 절연파괴특성을 검토했다. 시료의 결정화도는 적외선 흡수와 X선 회절실험 측정방법으로 평가했으며 그리고 시료의 결정립크기와 분상은 시차주사 열량측정을 이용하였다. 실험결과 결정화도의 크기는 서냉, 수냉, 원시료 그리고 급냉시료 순으로 적어짐을 확인하였고 각각 70.23[%], 61.6[%], 56.75[%] 및 34.7[%]를 얻었다. 온도 30, 50[.deg.C]에서 임펄스 절연파괴특성은 결정화도의 감소에 따라 높아지는데 이것은 전자열적파괴를 시사하고 있다. 그리고 온도의 증가에 따라 임펄스 절연파괴강도는 감소되는데 이것은 Frohlich-type의 파괴이론을 제시한다. 또한 직류절연파괴는 저온영역에서 결정화도에 거의 의존하지 않지만 그러나 고온영역에서는 약간 의존한다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2003.11c
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• pp.309-312
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• 2003

In this study, the electrical characteristic of Symmetric high voltage MOSFET (SHVMOSFET) for display driver IC were investigated. Measurement data are taken over range of temperature (300K-400K) and various extended drain length. In high temperature condition(>400K), drain current decreased over 20％, and specific on-resistance increased over 30％ in comparison with room temperature.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2012.05a
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• pp.201-201
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• 2012

탄소 탄소 복합재료(C/C composite)는 고온도 영역에서 강도저하가 없으며 화학적으로 더욱 안정되어 지기 때문에 고온 구조재료로서 널리 사용되어지고 있다. 모재의 성분이 모두 탄소로 구성되어 있어 약 $500^{\circ}C$의 산화분위기에서 부터는 산화되는 결점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 결점을 보완하기 위해 Pack Cementation과 Dipping 방법을 통해 내산화 코팅층을 형성 하여 $1300^{\circ}C$에서의 내산화성을 향상 시킬 수 있었다.

• Journal of Korea Foundry Society
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• v.41 no.6
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• pp.505-515
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• 2021

Creep properties of directionally solidified Ni-based superalloy CM247LC under various temperature and stress conditions have been investigated. In the heat-treated specimen, some portion of eutectic γ-γ' remained, and uniform cubic γ' was observed in the dendrites. At low temperature (750℃) and high stress condition, a large amount of deformation occurred during the primary creep, while the tertiary creep region accounted for most of the creep deformation under high temperature and low stress condition. γ' particles are sheared by dislocation dissociated into super lattice partial dislocations separated by stacking faults at 750℃. No stacking faults in γ' were found at and above 850℃ due to the temperature dependence of the stacking fault energy. Raft structure of γ' was found after creep test at high temperature of 950℃ and 1000℃. At 850℃, the deformation mechanism was shown to be dependent on the stress condition, and so rafting was observed only under low stress condition.