본 연구의 목적은 현재 중국 각 지역에서 중소기업을 경영하고 있는 중국인 창업가나 기업가를 대상으로 기대이론의 1차 수준을 적용해서 창업에 대한 기대, 창업 그리고 성장의도를 서로 간의 관계를 입증하기 위한 것이다. 본 연구에서 기대는 창업에 대한 기대로 정의하고 창업 및 성장의도는 창업가의 주도적 생각으로 정의 되었다. 연구결과에 따르면 제시된 가설은 모두 채택되었다. 즉 기업가의 창업에 대한 기대는 창업 그리고 성장의도에 모두 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으며 창업은 성장의도에 유의한 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 그리고 창업의 매개역할 확인하려고 실시한 매개회귀분석 결과는 창업이 부분 매개효과를 갖는 것으로 나타났다.
이 연구는 한국 학계가 그간 많은 성장을 일구어 왔음에도 질적 수준에 대해서 지속적인 비판을 받고 있는 현 상황에 의문을 갖고 연구를 시작하였다. 최근 연구의 질적 수준 제고를 위해 연구개발 성과평가 제도가 전면적인 변화를 겪고 있음에도 정작 한국 학술연구의 질적 수준 문제가 어떠한 양상으로 나타나고 있는지 과학적인 증거를 제시하고자 하는 노력은 지금까지 매우 미흡했다. 이에 이 연구에서는 한국 연구의 양적 성장과 질적 성장 간의 괴리가 어떠한 양상으로 나타나는지 가시적인 일면을 제시하기 위하여 한국 연구자가 포함된 모든 SCI 논문을 수집하고 이를 대학, 출연연, 기업, 해외기관, 기타 소속 저자로 구분하여 양적 추세와 피인용횟수 추세를 비교하고자 하였다. 분석결과 해외기관 소속 저자와 국내기관 소속 저자 간에 유의미한 수준의 피인용횟수 격차가 나타나고 있으며, 이러한 격차는 시간의 흐름에 따라 해소되지 않고 있는 것을 확인하였다. 또한 분야별로 격차가 다르게 나타나 생화학 분자생물학이나 신경과학 신경학 등의 분야에서 피인용횟수의 격차가 보다 높게 나타나고 있었다. 이러한 결과는 최근 한국 공공연구 영역에서 전면적으로 일어나고 있는 질적 평가체제로의 전환 움직임에 대해서 그 세부적인 설계와 차등 요건의 적절성에 대해 다시 한 번 생각해볼 수 있는 계기를 제공한다.
인상속도를 변수로 Czochralski법을 이용하여 $ LiNbO_3$결정들을 성장시켰다. 성장된 단결정에 균열, 기포, 셀 구조 등의 결함들이 관찰되었다. 균열들은 인상속도와 냉각속도에 매우 민감하였는데 6~7mm/h의 인상속도와 20^{circ}C/h의 냉각속도가 직경 15mm정도의 결정성장에 적당한 조건임을 알 수 있었다. 소자응용에 필요한 유전적 성질 및 광학적 성질 등을 알아보기 위하여 a축, c축방향에 따라 절삭된 시편을 온도를 변화시켜가며 측정하였다.
분자션 에피텍시얼(MBE)법, 액상 에피텍시열(LPE)법과 마이크로 인상($\mu$ - PD)법 에 의한 단결정 성장에 있어서의 새로운 접근을 논의하였다. 재료로써는 Bi-Sr-Ca-Cu계, $K_3Li_2Nb_5O_{15}$계의 산화물을 사용하였으며, 비평형영역으로 부터의 고품질(균일 조성 및 저결함 밀도) 결정성장은 원자수준의 계면제어에 의해 가능함을 고찰할 수 있였다.
본 연구의 목적은 지난 20년 간 세계 컨테이너항만들을 대상으로 항만집중도 및 항만규모와 성장간 상관관계를 분석해 봄으로써 현재 우리나라가 추진하고 있는 중심항만 개발전략에 대한 시사점을 제시하는 데 있다. 이를 위해 아시아 21개 항만의 허쉬만-허핀달지수를 구하였으며, 세계 50대 컨테이너 항만뿐만 아니라 유럽, 북미 그리고 아시아지역 컨테이너항만들을 대상으로 항만규모와 성장간 실증분석을 시도하였다. 그 결과 아시아 컨테이너항만의 물동량 집중도는 90년대 중반 이후 둔화되고 있으며 동북아지역 항만집중도가 다른 지역에 비해 상대적으로 낮은 것으로 나타났다. 항만규모와 성장간 관계에 있어서도 세계 및 유럽 항만들은 대형항만일수록 성장률이 높았던 것으로 나타난 반면, 아시아지역 컨테이너 항만들은 소형항만들의 성장률이 더 높았던 것으로 분석되었다.
자유시장 경제를 근간으로 한 이윤주도 성장전략의 대안으로 논의되고 있는 소득주도성장 전략은 정부 부문의 적극적인 개입이 필요하므로 정부지출의 효용성이 중요한 요인으로 인식되고 있다. 본 논문에서는 지난 수십 년 동안 분배체계에 의한 소득주도성장 정책을 수행해 온 북유럽과 남미 국가, 그리고 한국을 대상으로 정부지출과 소비지출의 경제적 관계를 규명하고, 이 결과를 바탕으로 소득주도성장 경로를 논의하였다. 지출 국민소득에 의한 구조방정식을 설정하고 일반화된 선형모형(GLMs)에 의해 추정한 실증분석 결과에 의하면, 북유럽 국가와 한국의 경우 정책적 효과가 크지는 않지만, 소득주도성장 정책으로 국민소득을 증가시킬 수 있는 것으로 나타났다. 그러나 남미 국가는 소득주도성장 정책의 운용이 불안정할 뿐만 아니라 정책효과도 나타나지 않는 것으로 분석되었다. 또한, 소득주도성장 정책을 수행하는 과정에서 저소비 계층보다는 중간소비 계층을 활용한 경로가 더욱 효율적인 것으로 나타났다. 결과적으로 소득주도성장 정책은 지속 가능한 성장 전략이라기보다는 보완적 기능을 수행하는 정책으로 활용하는 것이 바람직할 것이다.
최근 박막형 LED 및 박막형 태양전지등의 기존 마이크로 소자들의 효율향상을 위한 개선으로 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 관심을 받고 있다. 이는 가능성으로만 여겨져왔던 나노기술이 기존 박막형 소자에서 포화된 효율상향 접근방식의 한계에 따른 것으로 생각되며, 나아가 나노기술로 제작된 나노소자가 우리 생활을 채우게 될 날이 얼마남지 않은 것을 의미한다. 특히, 디스플레이 소자에서의 나노기술은 더욱 더 중요시 되고 있다. 그로 인해 투명성과 우수한 광전기적 특성을 지닌 산화물 반도체와 그 나노구조 대한 관심이 날로 높아지고 있으며, 그 가운데 산화아연계(ZnO, MgZnO등) 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 많이 연구되고 있다. 산화아연은 c축으로 우선 배향성을 가지는 우르짜이트 구조로써, 나노선 성장이 다른 산화물에 비해 용이하고 그 물리적, 화학적 특성이 안정 우수하다. 이러한 산화아연 나노선 제작법 가운데, 유기금속화학기상증착법은 다른 성장법에 비해 결정학적 광학적 특성이 우수하고 성장속도가 빨라 고품질 나노선 성장에 용이한 장비로 각광받고 있다. 하지만 bottom-up 공정을 기반으로 한 나노소자제작에서 몇 가지 문제점을 가지고 있다. 1) 수직형 대면적 성장, 2) 나노선 밀도 조절의 어려움, 3) 기판과의 계면층에 자발적으로 생성되는 계면층의 제거, 4) 고온성장시 precursor의 증발 문제 등이 그것이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 산화아연 나노구조 성장 시, 마그네슘(Mg)을 도입하여, 각 원소의 조성 차이에 따라 기판 표면에 30nm 두께 미만의 상분리층(단결정+비정질층)을 자발적으로 형성시켰다. 성장이 진행됨에 따라, 아연이 rich한 단결정 층에서는 나노선이 선택적으로 성장하게 하였고, 마그네슘이 rich한 비정질 층에서는 성장이 이루어지지 않게 하였다. 따라서 산화아연이 증발되는 온도영역에서 10nm 이하 직경을 가지는 나노선을 자발적으로 계면층 없이 수직 성장하였다. 또한, 표면의 단결정, 비정질의 사이즈를 Mg 유량으로 적절히 조절한 결과, 산화아연계 나노월 구조성장이 가능하였다.
열적으로 이온화된 N과 증기상태의 Ga을 $300~730^{\circ}C$의 온도 범위에서 직접 반응시켜 (001)Si과 (00.1)사파이어 기판 위에 GaN박막의 성장 초기 단계에서는 GaN의 성장률이 증가한 후, 결정 핵을 중심으로 수평방향으로서 성장과 합체에 의하여 성장률의 변화가 일정 값에 달하였다. 이 연구에서 성장한 GaN박막에 대한 XPS분석 결과 낮은 온도에서 성장된 GaN박막은 진공 chamber 내의 산소가 성장된 박막 내에 많이 혼입 되어 있음을 알 수 있었다. 낮은 온도, 짧은 시간 동안 성장된 표면은 Ga덩어리들도 도포 되었다. 그러나, 기판온도와 성장시간이 증가함에 따라 이들은 피라미드 형태의 결정들로 성장된 후 원형고리 형태의 결정으로 합체되었다. 특히 N-소스의 공급이 충분한 경우에는 판상의 결정으로 성장되었다. 20K의 온도에서 측정된 PL스펙트럼에서는 3.32eV와 3.38eV에서 불순물과 관련된 발광이 관찰되었다.
대부분의 상용 LED는 사파이어기판에 성장된 GaN를 기반으로 사용한다. GaN는 $1,000^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 성장이 이루어지는데 이 경우 GaN과 사파이어 기판과의 높은 열팽창 계수로 인하여 compressive stress를 받게 된다. 이 compressive stress로 인하여 성장된 GaN wafer에 bowing이 일어나게 되고 이는 기판의 대면적화에 커다란 문제로 작용한다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 방법이 고안되고 있지만 [1,2], 근본적으로 wafer bowing 문제의 해결은 이루어지고 있지 않다. 한편, 일반적으로 박막을 성장할 때 columnar structure를 가지는 박막이 coalescence되면 박막에 tensile stress가 걸린다는 사실이 알려져 있으며 [3], GaN를 저온에서 성장할 경우 columnar structure를 갖는다는 사실이 보고되었다 [4]. 본 연구에서는 이런columnar structure를 갖는 GaN을 이용하여 wafer bowing 문제가 해결된 GaN 박막 성장을 연구하였다. 본 실험에서는, c-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 nano-columnar structure를 갖는 저온 GaN layer을 성장하였다. 그 후 columnar structure를 유지하면서 $1,040^{\circ}C$까지 annealing한 후 고온에서 flat 한 GaN 박막을 nano-columnar structure GaN layer위에 성장 하였다. 우선 저온 GaN layer가 nano-columnar structure를 갖고, 고온에서도 nano-columnar structure가 유지되는 것을 scanning electron microscopy (SEM)과 transmission electron microcopy (TEM)을 통해 확인하였다. 또한 이런 columnar structure 위에 고온에서 성장시킨 flat한 GaN 박막이 성장된 것을 관찰할 수 있었다. 성장된 GaN박막의 wafer bowing 정도를 측정한 결과, columnar structure를 갖고 있는 고온 GaN 박막이 일반적인 GaN에 비해 확연하게 wafer bowing이 감소된 것을 확인할 수 있었다. Columnar structure가 coalescence가 되면서 생기는 tensile stress가 GaN박막의 성장시 발생하는 compressive stress를 compensation하여 wafer bowing이 줄어든 것으로 보인다. 본 발표에서는 이 구조에 대한 구조 및 stress 효과에 대해서 논의할 예정이다.
본 연구는 지난 30년간(1975-2004년) 한국의 경제성장과정에서 교육의 부문별(초등 중등 고등교육) 역할을 추정하는 데 주목적이 있다. 본 연구는 우선 신고전학파 Solow의 외생적 경제성장이론을 접목한 Cobb-Douglas 모형을 확장하여 1인당 경제성장 추정을 위한 내생성장모형을 제시하였다. 또한 자료 한계를 극복하기 위하여 동아시아 7개국 자료를 바탕으로 시계 및 횡단면 자료를 블록으로 구축하여 앞의 내생성장모형을 이용한 pooling방법으로 1인당 경제성장에 물적자본, 단순노동력, 인적자본, 지적자본(R&D), 초기년도의 기술수준 등의 기여분을 추정하였다. 이러한 각 생산요소의 직접적인 추정결과로부터 각 요소간(고등교육, 중등교육, 지적자본) 상호작용으로 인한 간접적인 기여분 추정을 위해 연립방정식체계를 구축하고 각 요소의 영향력을 재 추정하여 보정된 결과를 제시하였다. 1975-2004년간 한국의 경제성장 과정에 있어서 인적자본요소인 교육은 40.7%를 기여였으며 이를 다시 분해하면 중등교육이 가장 큰 87.0%, 초등교육이 6.6%, 중등교육에 간접적으로 기여한 대학교육이 -52.9%를 보였다. 물적자본이 39.6%, R&D자본이 24.1%들 보였으며 지식 정보기반사회에서 그 의미가 감소한 단순노동력은 -1.4%, 기술추격을 가능케 하는 1975년도 초기기술수준이 -3.0%의 추정결과를 보여주고 있다. 향후 정책연구 과제로는 한국미 지식기반사회에서 선진국으로 진입하기 위해서는 경제성장과정에서 대학의 역할을 제고할 필요성이 있음을 제안하고 있다. 이를 위해서는 기존 대학의 양적인 구조조정이 필요하다. 특히 대학의 질적 경쟁력을 높이기 위한 정부의 대학 지원 역할 역시 제고되어야 할 것이다. 또한 이 글은 교육시장과 노동시장을 어떠한 방법으로 연계 시키는가를 논의하고 세계시장의 급격한 기술변화와 체제변화에 따라 국내노동시장의 필요한 산업인력수요의 내용도 같은 속도의 변화를 요구하고 있음을 상기시키고 연계지원 정책을 주장하고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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