• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.1
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• pp.40-45
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• 1995

직경 2인치의 YBa2Cu3O7-y 타겟을 사용하여 높은 스퍼터링 기체 압력 하에서 off-axis DC-마그네트론 스퍼터링 방법으로 MgO(100) 단결정 기판 위에 YBa2Cu3O7-y 박막을 c축 방향으로 in-냐셔 성장시킬 때 기판의 접지 여부와 인가전류의 양이 박막 성장에 미치는 여향을 연구하였다. 그 결과 접지 여부는 박막의 초전도 변환온도, 전기수송 특성, 결정 구조적 특성에는 영향을 거의 주지 않는 반면 표면상태에는 상당한 영향을 미치며, 인가전류의 양은 초전도 특성에 많은 영향을 미침을 발견하였다. 기판온도 $670^{\circ}C$, 스퍼터링 기체압력 300mTorr, 아르곤 대 산소 분압비 5:1의 조건에서 인가전류의 최적량은 300-500 mA이었으며 평균 박막 성장속도는 $0.11-0.14AA$/s로 매우 낮았다. 기판의 접지 효과와 낮은 성장속도의 원인에 대해 고찰해 본다.

• Proceedings of the KAIS Fall Conference
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• 2011.05b
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• pp.641-644
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• 2011

본 연구의 목적은 현재 중국 각 지역에서 중소기업을 경영하고 있는 중국인 창업가나 기업가를 대상으로 기대이론의 1차 수준을 적용해서 창업에 대한 기대, 창업 그리고 성장의도를 서로 간의 관계를 입증하기 위한 것이다. 본 연구에서 기대는 창업에 대한 기대로 정의하고 창업 및 성장의도는 창업가의 주도적 생각으로 정의 되었다. 연구결과에 따르면 제시된 가설은 모두 채택되었다. 즉 기업가의 창업에 대한 기대는 창업 그리고 성장의도에 모두 유의한 영향을 미치는 것으로 나타났으며 창업은 성장의도에 유의한 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 그리고 창업의 매개역할 확인하려고 실시한 매개회귀분석 결과는 창업이 부분 매개효과를 갖는 것으로 나타났다.

• Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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• 2017.05a
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• pp.501-535
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• 2017

이 연구는 한국 학계가 그간 많은 성장을 일구어 왔음에도 질적 수준에 대해서 지속적인 비판을 받고 있는 현 상황에 의문을 갖고 연구를 시작하였다. 최근 연구의 질적 수준 제고를 위해 연구개발 성과평가 제도가 전면적인 변화를 겪고 있음에도 정작 한국 학술연구의 질적 수준 문제가 어떠한 양상으로 나타나고 있는지 과학적인 증거를 제시하고자 하는 노력은 지금까지 매우 미흡했다. 이에 이 연구에서는 한국 연구의 양적 성장과 질적 성장 간의 괴리가 어떠한 양상으로 나타나는지 가시적인 일면을 제시하기 위하여 한국 연구자가 포함된 모든 SCI 논문을 수집하고 이를 대학, 출연연, 기업, 해외기관, 기타 소속 저자로 구분하여 양적 추세와 피인용횟수 추세를 비교하고자 하였다. 분석결과 해외기관 소속 저자와 국내기관 소속 저자 간에 유의미한 수준의 피인용횟수 격차가 나타나고 있으며, 이러한 격차는 시간의 흐름에 따라 해소되지 않고 있는 것을 확인하였다. 또한 분야별로 격차가 다르게 나타나 생화학 분자생물학이나 신경과학 신경학 등의 분야에서 피인용횟수의 격차가 보다 높게 나타나고 있었다. 이러한 결과는 최근 한국 공공연구 영역에서 전면적으로 일어나고 있는 질적 평가체제로의 전환 움직임에 대해서 그 세부적인 설계와 차등 요건의 적절성에 대해 다시 한 번 생각해볼 수 있는 계기를 제공한다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.2 no.1
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• pp.43-50
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• 1992

$ LiNbO_3$ single crystals were grown using the Czochralski Method at various pulling speeds. Macroscopic defects such as cracks, bubbles and cellular structures were observed in some crystals. Cracks and bubbles observed in the crystals depended on the pulling speed and cooling rate. $ LiNbO_3$ crystals of about 15mm diameter could be grown properly at 6-7mm/h pulling speed and $ 20^{circ}C/h$ cooling rate. In order to investigate dielectric properties and optical properties for device application, these properties were measured for the sample cut along a axis and c axis at different temperatures.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.4
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• pp.378-385
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• 1995

The growth processes of improved methods for MBE, LPE and $\mu$ - PD methods are discussed taking the oxide materials, especially those of Bi - Sr - Ca - Cu family $LiNbO_3$ and $K_3Li_2Nb_5O_{15}$ family as examples. It is suggested that the crystal growth far from equilibr iu m including composition homogeneity has been achieved to satisfy in understanding and controlling the atomic interfaces.

• Proceedings of the Korea Port Economic Association Conference
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• 2003.07a
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• pp.29-47
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• 2003

본 연구의 목적은 지난 20년 간 세계 컨테이너항만들을 대상으로 항만집중도 및 항만규모와 성장간 상관관계를 분석해 봄으로써 현재 우리나라가 추진하고 있는 중심항만 개발전략에 대한 시사점을 제시하는 데 있다. 이를 위해 아시아 21개 항만의 허쉬만-허핀달지수를 구하였으며, 세계 50대 컨테이너 항만뿐만 아니라 유럽, 북미 그리고 아시아지역 컨테이너항만들을 대상으로 항만규모와 성장간 실증분석을 시도하였다. 그 결과 아시아 컨테이너항만의 물동량 집중도는 90년대 중반 이후 둔화되고 있으며 동북아지역 항만집중도가 다른 지역에 비해 상대적으로 낮은 것으로 나타났다. 항만규모와 성장간 관계에 있어서도 세계 및 유럽 항만들은 대형항만일수록 성장률이 높았던 것으로 나타난 반면, 아시아지역 컨테이너 항만들은 소형항만들의 성장률이 더 높았던 것으로 분석되었다.

• The Journal of the Korea Contents Association
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• v.20 no.7
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• pp.602-617
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• 2020

The aim of this study is to evaluate the effects of income-led growth path induced by government and consumption expenditures. Six of Nordic countries, Latin American countries and South Korea are selected for this purpose due to the fact that these countries have been pursuing income-led growth policy for more than the last decade except South Korea. The structural equation is formulated based on the government and consumption expenditures with lagged variable, and the GLMs estimation is employed for empirical analysis. Although the impacts are not overwhelmingly effective, empirical evidence suggests that income-led growth path contributes to stimulate economic activities which are associated with increasing in national income in Nordic countries and South Korea. However, the income-led growth path is quite weakly operated. Furthermore, it is even unstable in Latin American countries. In addition to this, the policy target would rather be focused on middle consumption group than low consumption group. Overall, it would be concluded that the income-led growth policy should be implemented for complementary purpose. And, it also has to be mentioned that sustainable growth may not be achievable by this policy.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2010.05a
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• pp.29.2-29.2
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• 2010

최근 박막형 LED 및 박막형 태양전지등의 기존 마이크로 소자들의 효율향상을 위한 개선으로 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 관심을 받고 있다. 이는 가능성으로만 여겨져왔던 나노기술이 기존 박막형 소자에서 포화된 효율상향 접근방식의 한계에 따른 것으로 생각되며, 나아가 나노기술로 제작된 나노소자가 우리 생활을 채우게 될 날이 얼마남지 않은 것을 의미한다. 특히, 디스플레이 소자에서의 나노기술은 더욱 더 중요시 되고 있다. 그로 인해 투명성과 우수한 광전기적 특성을 지닌 산화물 반도체와 그 나노구조 대한 관심이 날로 높아지고 있으며, 그 가운데 산화아연계(ZnO, MgZnO등) 나노구조를 이용한 나노소자 제작이 많이 연구되고 있다. 산화아연은 c축으로 우선 배향성을 가지는 우르짜이트 구조로써, 나노선 성장이 다른 산화물에 비해 용이하고 그 물리적, 화학적 특성이 안정 우수하다. 이러한 산화아연 나노선 제작법 가운데, 유기금속화학기상증착법은 다른 성장법에 비해 결정학적 광학적 특성이 우수하고 성장속도가 빨라 고품질 나노선 성장에 용이한 장비로 각광받고 있다. 하지만 bottom-up 공정을 기반으로 한 나노소자제작에서 몇 가지 문제점을 가지고 있다. 1) 수직형 대면적 성장, 2) 나노선 밀도 조절의 어려움, 3) 기판과의 계면층에 자발적으로 생성되는 계면층의 제거, 4) 고온성장시 precursor의 증발 문제 등이 그것이다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 산화아연 나노구조 성장 시, 마그네슘(Mg)을 도입하여, 각 원소의 조성 차이에 따라 기판 표면에 30nm 두께 미만의 상분리층(단결정+비정질층)을 자발적으로 형성시켰다. 성장이 진행됨에 따라, 아연이 rich한 단결정 층에서는 나노선이 선택적으로 성장하게 하였고, 마그네슘이 rich한 비정질 층에서는 성장이 이루어지지 않게 하였다. 따라서 산화아연이 증발되는 온도영역에서 10nm 이하 직경을 가지는 나노선을 자발적으로 계면층 없이 수직 성장하였다. 또한, 표면의 단결정, 비정질의 사이즈를 Mg 유량으로 적절히 조절한 결과, 산화아연계 나노월 구조성장이 가능하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.3
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• pp.229-237
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• 1998

We grew the hexagonal GaN films on (100) Si and (00.1) sapphire substrates in the temperature range of $300~730^{\circ}C$ by the direct reaction between thermally ionized N-source and thermally evaporated Ga-source. The GaN growth rates are increased at the initial stage of GaN formation and it was saturated to some values by the coalescence of each crystallites. The oxygen signal was observed in XPS spectra for all the GaN films grown in this work, especially low- temperature grown GaN film may due to incorporation of the residual oxygen in the growth chamber. The surface of low-temperature and shorter time grown films covered only Ga-droplets. however, with increasing the both substrate temperature and the growth time GaN is growth to crystallites. and coalescence to ring-type crystallites. With sufficient supply of N-source, they were changed to platelets. In the PL spectrum measured at 20 K, we observed the impurity related emission at 3.32eV and 3.38eV.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.411-412
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• 2012

대부분의 상용 LED는 사파이어기판에 성장된 GaN를 기반으로 사용한다. GaN는 $1,000^{\circ}C$ 이상의 높은 온도에서 성장이 이루어지는데 이 경우 GaN과 사파이어 기판과의 높은 열팽창 계수로 인하여 compressive stress를 받게 된다. 이 compressive stress로 인하여 성장된 GaN wafer에 bowing이 일어나게 되고 이는 기판의 대면적화에 커다란 문제로 작용한다. 이런 문제들을 해결하기 위해 여러 방법이 고안되고 있지만 [1,2], 근본적으로 wafer bowing 문제의 해결은 이루어지고 있지 않다. 한편, 일반적으로 박막을 성장할 때 columnar structure를 가지는 박막이 coalescence되면 박막에 tensile stress가 걸린다는 사실이 알려져 있으며 [3], GaN를 저온에서 성장할 경우 columnar structure를 갖는다는 사실이 보고되었다 [4]. 본 연구에서는 이런columnar structure를 갖는 GaN을 이용하여 wafer bowing 문제가 해결된 GaN 박막 성장을 연구하였다. 본 실험에서는, c-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 nano-columnar structure를 갖는 저온 GaN layer을 성장하였다. 그 후 columnar structure를 유지하면서 $1,040^{\circ}C$까지 annealing한 후 고온에서 flat 한 GaN 박막을 nano-columnar structure GaN layer위에 성장 하였다. 우선 저온 GaN layer가 nano-columnar structure를 갖고, 고온에서도 nano-columnar structure가 유지되는 것을 scanning electron microscopy (SEM)과 transmission electron microcopy (TEM)을 통해 확인하였다. 또한 이런 columnar structure 위에 고온에서 성장시킨 flat한 GaN 박막이 성장된 것을 관찰할 수 있었다. 성장된 GaN박막의 wafer bowing 정도를 측정한 결과, columnar structure를 갖고 있는 고온 GaN 박막이 일반적인 GaN에 비해 확연하게 wafer bowing이 감소된 것을 확인할 수 있었다. Columnar structure가 coalescence가 되면서 생기는 tensile stress가 GaN박막의 성장시 발생하는 compressive stress를 compensation하여 wafer bowing이 줄어든 것으로 보인다. 본 발표에서는 이 구조에 대한 구조 및 stress 효과에 대해서 논의할 예정이다.