• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.23 no.1
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• pp.101-107
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• 2019

This study conducted a simulation to observe the performance of a multi-turbocharged gasoline internal combustion engine for a high-altitude long-endurance unmanned aerial vehicle (HALE UAV). The WAVE 1-D engine simulation software from Ricardo was used for the engine system modeling and simulation. The specifications of a 2.4-L four cylinder gasoline engine from commercial vehicles and maps of commercial vehicle turbochargers were applied to the multi-stage turbocharged engine system model. Three turbochargers and intercoolers were installed in series for the appropriate intake of pressure for the gasoline engine at a high altitude of 60,000 ft. There was one wastegate for the turbochargers. The operability of the engine system was analyzed via this simulation model.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.5
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• pp.345-355
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• 2011

GaAs-based metamorphic high electron mobility transistors (MHEMTs) and InP-based high electron mobility transistors (HEMTs) have good microwave and millimeter-wave frequency performance with lower minimum noise figure. MHEMTs have some advantages, especially for cost, compared with InP-based ones. In this paper, InAlAs/InxGa1-xAs/GaAs MHEMTs are simulated for DC/RF small-signal analysis. The hydrodynamic simulation parameters are calibrated to a fabricated 0.1-${\mu}m$ ${\Gamma}$-gate MHEMT device having the modulation-doped $In_{0.52}Al_{0.48}As/In_{0.53}Ga_{0.47}As$ heterostructure on the GaAs substrate, and the simulations for RF small-signal characteristics are performed, compared with the measured data, and analyzed for the devices. In addition, the simulations for the DC/RF characteristics of the MHEMTs with different gate-recess structures are performed, compared and analyzed.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2187-2188
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07d
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• pp.2185-2186
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07a
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• pp.553-554
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화 된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션 하였으며, 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07b
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• pp.1219-1220
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/Off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1679-1680
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• 2006

본 연구의 목적은 Pspice를 이용하여 SI Thyristor의 구조적인 특징과 스위칭 동작을 설명하면서도 비교적 간략화된 등가 모델을 개발하는 것에 있다. 이러한 목표로 등가모델은 SI Thyristor의 구조적 형태에 기반을 두어 BJT 소자를 이용한다. 또 게이트 구조와 스위칭 매커니즘을 고려한 MOSFET, Steady state Turn on 상태에서 dominant 모델인 PIN Diode로 구성되어 있다. 개발된 등가모델을 스너버회로와 함께 스위칭 과도응답을 시뮬레이션하였으며 그 결과는 실제 실험결과와 비교하여 검증하였다. 비교적 간단하게 고안된 회로를 통해 Turn On/off 동작에서 스위칭 특성을 예측할 수 있으므로 펄스파워용 스위치로서 SI Thyristor의 시동특성을 해석하는 데 본 등가모델을 활용할 수 있을 것으로 전망한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.865-868
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• 2006

In this paper, the subthreshold swing has been analyzed for double gate FinFET under channel length of 20nm. The analytical current model has been developed, including thermionic current and tunneling current models. The potential distribution by Poisson equation and carrier distribution by Maxwell-Boltzman statistics are used to calculate thermionic emission current, and WKB(Wentzel-Framers-Brillouin) approximation to tunneling current. The cutoff current is obtained by simple adding two currents since two current is independent. The subthreshold swings by this model are compared with those by two dimensional simulation and two values are good agreement. Since the tunneling current increases especially under channel length of 10nm, the characteristics of subthreshold swing is degraded. The channel and gate oxide thickness have to be fabricated as thin as possible to decrease this short channel effects and this process has to be developed. The subthreshold swings as a function of channel doping concentrations are obtained.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2006.05a
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• pp.869-872
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• 2006

In this paper, the threshold voltage roll-off been analyzed for nano structure double gate FinFET. The analytical current model has been developed , including thermionic current and tunneling current models. The potential distribution by Poisson equation and carrier distribution by Maxwell-Boltzman statistics are used to calculate thermionic emission current, and WKB(Wentzel- framers-Brillouin) approximation to tunneling current. The threshold voltage roll-offs are obtained by simple adding two currents since two current is independent. The threshold voltage roll-off by this model are compared with those by two dimensional simulation and two values are good agreement. Since the tunneling current increases especially under channel length of 10nm, the threshold voltage roll-off Is very large. The channel and gate oxide thickness have to be fabricated as thin as possible to decrease this short channel effects and this process has to be developed.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.11 no.4
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• pp.760-765
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• 2007

In this paper, the threshold voltage roll-off and drain induced barrier lowering(DIBL) have been analyzed for nano structure double gate FinFET. The analytical current model has been developed, including thermionic current and tunneling current models. The potential distribution by Poisson equation and carrier distribution by Maxwell-Boltzman statistics were used to calculate thermionic omission current, and WKB(Wentzel- Kramers-Brillouin) approximation to tunneling current. The threshold voltage roll-offs are obtained by simple adding two currents since two current is independent. The threshold voltage roll-off by this model are compared with those by two dimensional simulation and two values are good agreement. Since the tunneling current increases especially under channel length of 10nm, the threshold voltage roll-off and DIBL are very large. The channel and gate oxide thickness have to be fabricated as thin as possible to decrease this short channel effects, and this process has to be developed.