• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2011.05a
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• pp.264-268
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• 2011

급속한 도시화 및 이상강우의 발생은 우수 량을 증가시켜 하류부의 천변주변과 저지대에 대한 침수위험을 증대시키므로 풍수해 예방을 위해 각 시 도 지자체에서는 이러한 지역을 방재지역으로 지정하여 방재대책을 수립하고 있다. 본 연구는 침수피해 위험이 높은 광영동 하광마을을 연구대상지역으로 선정하여 상습침수구역을 토대로 현장조사를 실시하였다. 현장조사에서 과거 1988년 6월 택지 조성이 준공도면과 현 주택가 침수지역 침하량 분석결과 택지조성 당시보다 대략 0.4m이상 침하가 발생한 것을 확인할 수 있었다. 또한 우수관거에 대해 침하조사를 실시하였으며, 그 결과 1998년 우수관거 정비 사업을 실시하여 현재 관거침하 및 관거유실은 발생하지 않는 것으로 조사되었다. 그러나 현재 관가 실태는 우수발생시 약간의 토사유입으로 인해 부분적으로 퇴적된 구간이 조사되었으나, 일반적인 모래 질이며 퇴적깊이는 5~15cm정도이고 이는 강우발생시 우수 관거의 일반적인 토사 퇴적 침식 작용의 현상으로 판단되었다. 외수침수는 해안도로 지반침하와 조성당시의 조위에 의한 계획 고는 적용되었으나 하천 계획홍수위의 미적용으로 인해 강우발생시 조위 상승과 하천유출과의 관계에 있어 상습침수지역의 천변 해안도로로 외수유입이 발생 하는 것으로 분석되었다. 본 연구에서는 과거 침수실적을 바탕으로 기상조건 및 조위조건 등을 고려하여 HEC-HMS모형을 적용하여 9개의 소유역으로 분할된 유역에서 홍수유출량을 분석하였으며, 외수위 조건을 SWMM모형에 적용하여 우수관거 검토를 실시하였다. 그 결과 대상구역 조위 상승으로 우수관거의 내수배제가 되지 않는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 분석들로 외수유입 방지대책으로 조위영향 및 하천 계획홍수위를 고려하여 20년, 100년 빈도별 외수위를 산정하고 방지대책으로 도로 숭상 및 파라펫 설치방안을 검토하였다. 내수침수 방지대책으로 저류조+배수펌프+게이트펌프 또는 관로신설+게이트펌프를 설치, 복합방식 (지하저류조+승수로(도로 또는 산지)+게이트펌프장)설치, 도수터널계획 방안을 제시하여 상류지역에 발생하는 유출량을 유출부로 직접 배출하거나 침수영향이 없는 타 지역으로 연계 방류하여 총 유출량을 저감시키는 방안을 제시하였다. 이와 같은 여러 방안을 제시함으로써 관련 지자체에서는 보다 효과적인 침수방지 대책계획에 활용될 수 있을 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.47-47
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• 2010

게이트 밸브는 진공 시스템 구성에 있어서 빠질 수 없는 중요한 부품 중 하나로 공간을 구획하여 필요에 따라 자유롭게 진공 상태와 대기 개방 상태가 공존하도록 만들어 주며 진공펌프와 같은 주요 기기들의 탈착 및 교체를 용이하게 해 준다. 게이트 밸브는 열린 상태에서는 저항이 최소화되는 반면 닫힌 상태에서는 마치 마구리 플랜지로 막은 것처럼 완벽한 차단이 요구된다. 일반적으로 게이트 밸브 상용제품은 개스킷이 닿는 밸브 시트가 한쪽에만 마련되어 있으므로 디스크 기계구조가 충분한 압력을 발휘하지 못한다면 어느 쪽이 대기압인가에 따라 디스크를 미는 힘의 크기가 변하여 기밀특성이 달라질 수 있다. 따라서 게이트 밸브의 누설검사는 순방향과 역방향 모두에 대해 시행해야 한다. 양방향 누설검사를 위해 한쪽 밸브 공간을 배기하고 반대쪽 공간에 헬륨을 뿌리는 작업을 교대로 하려면 배기시간의 단축과 신속한 잔류 헬륨기체 제거가 필수적이다. 게이트 밸브 제조 공장에서 상품을 출하하기 위한 시험검사라는 것을 전제로 합리적인 시간 내에 정확한 누설검사를 일관성 있게 할 수 있는 적절한 누설검사 시스템을 설계하고 측정절차를 상용 게이트 밸브에 대해 적용해 보았다.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.13 no.2
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• pp.135-144
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• 2008

A bootstrap circuit is widely used for the floating gate power supply of Intelligent power module (IPM). A bootstrap circuit is simple and inexpensive. However, the duty cycle and on-time are limited by the requirement to refresh the charge in the bootstrap capacitor. And the value of the bootstrap capacitor should be increased as the switching frequency decreases. A charge pump circuit can be used to overcome the problems. This paper deals with an analysis and design of a charge pump circuit for the floating gate power supply of an IPM. The simulation and experiment are carried out for an induction motor drive system. The results well verifies the validity of the proposed circuit and design method.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2007.10a
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• pp.776-780
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• 2007

In this paper, the charge pump circuit of a VPP generator for a low voltage DRAM is newly proposed. The proposed charge pump is a 2-stage cross coupled charge pump circuit. The charge transfer efficiency is improved, and Distributed Clock Inverter is located in each charge pump stage to reduce clock period so that the pumping current is increased. In addition, the precharge circuit is located at Gate node of charge transfer transistor to solve the problem which is that the Gate node is maintained high voltage because the boosted charge can't discharge, so device reliability is decreased. The simulation result is that pumping current, pumping efficiency and power efficiency is improved. The layout of the proposed VPP generator is designed using $0.18{\mu}m$ Triple-Well process.

• Journal of the Korean Society of Hazard Mitigation
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• v.4 no.2 s.13
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• pp.53-59
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• 2004

The mechanism of manhole bursting which occurs at excess rainfall events Is studied by using both the physical model and the numerical model (SWMM ; Storm Water Management Model). The result of numerical simulation to steep pressure rising agrees well with that of the physical model at the sewer system under surcharged flow. A cause of manhole bursting is an expansion and spout of the condensed all at manhole that results from the surcharged flow and press wave propagation caused by gate operation or closure of conduit at pumping station.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2005.07a
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• pp.421-423
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• 2005

A bootstrap circuit for floating power supply has the advantage of being simple and inexpensive. However, the duty cycle and on-time are limited by the requirement to refresh the charge in the bootstrap capacitor. Hence, this paper deals with a design of charge pump circuit for a floating gate power supply of an IPM. The operation of the proposed circuit applied by three-phase inverter system for driving induction motor are verified through the experiments.

• The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
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• v.12 no.3
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• pp.312-320
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• 2019

In this paper, we design a 512Kb eFlash IP using 110nm eFlash cells. We proposed eFlash core circuit such as row driver circuit (CG/SL driver circuit), write BL driver circuit (write BL switch circuit and PBL switch select circuit), read BL switch circuit, and read BL S/A circuit which satisfy eFlash cell program, erase and read operation. In addition, instead of using a cross-coupled NMOS transistor as a conventional unit charge pump circuit, we propose a circuit boosting the gate of the 12V NMOS precharging transistor whose body is GND, so that the precharging node of the VPP unit charge pump is normally precharged to the voltage of VIN and thus the pumping current is increased in the VPP (boosted voltage) voltage generator circuit supplying the VPP voltage of 9.5V in the program mode and that of 11.5V in the erase mode. A 12V native NMOS pumping capacitor with a bigger pumping current and a smaller layout area than a PMOS pumping capacitor was used as the pumping capacitor. On the other hand, the layout area of the 512Kb eFlash memory IP designed based on the 110nm eFlash process is $933.22{\mu}m{\times}925{\mu}m(=0.8632mm^2)$.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.13 no.2
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• pp.151-154
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• 2002

All-optical OR logic gate is realized by use of gain saturation and wavelength conversion in the semiconductor optical amplifiers (SOA). It is operated by the nonlinearity of the SOA gain and hence to obtain the sufficient gain saturation of the SOA, pump signals are amplified by an Er-doped fiber amplifier (EDFA) at the input of the SOA. The operation characteristics of all-optical OR logic gate are successfully measured at 2.5 Gbit/s.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• v.14 no.5
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• pp.530-534
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• 2003

A novel all-optical NOR gate is proposed and demonstrated for the first time by use of gain saturation in a semiconductor optical amplifier (SOA). It is operated by the nonlinearity of the SOA gain. Hence, to obtain sufficient gain saturation of the SOA, pump signals are amplified by an Er-doped fiber amplifier at the input of the SOA. The operation characteristics of the all-optical NOR gate are successfully measured at 10 Gbit/s.

• Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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• v.17 no.3
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• pp.201-208
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• 2005

This study presents the experimental study on improvement of frost/defrost performance in an heat pump system with newly developed fin and multiple compressors. As multiple compressors system, the variable and single speed compressor combinations has been introduced and compared with single speed 1-compressor system in a view point of improvement of frost/defrost performance. Also, newly developed corrugate shaped fin has been compared with conventional louver shaped fin. The frost/defrost performance is defined and some parameters are compared to discuss the effect of each combination. From this experimental study, it is known that if the variable and single speed compressor combination system equipped with corrugate shaped fin, the system performance has greatly improved not only for heating capacity, but also for frost performance.