• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.446-446
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• 2009

표면 패시베이션 기술로 이용되는 수소화된 실리콘 질화막은 제조원가의 절감을 위한 실리콘 기판재료의 두께 감소에 따른 특성상의 문제점을 해결하기 위해 중요한 영향을 미치는 요소이다. 실리콘 질화막은 강한 기계적 강도, 우수한 유전적 특성, 수문에 의한 부식과 유동적 이온에 대한 우수한 저항력 때문에, 반도체 소자 산업에서 널리 사용되고 있다. 수소화된 실리콘 질화막은 반사방지 특성과 함께 표면 패시베이션의 질을 향상시킬 수 있다. 굴절률 1.9 ~ 2.3 범위에서 쉽게 변화 가능한 수소화된 실리콘 질화막은 굴절률 1.4 ~ 1.5 사이의 열적 산화막 보다 효과적인 반사방지막이다. 수소화된 실리콘 질화막을 사용한 태양전지에서는 효율을 높이기 위해서 기판 표면에서의 케리어 재결합이 억제되어져야한다. 또한, 수소화된 실리콘 질화막은 최적화된 두께와 굴절률을 가져야한다. 본 연구에서는 고효율 태양전지에 적용하기 위해 반송자 수명이 향상된 수소화된 실리콘 질화막을 플라즈마 화학 기상 증착법을 이용하여 증착하였다. 박막은 $250^{\circ}C\;{\sim}\;450^{\circ}C$에서 증착되었으며 증착된 박막은 1.94 to 2.05 굴절률 값을 가지고 있다. 반송자 수명을 증가시키기 위해 $650^{\circ}C\;{\sim}\;950^{\circ}C$에서 어닐링 하였고 반송자 수명을 측정하여 패시베이션 특성을 분석하였다. 수소화된 실리콘 질화막은 $850^{\circ}C$의 어닐링 온도와 굴절률 2.0 조건에서 가장 좋은 반송자 수명을 나타냈다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.667-672
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• 1998

Columbite precursor 방법을 이용하여 제조한 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 세라믹계의 초전특성을 $1000^{\circ}C$에서 $1250^{\circ}C$의 소결온도 범위에서 관찰하였다. Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 계는 전형적인 완화형 강유전특성을 나타내었다. $1250^{\circ}C$에서 2시간 소결한 $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$ 세라믹의 경우, 높은 소결밀도와 향상된 초전특성을 얻을수 있었다. $Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_3-PbTiO_3$세라믹은 항온장치를 이용할 경우 초전 센서로의 응용가능성을 나타내었다.

• 한국지반공학회논문집
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• 제15권5호
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• pp.193-204
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• 1999

흙의 파쇄성과 관련된 지반공학적 문제에 있어서 입상재료의 강도-변형특성을 해명하기 위한 중요한 인자의 하나로 흙입자의 파쇄를 들 수 있다. 최근, 열대ㆍ아열대 지방의 해안을 중심으로 거대한 해양 유전개발이 진행되고 있으며 이 지역에 넓게 분포된 카보네이트계 모래의 거동이 기존의 실리카계 모래의 거동에 비해 두드러지게 다르다는 것이 현장에서의 문제로 대두되고 있다. 본 연구에서는 흙의 파쇄성과 연관지어 입상재료의 역학특성을 정립하는 첫 단계로서, 흙 입자파쇄의 기본이 되는 개별입자의 파쇄 강도특성을 명백히 하기 위하여 4종류의 서로 다른 모래를 이용하여 단입자 파쇄시험을 수행하였다. 단입자 파쇄강도는 모래의 입자형상, 광물성분 및 입경의 영향을 고려하였으며, 입도분포 곡선의 $D_{50}$에 대응하는 흙입자 강도는 카보네이트성분의 함유량이 많을수록, 입자형상이 뾰족할수록 작은 값을 나타냈다.

• 한국산림과학회지
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• 제89권5호
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• pp.645-654
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• 2000

가시오갈피 군락의 유전변이를 파악하기 위하여 국내산 8개 군락과 러시아산, 중국산 각 1개 군락등 총 10개 군락, 67개체에 대한 ISSR(inter-simple sequence repeats) 표지자 분석을 실시하였다. 국내산 가시오갈피의 ISSR 표지자 분석에서 76%의 다형성 증폭산물 (primer당 평균 11.5개)을 확인했으며, 가시오갈피 수집종에 대한 RAPD 표지자 분석 (Kim등(等), 1998)의 다형성 비율 57%(primer당 평균 5.7 개) 보다 높게 나타나서, ISSR 표지자 분석이 RAPD 표지자 분석보다 많은 정보를 제공할 수 있었다. 국내 가시오갈피 8개 군락의 유전변이분석에서 군락간 유전변이가 62.8%로 매우 높게 나타났는데, 이러한 결과는 자생지의 좁은 면적과 무성번식에 의한 군락 유지기작에 기인하는 것으로 생각된다. 또한 본 연구의 제한된 시료수가 군락간 높은 유전변이를 설명하는 요인이 될 수도 있지만, 가시오갈피 군락의 번식특성과 분포양상을 고려할 때 유전적 해석에 미치는 영향은 미미한 것으로 생각된다. 유연관계분석에서는 자생지의 지리적 위치와 군락의 유전적 연관성을 찾을 수 없었으며 이러한 경향은 AMOVA 결과 및 주성분분석에서도 확인할 수 있었다. 따라서 국내 가시오갈피의 유전자원보존을 위해서는 자생지 보호와 더불어 현지의(ex situ)보존에서는 군락당 소수 개체를 다수의 군락에서 선발하는 군락 위주의 선발이 효과적일 것으로 생각된다.

• 전기학회논문지
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• 제67권4호
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• pp.543-548
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• 2018

Ferroelectric $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were deposited on $SrTiO_3(100)$ and Si(100) substrate by using conductive $SrRuO_3$ films as underlayer, and their ferroelectric and electrical properties were investigated depending on crystal structure and orientation. C-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were grown on well lattice-matched pseudo-cubic $SrRuO_3$ films deposited on $SrTiO_3(100)$ substrate, while random-oriented polycrystalline $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were grown on $SrRuO_3$ films deposited on Si(100) substrate. The random-oriented polycrystalline film showed a good ferroelectric hysteresis property with remanent polarization ($P_r$) of $9.4{\mu}C/cm^2$ and coercive field ($E_c$) of 84.9 kV/cm, while the c-axis oriented film showed $P_r=0.64{\mu}C/cm^2$ and $E_c=47kV/cm$ in polarizaion vs electric field curve. The c-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ film showed a dielectric constant of about 150 and lower thickness dependence in dielectric constant compared to the random-oriented film. Furthermore, the c-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ film showed leakage current lower than that of the polycrystalline film. The difference of ferroelectric properties in two films was explained from the viewpoint of depolarization effect due to orientation of spontaneous polarization and layered crystal structure of bismuth-base ferroelectric oxide.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권9호
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• pp.624-630
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• 2005

To investigate the possibility of the $ZrO_2$ buffer layer as the insulator for the Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) structure, $ZrO_2$ and $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films were deposited on the P-type Si(111) wafer by the R.F. magnetron-sputtering method. According to the process with and without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer and SBT thin film, the diffusion amount of Sr, Bi, Ta elements show slight difference through the Glow Discharge Spectrometer (GDS) analysis. From X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) results, we could confirm that the post-annealing process affects the chemical binding condition of the interface between the $ZrO_2$ thin film and the Si substrate. Compared to the MFIS structure without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer, memory window value of MFlS structure with post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer were considerably improved. The window memory of the Pt/SBT (260 nm, $800^{\circ}C)/ZrO_2$ (20 nm) structure increases from 0.75 to 2.2 V under the applied voltage of 9 V after post-annealing.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권3호
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• pp.157-161
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• 2017

$(1-x)Bi_{0.5}(Na_{0.78}K_{0.22})_{0.5}TiO_3-xLaFeO_3$ ceramics were fabricated using a solid state reaction method. The microstructural, ferroelectric and piezoelectric properties were characterized using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), and polarization hysteresis loops (P-E). XRD results indicated that BNKT ceramic crystal structure modified by $LaFeO_3$ was transformed from a ferroelectric tetragonal to a non-polar pesudo-cubic phase with increased $LaFeO_3$ content. The improved piezoelectric properties resulted from the addition of $LaFeO_3$ up to 3 mol%. The $LaFeO_3$ 3mol% sample showed markedly improved piezoelectric and strain behaviors in comparison with pure BNKT ceramic.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권12호
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• pp.1092-1098
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• 2006

The influence of the concentration of precursor solution and the number of solution coatings on the densification of the $Pb(Zr_xTi_{1-x})O_3$ (PZT) thick films was studied. PZT powder and PZT precursor solution were prepared by3 sol-gel method and PZT thick films were fabricated by the screen-printing method on the alumina substrates. The composition of powder and precursor solution were PZT(70/30) and PZT(30/70), respectively. The PZT precursor solution was spin-coated on the PZT thick films. A concentration of a coating solution was 0.5 to 2.0 mol/L[M] and the number of coating was repeated from 0 to 6. The XRD patterns of all PZT thick films shelved typical perovskite polycrystalline structure. The porosity of the thick films was decreased with increasing the number of coatings and 6-time coated films with 1.5 M showed the dense microstructure and thickness of about $60{\mu}m$. The relative dielectric constant of the PZT thick film was increased with increasing the number of solution coatings and the thick films with 1.5 M, 6-time coated showed the 698. The remanent polarization the 1.5 M and 6-time coated PZT thick films was $38.3{\mu}C/cm^2$.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권8호
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• pp.750-757
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• 2002

Photosensitive sol solution을 이용한 self pattern된 박막은 photoresist/dry etching process에 비해 박막의 제조과정이 간단하다는 장점을 가지고 있다. 이 연구에서는 photosensitive sol solution을 이용하여 spin coating법에 의해 $Sr_{0.9}Bi_{2.1}Ta_2O_9$의 조성을 갖는 강유전체 박막을 제조하였으며 출발원료는 $Sr(OC_2H_5)_2,\;Bi(TMHD)_3$와 $Ta(OC_2H_5)_5$를 사용하였다. SBT 박막에 UV 노광시간을 증가시킴에 따라 M-O-M 결합이 생성되면서 metal ${\beta}$-diketonate의 UV 흡수 피크 강도는 감소되었고 SBT 박막에 UV 조사에 따른 용해도 차이가 생기면서 fine patterning을 얻을 수 있었다. 또한 UV가 조사된 SBT 박막의 강유전 특성이 UV가 조사되지 않은 것보다 우수하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.168-171
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• 2003

Bismuth layered structure, Cerium-substituted $Bi_4Ti_3O_{12}$ ($(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}$) thin films were prepared on the $Pt/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates by the pulsed laser deposition method. We investigated the Ce-subsitituted effect on the grain orientation and ferroelectric properties. $Ce^{3+}$ ion substitution for $Bi^{3+}$ ion in perovskite layers of BTO decreased the deeree of c-axis orientation and increased the remanent polariation (2Pr). The structure and morphology of the films were characterized using X-ray diffraction and atomic force microscopy. The $(Bi,Ce)_4Ti_3O_{12}$ (BCT) thin films, which were annealed $700^{\circ}C\;and\;800^{\circ}C$ for 10min and 30min, showed a perovskite phase and dense microstructure. As the thickness of the BCT film was decresed that the ferroelectric properties of the BCT thin films were good.