In this technical information, the TSP measurement data at Gosan between 1992 and 1999 are presented and analyzed. The average ratio of N $O_3$$^{[-10]}$ /nss-S $O_4$$^{2-}$ is highest in March. The annual average ratio concentration of N $O_3$$^{[-10]}$ increased and it was found that the annual average ratio of N $O_3$$^{[-10]}$ /nss-S $O_4$$^{2-}$ increased during the period, probably due to the change of emission characteristics of China.
혼합금속산화물에 담지된 Pd-Rh 허니컴 촉매 상에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감하기 위한 반응 온도를 낮추면서 각각의 반응물에 대한 전환율을 높이기 위하여, 환원제로 수소 또는 일산화탄소 사용에 대해 조사하였다. 각각의 환원제 사용 시, NO와 $N_2O$의 전환율에 대한 반응 조건의 영향을 조사하기 위해 반응온도, 각 환원제와 산소의 농도, NO와 $N_2O$ 간의 농도 비율 등을 변화시켰다. 먼저 수소를 환원제로 사용하는 경우, 산소의 부재시 $200^{\circ}C$ 미만의 저온에서 50% 이상의 NO와 $N_2O$ 전환율을 얻을 수 있었다. 한편, 일산화탄소를 환원제로 사용하는 경우에는 NO와 $N_2O$ 전환율이 각각 $200^{\circ}C$와 $300^{\circ}C$ 이상에서 증가하기 시작하였다. 그러나, 두 가지 환원제 모두의 경우에서, 반응 가스내에 산소 농도가 증가함에 따라 $N_2O$와 NO 전환율에 감소하였다. 결과적으로 일산화탄소 환원제에 비해, 수소 환원제가 상대적으로 저온에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감할 수 있으며, 산소 농도에 의한 영향을 덜 받는 것으로 나타났다. 반면, 반응물내 $N_2O$와 NO 농도비에 의한 NO와 $N_2O$ 전환율의 영향은 환원제의 종류에 크게 영향을 받지 않는 것으로 관찰되었다. 저온에서 NO와 $N_2O$를 동시에 저감시키기 위해서는 산소 분위기보다는 수소 분위기에서 촉매를 전처리하는 것이 보다 효과적인 것으로 나타났다.
하수슬러지를 유동층 소각으로 처리할 때 유동매체가 $N_2O$ 발생에 미치는 영향을 고찰하였다. 유동매체로 zeolite 분말을 혼합하여 2 mm의 구형으로 제조하였다. 유동사의 평균크기 0.4 mm인 것을 유동매체로 사용할시 최소유동화속도($U_{mf}$)는 0.44 m/s로 나타났으나, 2 mm zeolite 유동매체를 사용하였을 경우, 최소유동화속도는 0.5 m/s로 다소 증가하는 것을 알 수 있었다. 유동층 소각로 내경에 대한 유동층 높이의 비(bed aspect ratio)를 1.4에서 3.1로 증가시켰을 때, 최소유동화속도는 0.5 m/s 에서 0.7 m/s로 다소 증가하는 것을 알 수 있었다. 과잉공기비가 1.79이고, 유동층 온도는 $909^{\circ}C$, 공탑속도는 약 1.65 m/s의 운전 조건에서, 유동매체 양의 증가에 따라 배가스 $O_2$ 농도는 다소 감소하였으며, $CO_2$의 농도는 다소 증가하는 것으로 나타났다. 유동매체의 양이 6 kg (bed aspect ratio 1.98) 이상일 때 $N_2O$의 농도가 크게 감소하였는데, 이러한 감소는 $N_2O$의 NOx로 전환이라기보다는 zeolite 유동매체에 의한 $N_2O$ 분해 반응에 의한 것으로 사료되었다. 한편, zeolite 유동매체를 유동사와 혼합하여, 유동층 높이를 일정하게 유지하고, zeolite 유동매체의 혼합 비율과 유동층 온도를 변화시켰을 때, $N_2O$의 발생농도는 혼합비율 보다 유동층 온도에 의해 크게 의존하였으며, 고온으로 갈수록 감소하는 것을 알 수 있었다. 소각 운전 온도를 고려하였을 때, zeolite 유동매체의 소성 온도는 $900^{\circ}C$에서 수행하는 것이 효과적인 것으로 판단되었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제9권1호
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pp.12-15
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2008
Hafnium oxynitride films have been deposited onto a silicon substrate by means of radio frequency (RF) reactive sputtering using a hafnium dioxide $(HfO_2)$ target with a variety of nitrogen! argon $(N_2/Ar)$ gas flow ratios. Auger electron spectroscopy (AES)results confirm that $N_2$ was successfully incorporated into the HfON films. An increase in the $N_2/Ar$ gas flow ratio resulted in metal oxynitride formation. The films prepared with a $N_2/Ar$ flow ratio of 20/20 sccm show (222), (530), and (611) directions of $HfO_2N_2$, and the (-111), (311) directions of $HfO_2$. From X-ray reflectometry measurements, it can be concluded that with $N_2$ incorporated into the HfON films, the film density increases. The density increases from 9.8 to $10.1g/cm^3$. XRR also reveals that the surface roughness is related to the $N_2/Ar$ flow ratio.
Korea Electric Power Research Institute (KEPRI) has developed a compact coal-gasification system to accumulate our experiment skills. The combustion furnace for residual oil was modified as a small size coal gasifier. Recently, coal feeding system was also upgraded to control coal feed rate more accurately. Our research group has conducted several experiments to find out the effect of $O_2$/coal ratio on the cold gas efficiency. Furthermore, the effect of $N_2$/coal ratio on the transport characteristics was also studied. According to the calculation of heat and mass balance, the cold gas efficiency was estimated to the maximum at $O_2$/coal ratio of around 0.73. But small size gasifier such as ours required higher value of $O_2$/coal ratio than that of the theoretical estimation. On the optimal $N_2$/coal ratio, we noticed that the coal feed rate was intimately related with the transporting gas pressure and the pipe diameter.
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) allows low temperature processing and so it is widely used, but it causes instability of devices due to serious amount of impurities within the film. In this paper, electrical and chemical characteristics of the PECVD oxynitride film formed by different N$_{2}$O to N$_{2}$O+NH$_{3}$ gas ratio is studied. It has been found that hydrogen concentration of PECVD oxynitride film was decreased from 4.25*10$^{22}$ [cm$^{-2}$ ] to 1.18*10$^{21}$ [cm$^{-2}$ ] according to the increase of N$_{2}$O gas. It was also found that PECVD oxynitride films have low trap density in the oxide and interface in comparison with PECVD nitroxide films, and has higher refractive index and capacitance than oxide films. In particular, oxynitride film formed in gas ratio of N$_{2}$O/(N$_{2}$O+NH$_{3}$)= 0.88 shows increased capacitance and decreased leakage current due to small portion of hydrogen in oxide and the accumulation of nitrogen about 4[atm.%] at the interface.
본 연구에서는 하폐수 탈질 과정에서 전자수용체의 종류와 농도, 전자공여체/전자수용체(C/N)비율, 그리고 전자공여체의 복합도(complexity)가 $N_2O$ 배출에 미치는 영향을 정량적으로 조사하였다. 탈질 질소원의 농도가 높을수록 $N_2O$ 배출량도 증가했으며 ${NO_2}^-$를 이용하는 경우가 ${NO_3}^-$에 비해 $N_2O$ 배출량이 높아 ${NO_2}^-$가 $N_2O$ 배출에 중요한 영향을 미침을 확인하였다. ${NO_2}^-$-N 50 mg/L에서 $N_2O$-N으로의 전환율 9.3%와 수율 9.8%로 가장 높게 나타났으며 ${NO_3}^-$-N은 50 mg/L에서 전환율이 5.6%, 수율은 11.0%로 나타났다. 유기탄소원/질소(C/N) 비율이 감소하면 질소 제거율은 감소하나 $N_2O$로의 전환율은 증가하였다. 실제 하수를 전자공여체로 이용한 경우가 단일 탄소원인 acetate를 이용한 경우에 비해 $N_2O$ 배출량이 1/10 이하로 현저히 감소하였다. 이는 복합 탄소원이 전자공여체로 이용될 경우 단일 탄소원(acetate)에 비해 다양한 탈질 대사(경로)를 이용하고 이것이 $N_2O$ 배출량 저감에 도움이 되는 것으로 판단된다.
네자리 schiff base 리간드로서 N,N-비스(살리실알데히드)에틸렌디이민과 Mo(IV), Mo(V), Mo(VI) 및 Mo(III)의 각 산화상태인 몰리브덴이온들과의 반응으로서 새로운 착물$[MoO_2(C_{16}H_{14}O_2-N_2)], [MoO(C_{16}H_{14}O_2N_2)]_2O, (Mo(SCN)(C_{16}H_{14}O_2N_2)]_2O$들을 합성하였다. 이들 착물들은 리간드와 몰리브덴의 몰비가 1:1이며, 6배위의 가상적인 구조로 주어짐을 원소 분석치와 가시부 및 적외선 흡수스펙트럼, T.G.A., D.T.A. 및 X-ray 회절의 고찰로서 알아보았다.
This paper presents the discharge characteristics and economic feasibility of a Dry $Air/O_2$ and a $N_2/O_2$ mixture gas in order to review $SF_6$ alternative. From AC discharge experiment in an quasi-uniform field, it was found that the optimal $N_2/O_2$ mixing ratio which breakdown voltage and surface flashover voltage were the highest was 70/30 and that the pressure dependence on the breakdown voltage was higher than that of the surface flashover voltage in the Dry $Air/O_2$ and the $N_2/O_2$ mixture gas. The mixing ratio (70/30) and the tendency of the pressure dependence were described in detail based on physical factors (impact ionization coefficient, electron attachment coefficient, secondary electron emission coefficient) involved in discharge mechanism and a electron source, respectively. In addition, the performance insulation and the economic feasibility of the Dry $Air/O_2$ and the $N_2/O_2$ mixture gas were discussed so that Dry $Air/O_2$ mixture gaswas more suitable than $N_2/O_2$ mixture gas to the $SF_6$ alternative.
The Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n}$Cu$_{n+1}$ O$_{x}$, superconducting thin films arc fabricated by using the sputtering and evaporation method. Because we confirmed the sticking ratio of Bi element in the Bi$_2$Sr$_2$Ca$_{n}$Cu$_{n+1}$ O$_{x}$ superconducting thin film fabricated by using the sputtering method was much lower than the expected value, to get the enough number of the flakes of Bi, faraday cup was used to evaporate Bi clement. As a result of the fabrication, Bi 2201 and Bi 2212 single phases could be made by the optima of deposition condition. And we confirmed the sticking coefficient of Bi element was clearly related to the temperature change of the substrate and the generation of Bi22l2 phase
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[게시일 2004년 10월 1일]
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