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ZnO-Bi2O3-Co3O4 바리스터의 전기적 특성 (Electrical Properties of ZnO-Bi2O3-Co3O4 Varistor)

  • 홍연우;신효순;여동훈;김진호
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제24권11호
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    • pp.882-889
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    • 2011
  • In this study, we have investigated the effects of Co doping on I-V curves, bulk trap levels and grain boundary characteristics of ZnO-$Bi_2O_3$ (ZB) varistor. From I-V characteristics the nonlinear coefficient (a) and the grain boundary resistivity (${\rho}_{gb}$) decreased as 32${\rightarrow}$22 and 18.4${\rightarrow}0.6{\times}10^9{\Omega}cm$ with sintering temperature (900~1,300$^{\circ}C$), respectively. Admittance spectra and dielectric functions show two bulk traps of zinc interstitial, $Zn_i^{{\cdot}{\cdot}}$(0.16~0.18 eV) and oxygen vacancy, $V_o^{{\cdot}}$ (0.28~0.33 eV). The barrier of grain boundaries in ZBCo (ZnO-$Bi_2O_3-Co_3O_4$) could be electrochemically single type. However, its thermal stability was slightly disturbed by ambient oxygen because the apparent activation energy of grain boundaries was changed from 0.93 eV at the 460~580 K to 1.13 eV at the 620~700 K. It is revealed that Co dopant in ZB reduced the heterogeneity of the barrier in grain boundaries and stabilized the barrier against the ambient temperature.

전기방사 방법을 이용한 천연 다당류 나노섬유 제조 및 특성 연구 (Preparation and Characterization of Polysaccharide-based Nanofiber Using Electrospinning Method)

  • 김세종;이수정;우창화;남상용
    • 멤브레인
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    • 제26권4호
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    • pp.318-327
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    • 2016
  • 본 연구에서는, 전기방사를 위하여 알지네이트와 키토산을 이용하여 알지네이트/poly(ethylene oxide)(PEO)와 키토산/PEO 용액을 준비하였다. 준비된 용액을 10 mL 플라스틱 주사기에 넣고 금속 노즐에 높은 전압을 공급하였다. 키토산과 알지네이트 용액은 고분자 농도, 온도, 상대습도, 인가전압, 노즐과의 거리, 그리고 용액 속도에 의해 컨트롤되었다. 제조된 나노섬유막은 전자주사현미경을 이용하여 모폴로지를 관찰하였다. 알지네이트 전기방사를 위한 나노 섬유막의 최적화된 조건은 2 wt% 알지네이트, 2 wt% PEO, $60^{\circ}C$, 노즐과의 거리 15 cm, 20~24 kV, $8{\mu}m/min$이었으며, 키토산 섬유막의 최적화 조건은 2 wt% 키토산, 2 wt% PEO, $25^{\circ}C$, 노즐과의 거리 15 cm, 24 kV, $8{\mu}m/min$이었다. 복합 나노섬유 제조조건은 노즐과의 거리 20 cm, $8{\mu}m/min$, 26 kV이었다.

호알칼리성 Bacillus sp. DK1122 균주가 생산하는 알칼리성 단백질 분해효소의 정제 및 특성 (Purification and Characterization of an Alkaline Protease Produced by Alkalophilic Bacillus sp. DK1122)

  • 이형재;유지승;배동훈
    • 한국미생물·생명공학회지
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    • 제44권3호
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    • pp.333-340
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    • 2016
  • 호알칼리성 protease를 분비하는 토양에서 분리된 Bacillus sp. DK1122 균주로부터 효소의 생산조건을 검토 후, 효소를 정제하고 특성을 알아보았다. 본 균주의 효소생산 최적 배지조성은 0.5% (w/v) glucose, 0.8% (w/v) yeast extract, 0.5% (w/v) polypeptone, 0.1% (w/v) K2HPO4, 0.02% (w/v) MgSO4· 7H2O, 1% (w/v) Na2CO3, 3% (w/v) NaCl, pH 9.0이었으며, 종배양액 0.5% 접종시 40℃에서 24시간 배양했을 때 효소 생산량이 가장 높았다. Bacillus sp. DK1122가 생산하는 alkaline protease를 70% 포화 ammonium sulfate로 침전시키고, CM-Sepharose column chromatography에 의해 23.9%의 수율에 2.8배의 정제도를 지니는 효소를 얻을 수 있었다. SDS-PAGE를 통해 정제된 protease는 27 kDa의 크기의 단일 subunit으로 확인되었고, 정제된 효소의 최적 pH는 9.0, 최적온도는 60℃였으며, 50℃에서 1시간까지 열에 안정하였고, 60℃에서 10 mM CaCl2 첨가 후 3시간까지 90%의 활성을 유지하여 Ca2+에 의해 열안정성이 증가하였다. 본 연구를 통해 정제된 호알칼리성 protease는 식품, 세제 및 관련산업에서의 응용성이 매우 높을 것으로 기대된다.

코어 없는 PCB 변압기와 인덕터를 이용한 ZVS Forward DC-DC 컨버터 (A ZVS Forward DC-DC Converter Using Coreless PCB Transformer and Inductor)

  • 황선민;안태영
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제38권4호
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    • pp.37-44
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    • 2001
  • 본 논문은 코어 없는 PCB(Print circuit board) 변압기와 인덕터를 이용한 ZVS (Zero voltage switching) Forward DC-DC 컨버터의 실험 결과 및 실용 가능성을 보고한 것이다. 최대출력 12W, 최대 스위칭주파수 2.2MHz, 정격 입력전압 24V를 갖는 실험용 컨버터가 검증되었다. 코어 손실이 없기 때문에 코어 없는 PCB 변압기와 인덕터가 고주파 동작에 적합하다는 것을 밝혔다 실험 컨버터는. 최저 70% 에서 80%의 전력변환 효율을 나타내었고, 12V 출력전압은 0.7% 이내에서 안정되었다.

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Lactic acid 회수를 위한 침전공정 최적화 (Optimization of Precipitation Process for the Recovery of Lactic Acid)

  • 최국화;장용근;김진현
    • KSBB Journal
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    • 제26권1호
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    • pp.13-18
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    • 2011
  • 본 연구에서는 $Ca(LA)_2$의 침전조건을 최적화하고 침전된 $Ca(LA)_2$ 용액에 황산을 처리하여 고순도, 고수율의 lactic acid를 회수할 수 있는 방법을 개발하고자 하였다. 특히 $Ca(LA)_2$의 용해도를 낮추기 위하여 여러 종류의 유기용매 첨가에 따른 영향을 평가하였다. 모델용액의 경우 침전을 위한 최적의 석회종류, 석회량, 교반속도, 시간, 온도, 유기용매 첨가량은 각각 CaO, 0.0175 g/mL, 220 rpm, 24 h, $5^{\circ}C$, ethanol 25% (v/v)이었으며 최적 조건 하에서 가장 높은 순도 (98%)와 수율(69%)을 얻을 수 있었다. 발효배양액 (lactic acid 순도: 69%, pH: 7.3)의 경우, 모델용액으로부터 얻은 최적의 조건 하에서 $Ca(LA)_2$ 회수 과정에서 64%, 회수된 $Ca(LA)_2$에 황산을 첨가 ($Ca(LA)_2/H_2SO_4$ molar ratio = 1:1)하여 lactic acid를 회수하는 과정에서 86%의 회수율을 각각 얻어 발효배양액으로부터 총괄 수율 55%로 lactic acid (순도: 88.6%)를 얻을 수 있었다.

SiO2 완충층 두께에 따른 비정질 InGaZnO Pseudo-MOS Field Effect Transistor의 신뢰성 평가 (Effect of SiO2 Buffer Layer Thickness on the Device Reliability of the Amorphous InGaZnO Pseudo-MOS Field Effect Transistor)

  • 이세원;황영현;조원주
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제25권1호
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    • pp.24-28
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    • 2012
  • In this study, we fabricated an amorphous InGaZnO pseudo-MOS transistor (a-IGZO ${\Psi}$-MOSFET) with a stacked $Si_3N_4/SiO_2$ (NO) gate dielectric and evaluated reliability of the devices with various thicknesses of a $SiO_2$ buffer layer. The roles of a $SiO_2$ buffer layer are improving the interface states and preventing degradation caused by the injection of photo-created holes because of a small valance band offset of amorphous IGZO and $Si_3N_4$. Meanwhile, excellent electrical properties were obtained for a device with 10-nm-thick $SiO_2$ buffer layer of a NO stacked dielectric. The threshold voltage shift of a device, however, was drastically increased because of its thin $SiO_2$ buffer layer which highlighted bias and light-induced hole trapping into the $Si_3N_4$ layer. As a results, the pseudo-MOS transistor with a 20-nm-thick $SiO_2$ buffer layer exhibited improved electrical characteristics and device reliability; field effective mobility(${\mu}_{FE}$) of 12.3 $cm^2/V{\cdot}s$, subthreshold slope (SS) of 148 mV/dec, trap density ($N_t$) of $4.52{\times}1011\;cm^{-2}$, negative bias illumination stress (NBIS) ${\Delta}V_{th}$ of 1.23 V, and negative bias temperature illumination stress (NBTIS) ${\Delta}V_{th}$ of 2.06 V.

고해상도 듀티비 제어가 가능한 디지털 제어 방식의 CMOS 전압 모드 DC-DC 벅 변환기 설계 (Design of digitally controlled CMOS voltage mode DC-DC buck converter for high resolution duty ratio control)

  • 윤광섭;이종환
    • 전기전자학회논문지
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    • 제24권4호
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    • pp.1074-1080
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    • 2020
  • 본 논문은 공정, 전압 및 온도에 둔감하며, 출력전압 상태에 따라 3가지 동작모드가 가능한 디지털 제어 벅 변환기를 제안한다. 기존 디지털 제어 방식의 벅 변환기는 A/D 변환기, 카운터 및 딜레이 라인 회로를 사용하여서 정확한 출력 전압을 제어하였다. 정확한 출력 전압 제어를 위해서는 카운터 및 딜레이 라인 비트 수를 증가시켜서 회로 복잡성 증가 문제점을 지니고 있다. 이러한 회로의 복잡성 문제를 해결하기 위해서 제안된 회로에서는 8비트 및 16 비트 양 방향 쉬프트 레지스터를 사용하고 최대 128비트 해상도까지 듀티비 제어가 가능한 벅 변환기를 제안한다. 제안하는 벅 변환기는 CMOS 180 나노 공정 1-poly 6-metal을 사용하여 설계 및 제작하였으며, 2.7V~3.6V의 입력 전압과 0.9~1.8V의 출력 전압을 생성하고, 리플전압은 30mV, 전력 효율은 최대 92.3%, 과도기 응답속도는 4us이다.

고온, 고전압 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 제작 및 전기적 특성 연구 (Fabrications and Characterization of High Temperature, High Voltage Ni/6H-SiC and Ni/4H-SiC Schottky Barrier Diodes)

  • 이호승;이상욱;신동혁;박현창;정웅
    • 전자공학회논문지D
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    • 제35D권11호
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    • pp.70-77
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    • 1998
  • 본 논문에서는 nickel/silicon carbide(Ni/SiC) 접합에 의한 Schottky 다이오드를 제작하고, 그 전기적 특성을 조사하였다. Ni/4H-SiC의 경우, 산화막 모서리 단락을 하였을 때 상온에서 973V의 역방향 항복전압이 측정되었으며 이는 모서리 단락되지 않은 Schottky 다이오드의 역방향 항복전압 430V에 비해 매우 높았다. Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우, 산화막으로 모서리 단락시켰을 때와 시키지 않았을 때의 역방향 항복전압은 각각, 920V와 160V 였다. 고온에서의 소자 특성도 매우 좋아서 Ni/4H-SiC Schottky 다이오드와 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 300℃까지 전류 특성의 변화가 거의 없었으며 550℃에서도 양호한 정류 특성을 보였다. 상온에서의 Schottky barrier height와 이상인자(ideality factor) 및 specific on-resistance는 Ni/4H-SiC의 경우는 1.55eV, 1.3, 3.6×10/sup -2/Ω·㎠이었으며 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드의 경우에 1.24eV, 1.2, 2.6×10/sup -2Ω·㎠/로 나타났다. 실험 결과 Ni/4H-SiC 및 Ni/6H-SiC Schottky 다이오드 모두 고온, 고전압 소자로서 우수한 특성을 나타냄이 입증되었다.

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접촉연소식 센서를 이용한 $CH_4$$C_4$$H_{10}$ 감도 측정 및 전압변화 (The $CH_4$and $C_4$$H_{10}$ Sensitivity Measurement and Voltage Variation Using Catalytic Combustion Type Gas Sensor)

  • 윤헌주;신종열;홍진웅
    • 한국화재소방학회논문지
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    • 제15권3호
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    • pp.44-48
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    • 2001
  • 본 연구에서는, 접촉연소식 가스 탐지 소자를 대상으로 감도특성 및 전기적 특성을 분석하였으며, 24시간 동안 공기중에 노출시킨 후 온도($20^{\circ}c$, $40^{\circ}c$)와 상대습도(65%, 85%)에서 작동시켜 분석하였다. 또한 동일한 주거환경에서 210일 동안 50 cm/sec 유속을 유지하며 가스탐지소자의 동작을 실험하였다. 가스 탐지센서에 공급 전원은 기본회로에 직류 전압별(2.1V, 2.2V, 2.3V)로 인가하였다. 따라서, 상대습도와 온도에 의한 이소부탄과 메탄 특성그래프를 각각 분석한 결과 전반적으로 선형적인 증가를 보임을 확인할 수 있다.

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몰리브덴(V)와 이미노디아세틱액시드계 착물 합성과 그 성질 (Synthesis and Characterization of Molybdenum(V)-Iminodiaceticacid Derivatives Complexes)

  • 오상오;최식영
    • 대한화학회지
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    • 제31권6호
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    • pp.520-526
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    • 1987
  • 피리디니움 옥소이소치오시안네이토 몰리브데이트(V)와 아민 카르복실기를 가진 이미노디아세틱액시드 유도체를 반응시켜 아민 카르복실기를 가진 디옥소-디-뉴우-옥소-디몰리브데이트(V) 착물을 합성하였다. 이들에 대한 원소분석, 스펙트라의 해석 그리고 전기전도도의 측정으로 부터 착물의 성질과 그 구조를 추정하였다. 적외선 스펙트라에서 $Mo=O_t$ 신축진동에 기인한 두 개의 흡수띠가 900~$980cm^{-1}$ 영역에서 관찰되었으며, $MoO_2Mo$의 비대칭신축진동 및 대칭신축진동은 720~$750cm^{-1}$, 440~$485cm^{-1}$ 에서 각각 나타났었고, 카르복실기와 금속결합간의 비대칭 신축진동이 1585~$1,640cm^{-1}$에서 흡수띠가 관찰되었다. 전자흡수스펙트럼 결과 $^2B_2{\to}^2B_1$의 결정장 전이는 24,800∼$28,000cm^{-1}$, 전하이동 전이는 32,500~$33,800cm^{-1}$, 42,000~$47,500cm^{-1}$에서 각각 나타났다. 이들 착물은 노란색 혹은 오렌지색이며 반자성체 물질이였다.

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