1 |
S. Cristoloveanu and S. Williams, IEEE Electron Devices Lett., 13, 102 (1992).
DOI
|
2 |
K. H. Ji, J. I. Kim, Y. G. Mo, J. H. Jeong, S. Yang, C. S. Hwang, S. H. K. Park, M. K. Ryu, S. Y. Lee, and J. K. Jeong, IEEE Electron Devices Lett., 31, 1404 (2010).
DOI
|
3 |
H. S. Shin, B. D. Ahn, Y. S. Rim, and H. J. Kim, J. KIEEME, 24, 473 (2011).
과학기술학회마을
DOI
|
4 |
J. H. Shin, J. S. Lee, C. S. Hwang, S. H. K. Park, W. S. Cheong, M. Ryu, C. W. Byun, J. I. Lee, and H. Y. Chu, ETRI J., 31, 62 (2009).
과학기술학회마을
DOI
ScienceOn
|
5 |
J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, K. H. Lee, J. S. Park, T. S. Kim, K. H. Ji, R. Choi, J. K. Jeong, B. Koo, and S. Lee, Electrochem. Solid State Lett., 13, H213 (2010).
DOI
|
6 |
J. Y. Kwon, K. S. Son, J. S. Jung, K. H. Lee, J. S. Park, T. S. Kim, K. H. Ji, R. Choi, J. K. Jeong, B. Koo, and S. Lee, J. Electrochem. Soc., 158, H433 (2011).
DOI
|
7 |
S. Yang, D. H. Cho, M. K. Ryu, S. H. K. Park, C. S. Hwang, J. Jang, and J. K. Jeong, Appl. Phys. Lett., 96, 213511 (2010).
DOI
|
8 |
J. S. Park, K. S. Kim, Y. G. Park, Y. G. Mo, H. D. Kim, and J. K. Jeong, Adv. Mater., 21, 329 (2009).
DOI
|
9 |
J. Y. Kwon, J. S. Jung, K. S. Son, K. H. Lee, J. S. Park, T. S. Kim, J. S. Park, R. Choi, J. K. Jeong, B. Koo, and S. Y. Lee, Appl. Phys. Lett., 97, 183503 (2010).
DOI
|
10 |
J. S. Lee, J. S. Park, Y. S. Pyo, D. B. Lee, E. H. Kim, D. Stryakhilev, T. W. Kim, D. U. Jin, and Y. G. Mo, Appl. Phys. Lett., 95, 123502 (2009).
DOI
|
11 |
K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, Nature, 432, 488 (2004).
DOI
ScienceOn
|
12 |
Y. K. Moon, S. Lee, W. S. Kim, B. W. Kang, and C. O. Jeong, Appl. Phys. Lett., 95, 013507 (2009).
DOI
|
13 |
W. S. Kim, Y. K. Moon, K. T. Kim, S. Y. Shin, and J. W. Park. Thin Solid Films, 520, 578 (2011).
DOI
|